M
特点
TCM811/TCM812
概述
在TCM811和TCM812具有成本效益的系统
旨在监视V监控电路
DD
在数字
系统，并提供一复位信号至主机控制 -
LER必要的时候。手动复位输入提供
覆盖复位监控，并适合于用作
一个按钮复位。无需外部元件
所需。
复位输出在20微秒（ 5微秒积极推动
适用于F V版）
DD
落下穿过复位电压
门槛。 RESET保持活跃最低
140毫秒后V
DD
上升到高于复位门限。
在TCM812具有高电平有效复位输出，而
在TCM811有一个低电平有效复位输出。在输出
投放TCM811的有效下降到V
DD
= 1V 。两
器件采用4引脚SOT- 143封装，
-40° C至+ 85°C的温度范围内指定。
在TCM811 / TCM812经过优化，拒绝快速转录
在V过性故障
DD
线。的低电源电流
6 μA （V
DD
= 3.3V ），使这些器件非常适合电池
供电的应用。
4引脚单片机复位监视器
精密V
DD
监控2.0V ， 2.8V ， 3.0V ， 3.3V ，
5.0V标称电源
手动复位输入
140毫秒最小复位输出持续时间
RESET输出有效到V
DD
= 1.0V （ TCM811 ）
低6 μA （典型值）电源电流
V
DD
瞬态抗扰度
小型4引脚SOT- 143封装
无需外部元件
可直接替代MAX811 / 812和提供更低
阈值电压选项
推挽复位输出
温度范围：
- 商业（ C） -40 ° C至+ 85°C
应用
电脑
嵌入式系统
电池供电设备
关键的微控制器电源监控
套餐类型：
SOT-143
GND 1
TCM811
or
TCM812
4
V
DD
典型应用电路
V
DD
0.1F
4
V
DD
PIC
微控制器
2
RESET
输入
（低电平有效）
GND
V
DD
TCM811
3
MR
推
按键
RESET
GND
TCM811
RESET
TCM812
（ RESET ）
2
3
MR
2002年Microchip的科技公司
DS21615B第1页
TCM811/TCM812
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
GND
RESET （ TCM811 ）
地
RESET推挽输出保持低电平
而
V
DD
低于复位电压
阈值，并且对于至少140毫秒
后（分钟）
V
DD
上升超过复位
门槛。
RESET推挽输出保持
而高
V
DD
是低于复位
电压阈值，并且至少
140毫秒（分钟）后，
V
DD
上升
上述复位阈值。
手动复位输入生成
复位时， MR是低于V
IL 。
电源电压
功能
绝对最大额定值*
电源电压（
V
DD
到GND） ......................................... + 6.0V
复位，复位.................................... - 0.3V至（
V
DD
+ 0.3V)
输入电流，
V
DD
.................................................. ....... 20毫安
输出电流，复位，复位................................... 20毫安
工作温度范围...................... - 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围....................... - 65 ° C至+ 150°C
最高结温，T
S
.............................. 150°C
*注意：
强调超越的绝对最高可额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成permanenet损坏。这些都是强调
唯一的评分，并且在这些或任何其他设备的功能操作
超越那些的业务部门所标明的条件
规格是不是暗示。暴露在绝对最高可评价CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
RESET （ TCM812 ）
MR
V
DD
电气特性
V
DD
= 5V为L / M版本，V
DD
= 3.3V的T / S版，V
DD
= 3V的R版本，V
DD
= 2.0V适用于F版本。
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 （注
1)
参数
V
DD
范围
电源电流
符号
V
DD
I
CC
民
1.0
1.1
—
—
4.54
4.50
4.30
4.25
3.03
3.00
2.88
2.85
2.58
2.55
1.71
1.70
复位门限温度系数
V
DD
到复位延迟
复位有效超时周期
MR最小脉冲宽度
磁共振抗干扰性
MR重置传播
延迟
t
MD
t
RP
t
MR
—
—
—
140
10
—
—
典型值
—
—
6
4.75
4.63
—
4.38
—
3.08
—
2.93
—
2.63
—
1.75
—
30
20
5
280
—
100
0.5
最大
5.5
5.5
15
10
4.72
4.75
4.46
4.50
3.14
3.15
2.98
3.00
2.68
2.70
1.79
1.80
—
—
—
560
—
—
—
PPM /°C的
微秒
毫秒
微秒
纳秒
微秒
V
DD
= V
TH
到V
TH
-125 mV的; L，M ，
R，S ， T，F
V
DD
= V
TH （最大）
单位
V
A
TCM811
TCM812
TCM81_L / M ，V
DD
= 5.5V ，我
OUT
= 0
TCM81_R / S / T / F，V
DD
= 3.6V ，我
OUT
=0
TCM81_L ：
T
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
条件
复位门限
V
TH
V
TCM81_M ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_T ：
T
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_S ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_R ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_F ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
注1 ：
做在T生产测试
A
= + 25 ° C和+ 85°C ，过温限制定期QA测试测试
在生产。
DS21615B第2页
2002年Microchip的科技公司
TCM811/TCM812
V
DD
= 5V为L / M版本，V
DD
= 3.3V的T / S版，V
DD
= 3V的R版本，V
DD
= 2.0V适用于F版本。
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 （注
1)
参数
MR输入阈值
符号
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
MR拉电阻
RESET输出电压低
(TCM811)
V
OL
民
2.3
—
0.7 V
DD
—
10
—
—
—
典型值
—
—
—
—
20
—
—
—
最大
—
0.8
—
0.25 V
DD
40
0.3
0.4
0.3
单位
V
V
k
V
V
V
TCM811R / S /只笔;
I
SINK
= 1.2毫安， V
DD
= V
TH
(
民
)
TCM811F只;
I
SINK
= 500 μA ，V
DD
= V
TH
(
民
)
TCM811L只/平方米;
I
SINK
= 3.2毫安， V
DD
= V
TH
(
民
)
I
SINK
= 3.2毫安， V
DD
= V
TH
(
民
)
TCM811R / S / T / F只;
I
来源
= 500 μA ，V
DD
＆ GT ; V
TH
(
最大
)
TCM811L只/平方米;
I
来源
= 800 μA ，V
DD
＆ GT ; V
TH
(
最大
)
只有TCM812F ，我
SINK
= 500 A,
V
DD
= V
TH （最大）
TCM812R / S /只T，I
SINK
= 1.2毫安，
V
DD
= V
TH （最大）
TCM812L / M而已，我
SINK
= 1.2毫安，
V
DD
= V
TH （最大）
V
I
来源
= 150 μA ，V
DD
≤
V
TH（分钟）
条件
V
DD
＆ GT ; V
TH（ MAX）
TCM81_L/M
V
DD
＆ GT ; V
TH （最大）
,
TCM81_R/S/T/F
RESET输出电压高
(TCM811)
V
OH
0.8 V
DD
V
DD
- 1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.3
0.4
—
V
V
V
RESET输出电压低
(TCM812)
V
OL
—
—
—
RESET输出电压高
(TCM812)
V
OH
0.8 V
DD
注1 ：
做在T生产测试
A
= + 25 ° C和+ 85°C ，过温限制定期QA测试测试
在生产。
2002年Microchip的科技公司
DS21615B第3页
TCM811/TCM812
2.0
应用信息
在TCM811 / TCM812提供准确V
DD
显示器 -
，并在上电，掉电复位时序和
掉电/凹陷的条件。这些器件还拒绝
负向瞬态脉冲干扰的电源支持
股线。图2-1显示了最大瞬态持续时间
化与最大负偏移（超速）的
瞬态抑制。持续时间和过的任何组合
驱动器是这样的曲线下不会产生复位
信号。曲线以上的组合被检测为
掉电或断电。瞬态抑制能力可
通过增加一个0.1 μF的电容密切proxim-改善
两者均在V
DD
引脚TCM811的/ 812 。
（100 kΩ将适用于大多数的应用程序） 。西米
larly ，一个上拉电阻到V
DD
是必需的
TCM812 ，以确保有效的高RESET为V
DD
下面
1.1V.
V
DD
4
0.1F
V
DD
TCM811
2
RESET
R
1
100 k
V
DD
GND
V
TH
高速模式=
V
D D
1
长短
最大瞬态持续时间（微秒）
图2-2：
加的R
1
在RESET
在TCM811的输出保证了RESET输出
有效期至V
DD
= 0V.
400
T
A
= +25C
2.2
控制器和处理器
双向I / O引脚
320
240
160
TCM81xL/M
80
TCM81xR/S/T
0
1
10
1000
100
复位比较OVERDRIVE ，
VTH - VDD （MV ）
某些单片机具有双向复位引脚。
根据不同的控制 - 的电流驱动能力
LER针，一个不确定的逻辑电平可能会导致如果有
是一个逻辑冲突。这可避免通过添加
4.7 kΩ电阻串联在TCM811的输出/
TCM812 （图2-3） 。中是否有其它组分
这需要一个复位信号的系统，它们应
缓冲以免加载复位线。如果有其它
组件必须遵守复位的I / O
微控制器，缓存的连接方式如
所示的实线表示。
缓冲器复位
其它系统
组件
卜FF器
V
DD
4
0.1F
TCM811
4.7 k
RESET
GND
1
2
RESET
GND
微
调节器
图2-1：
最大瞬态持续时间
毛刺抑制过激励，在25 ℃。
与
2.1
复位信号的完整性关断模式
下
在TCM811 RESET推挽输出仍有效V
DD
=
1.0V 。低于这个电压的输出变为"open
circuit" ，不能吸收电流。这意味着CMOS
逻辑输入到单片机将悬浮在一个
不确定电压。大多数数字系统的COM
处于关断状态远高于此电压。但是，在
其中， RESET必须保持有效的情况下，
V
DD
= 0V ，一个下拉电阻，必须从连接
复位到地杂散电容放电和
保持输出为低电平（见图2-2） 。这个电阻值，
虽然不是关键的，应选择为使得它
没有明显负载下正常操作复位
图2-3：
接口的TCM811到双
定向重设I / O 。
DS21615B第4页
2002年Microchip的科技公司
TCM811/TCM812
3.0
注意：
典型性能特性
按照此说明中提供的图表是统计结果的样本数量有限
并提供，仅供参考。这里所列出的性能特性不
测试或保证。一些图表，给出的数据可能超出规定的工作范围
（如超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
8
TCM81xR/S/T/F
空载
电源电流（ μA ）
6
V
DD
= 5V
4
14
12
电源电流（ μA ）
10
8
6
4
V
DD
= 1V
2
0
–40
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
TCM81xL/M
空载
V
DD
= 3V
V
DD
= 1V
2
–20
0
20
40
60
85
0
–40
–20
0
20
40
60
85
温度（℃）
温度（℃）
图3-1：
50
掉电复位延迟（微秒）
电源电流与温度的关系。
图3-4：
50
电源电流与温度的关系。
TCM81xF
40
30
V
OD
= 20毫伏
20
掉电复位延迟（微秒）
V
OD
= 20毫伏
40
V
OD
= 100 mV的
V
OD
- 200毫伏
30
20
10
V
OD
= 100 mV的
0
–40
V
OD
- 200毫伏
–20
0
20
40
60
85
10
TCM81xL/M
0
–40
–20
0
20
40
60
85
温度（℃）
温度（℃）
图3-2：
温度。
250
上电复位超时（毫秒）
掉电
RESET
延迟
与
图3-5：
温度。
50
掉电复位延迟（微秒）
掉电
RESET
延迟
与
TCM81x/R/S/T
245
TCM81xL/M
240
TCM81xR/S/T/F
40
30
235
20
V
OD
- 200毫伏
V
OD
= 100 mV的
V
OD
= 20毫伏
230
10
225
–40
–20
0
20
40
60
85
0
–40
–20
0
20
40
60
85
温度（℃）
温度（℃）
图3-3：
温度。
上电
RESET
TIMEOUT
与
图3-6：
温度。
掉电
RESET
延迟
与
2002年Microchip的科技公司
DS21615B第5页
M
特点
TCM811/TCM812
概述
在TCM811和TCM812具有成本效益的系统
旨在监视V监控电路
DD
在数字
系统，并提供一复位信号至主机控制 -
LER必要的时候。手动复位输入提供
覆盖复位监控，并适合于用作
一个按钮复位。无需外部元件
所需。
复位输出在20微秒（ 5微秒积极推动
适用于F V版）
DD
落下穿过复位电压
门槛。 RESET保持活跃最低
140毫秒后V
DD
上升到高于复位门限。
在TCM812具有高电平有效复位输出，而
在TCM811有一个低电平有效复位输出。在输出
投放TCM811的有效下降到V
DD
= 1V 。两
器件采用4引脚SOT- 143封装，
-40° C至+ 85°C的温度范围内指定。
在TCM811 / TCM812经过优化，拒绝快速转录
在V过性故障
DD
线。的低电源电流
6 μA （V
DD
= 3.3V ），使这些器件非常适合电池
供电的应用。
4引脚单片机复位监视器
精密V
DD
监控2.0V ， 2.8V ， 3.0V ， 3.3V ，
5.0V标称电源
手动复位输入
140毫秒最小复位输出持续时间
RESET输出有效到V
DD
= 1.0V （ TCM811 ）
低6 μA （典型值）电源电流
V
DD
瞬态抗扰度
小型4引脚SOT- 143封装
无需外部元件
可直接替代MAX811 / 812和提供更低
阈值电压选项
推挽复位输出
温度范围：
- 商业（ C） -40 ° C至+ 85°C
应用
电脑
嵌入式系统
电池供电设备
关键的微控制器电源监控
套餐类型：
SOT-143
GND 1
TCM811
or
TCM812
4
V
DD
典型应用电路
V
DD
0.1F
4
V
DD
PIC
微控制器
2
RESET
输入
（低电平有效）
GND
V
DD
TCM811
3
MR
推
按键
RESET
GND
TCM811
RESET
TCM812
（ RESET ）
2
3
MR
2002年Microchip的科技公司
DS21615B第1页
TCM811/TCM812
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
GND
RESET （ TCM811 ）
地
RESET推挽输出保持低电平
而
V
DD
低于复位电压
阈值，并且对于至少140毫秒
后（分钟）
V
DD
上升超过复位
门槛。
RESET推挽输出保持
而高
V
DD
是低于复位
电压阈值，并且至少
140毫秒（分钟）后，
V
DD
上升
上述复位阈值。
手动复位输入生成
复位时， MR是低于V
IL 。
电源电压
功能
绝对最大额定值*
电源电压（
V
DD
到GND） ......................................... + 6.0V
复位，复位.................................... - 0.3V至（
V
DD
+ 0.3V)
输入电流，
V
DD
.................................................. ....... 20毫安
输出电流，复位，复位................................... 20毫安
工作温度范围...................... - 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围....................... - 65 ° C至+ 150°C
最高结温，T
S
.............................. 150°C
*注意：
强调超越的绝对最高可额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成permanenet损坏。这些都是强调
唯一的评分，并且在这些或任何其他设备的功能操作
超越那些的业务部门所标明的条件
规格是不是暗示。暴露在绝对最高可评价CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
RESET （ TCM812 ）
MR
V
DD
电气特性
V
DD
= 5V为L / M版本，V
DD
= 3.3V的T / S版，V
DD
= 3V的R版本，V
DD
= 2.0V适用于F版本。
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 （注
1)
参数
V
DD
范围
电源电流
符号
V
DD
I
CC
民
1.0
1.1
—
—
4.54
4.50
4.30
4.25
3.03
3.00
2.88
2.85
2.58
2.55
1.71
1.70
复位门限温度系数
V
DD
到复位延迟
复位有效超时周期
MR最小脉冲宽度
磁共振抗干扰性
MR重置传播
延迟
t
MD
t
RP
t
MR
—
—
—
140
10
—
—
典型值
—
—
6
4.75
4.63
—
4.38
—
3.08
—
2.93
—
2.63
—
1.75
—
30
20
5
280
—
100
0.5
最大
5.5
5.5
15
10
4.72
4.75
4.46
4.50
3.14
3.15
2.98
3.00
2.68
2.70
1.79
1.80
—
—
—
560
—
—
—
PPM /°C的
微秒
毫秒
微秒
纳秒
微秒
V
DD
= V
TH
到V
TH
-125 mV的; L，M ，
R，S ， T，F
V
DD
= V
TH （最大）
单位
V
A
TCM811
TCM812
TCM81_L / M ，V
DD
= 5.5V ，我
OUT
= 0
TCM81_R / S / T / F，V
DD
= 3.6V ，我
OUT
=0
TCM81_L ：
T
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
条件
复位门限
V
TH
V
TCM81_M ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_T ：
T
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_S ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_R ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_F ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
注1 ：
做在T生产测试
A
= + 25 ° C和+ 85°C ，过温限制定期QA测试测试
在生产。
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2002年Microchip的科技公司
TCM811/TCM812
V
DD
= 5V为L / M版本，V
DD
= 3.3V的T / S版，V
DD
= 3V的R版本，V
DD
= 2.0V适用于F版本。
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 （注
1)
参数
MR输入阈值
符号
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
MR拉电阻
RESET输出电压低
(TCM811)
V
OL
民
2.3
—
0.7 V
DD
—
10
—
—
—
典型值
—
—
—
—
20
—
—
—
最大
—
0.8
—
0.25 V
DD
40
0.3
0.4
0.3
单位
V
V
k
V
V
V
TCM811R / S /只笔;
I
SINK
= 1.2毫安， V
DD
= V
TH
(
民
)
TCM811F只;
I
SINK
= 500 μA ，V
DD
= V
TH
(
民
)
TCM811L只/平方米;
I
SINK
= 3.2毫安， V
DD
= V
TH
(
民
)
I
SINK
= 3.2毫安， V
DD
= V
TH
(
民
)
TCM811R / S / T / F只;
I
来源
= 500 μA ，V
DD
＆ GT ; V
TH
(
最大
)
TCM811L只/平方米;
I
来源
= 800 μA ，V
DD
＆ GT ; V
TH
(
最大
)
只有TCM812F ，我
SINK
= 500 A,
V
DD
= V
TH （最大）
TCM812R / S /只T，I
SINK
= 1.2毫安，
V
DD
= V
TH （最大）
TCM812L / M而已，我
SINK
= 1.2毫安，
V
DD
= V
TH （最大）
V
I
来源
= 150 μA ，V
DD
≤
V
TH（分钟）
条件
V
DD
＆ GT ; V
TH（ MAX）
TCM81_L/M
V
DD
＆ GT ; V
TH （最大）
,
TCM81_R/S/T/F
RESET输出电压高
(TCM811)
V
OH
0.8 V
DD
V
DD
- 1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.3
0.4
—
V
V
V
RESET输出电压低
(TCM812)
V
OL
—
—
—
RESET输出电压高
(TCM812)
V
OH
0.8 V
DD
注1 ：
做在T生产测试
A
= + 25 ° C和+ 85°C ，过温限制定期QA测试测试
在生产。
2002年Microchip的科技公司
DS21615B第3页
TCM811/TCM812
2.0
应用信息
在TCM811 / TCM812提供准确V
DD
显示器 -
，并在上电，掉电复位时序和
掉电/凹陷的条件。这些器件还拒绝
负向瞬态脉冲干扰的电源支持
股线。图2-1显示了最大瞬态持续时间
化与最大负偏移（超速）的
瞬态抑制。持续时间和过的任何组合
驱动器是这样的曲线下不会产生复位
信号。曲线以上的组合被检测为
掉电或断电。瞬态抑制能力可
通过增加一个0.1 μF的电容密切proxim-改善
两者均在V
DD
引脚TCM811的/ 812 。
（100 kΩ将适用于大多数的应用程序） 。西米
larly ，一个上拉电阻到V
DD
是必需的
TCM812 ，以确保有效的高RESET为V
DD
下面
1.1V.
V
DD
4
0.1F
V
DD
TCM811
2
RESET
R
1
100 k
V
DD
GND
V
TH
高速模式=
V
D D
1
长短
最大瞬态持续时间（微秒）
图2-2：
加的R
1
在RESET
在TCM811的输出保证了RESET输出
有效期至V
DD
= 0V.
400
T
A
= +25C
2.2
控制器和处理器
双向I / O引脚
320
240
160
TCM81xL/M
80
TCM81xR/S/T
0
1
10
1000
100
复位比较OVERDRIVE ，
VTH - VDD （MV ）
某些单片机具有双向复位引脚。
根据不同的控制 - 的电流驱动能力
LER针，一个不确定的逻辑电平可能会导致如果有
是一个逻辑冲突。这可避免通过添加
4.7 kΩ电阻串联在TCM811的输出/
TCM812 （图2-3） 。中是否有其它组分
这需要一个复位信号的系统，它们应
缓冲以免加载复位线。如果有其它
组件必须遵守复位的I / O
微控制器，缓存的连接方式如
所示的实线表示。
缓冲器复位
其它系统
组件
卜FF器
V
DD
4
0.1F
TCM811
4.7 k
RESET
GND
1
2
RESET
GND
微
调节器
图2-1：
最大瞬态持续时间
毛刺抑制过激励，在25 ℃。
与
2.1
复位信号的完整性关断模式
下
在TCM811 RESET推挽输出仍有效V
DD
=
1.0V 。低于这个电压的输出变为"open
circuit" ，不能吸收电流。这意味着CMOS
逻辑输入到单片机将悬浮在一个
不确定电压。大多数数字系统的COM
处于关断状态远高于此电压。但是，在
其中， RESET必须保持有效的情况下，
V
DD
= 0V ，一个下拉电阻，必须从连接
复位到地杂散电容放电和
保持输出为低电平（见图2-2） 。这个电阻值，
虽然不是关键的，应选择为使得它
没有明显负载下正常操作复位
图2-3：
接口的TCM811到双
定向重设I / O 。
DS21615B第4页
2002年Microchip的科技公司
TCM811/TCM812
3.0
注意：
典型性能特性
按照此说明中提供的图表是统计结果的样本数量有限
并提供，仅供参考。这里所列出的性能特性不
测试或保证。一些图表，给出的数据可能超出规定的工作范围
（如超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
8
TCM81xR/S/T/F
空载
电源电流（ μA ）
6
V
DD
= 5V
4
14
12
电源电流（ μA ）
10
8
6
4
V
DD
= 1V
2
0
–40
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
TCM81xL/M
空载
V
DD
= 3V
V
DD
= 1V
2
–20
0
20
40
60
85
0
–40
–20
0
20
40
60
85
温度（℃）
温度（℃）
图3-1：
50
掉电复位延迟（微秒）
电源电流与温度的关系。
图3-4：
50
电源电流与温度的关系。
TCM81xF
40
30
V
OD
= 20毫伏
20
掉电复位延迟（微秒）
V
OD
= 20毫伏
40
V
OD
= 100 mV的
V
OD
- 200毫伏
30
20
10
V
OD
= 100 mV的
0
–40
V
OD
- 200毫伏
–20
0
20
40
60
85
10
TCM81xL/M
0
–40
–20
0
20
40
60
85
温度（℃）
温度（℃）
图3-2：
温度。
250
上电复位超时（毫秒）
掉电
RESET
延迟
与
图3-5：
温度。
50
掉电复位延迟（微秒）
掉电
RESET
延迟
与
TCM81x/R/S/T
245
TCM81xL/M
240
TCM81xR/S/T/F
40
30
235
20
V
OD
- 200毫伏
V
OD
= 100 mV的
V
OD
= 20毫伏
230
10
225
–40
–20
0
20
40
60
85
0
–40
–20
0
20
40
60
85
温度（℃）
温度（℃）
图3-3：
温度。
上电
RESET
TIMEOUT
与
图3-6：
温度。
掉电
RESET
延迟
与
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