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TC962
高电流电荷泵DC - DC转换器
产品特点:
引脚兼容TC7662 / ICL7662 / SI7661
高输出电流80毫安
无需外部二极管所需
宽工作电压范围为3V至18V
低输出阻抗28Ω典型。
无低压终端所需
应用齐片
OSC倍频插针选小
输出电容
概述:
该TC962是行业的高级版本
标准TC7662高电压的DC- DC转换器。
采用改进的设计技术和CMOS
建设, TC962可以输出高达80毫安
相对于7662的20毫安能力。
作为一个逆变器,该TC962可以放出来的电压高
如18V和低至3V ,而不需要外部
二极管。该装置的输出阻抗是低
28Ω (用适当的电容) ,电压转换
效率为99.9 %,且功率转换效率是
97%.
在一些所需的低电压端(引脚6)
TC7662的应用程序已经被淘汰。接地
该终端将增加一倍,从12振荡器频率
千赫到24千赫。这将允许使用更小的
电容器相同的输出电流和纹波,在
大多数应用。只有两个外部电容器
所需的逆变器应用。在事件的
外部时钟需要用来驱动TC962 (如
并联) ,直接驱动该引脚将导致
内部振荡器同步到外部时钟。
脚1,其被用作在7662试验针,是一种
在TC962参考电压稳压。该齐纳( 6.4V
5 mA)的具有12Ω的动态阻抗为
旨在用于其中的TC962的电流供给到
外部稳压器电路和一个参考是需要
调节器电路。 (见
第3.0节“应用
信息“
应用信息) 。
在TC962是与LTC1044 , SI7661兼容
和ICL7662 。它应该在需要的设计中使用
更大的功率和/或输入少输出电压下降。
它提供了卓越的性能在ICL7660S 。
应用范围:
笔记本电脑
磁盘驱动器
过程仪表
P为主
控制器
器件选型表
部分
TC962COE
TC962CPA
TC962EPA
TC962IJA
TC962MJA
16引脚SOIC宽
8引脚塑料DIP
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
操作
温度。
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
套餐类型
16引脚SOIC宽
8引脚DIP
8引脚CERDIP
齐纳
阴极1
C+ 2
TC962CPA
TC962EPA
GND 3
TC962IJA
C– 4
TC962MJA
8 V
DD
7 C
OSC
6 FREQ ×2
5 V
OUT
齐纳
阴极1
NC 2
C+ 3
NC 4
GND 5
NC 6
C– 7
NC 8
16 V
DD
15 NC
14 C
OSC
13 NC
TC962COE
12 FREQ ×2
11 NC
10 V
OUT
9 NC
2006年Microchip的科技公司
DS21484C第1页
TC962
功能框图
8
FREQ ×2
OSC / C
定时
6
7
水平
P SW1
2
CAP +
I
I
V
DD
TC962
Q
+
F/F
C
Q
比较
与迟滞
水平
SW4
+
C
P
3
GND
齐纳
阴极
1
6.4V
V
REF
+
水平
OUT
SW2
4
CAP -
C
R
EXT
R
L
水平
SW3
5
V
OUT
DS21484C第2页
2006年Microchip的科技公司
TC962
1.0
电动
特征
*条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压(V
DD
到GND) .............................. + 18V
输入电压的任何引脚
......................... (V
DD
0.3 )至(Ⅴ
SS
-0.3)
(注1 )
目前进入任何引脚........................................... 10毫安
ESD保护................................................ ± 2000V
输出短路...........连拍(在5.5V输入)
封装功耗(T
A
70°C)
SOIC ................................................. ...... 760毫瓦
PDIP ................................................. ....... 730毫瓦
CERDIP ................................................. 800毫瓦
封装热阻
CERDIP , Rθ
J- á
......................................... 90 ° C / W
PDIP , Rθ
J- á
............................................ 140 ° C / W
工作温度范围
CPA , COE ....................................... 0 ° C至+ 70°C
IJA ................................................ - 25 ° C至+ 85°C
EPA .............................................. -40 ° C至+ 85°C
MJA ............................................ -55°C至+ 125°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC962电气规范
电气特性:
V
DD
= 15V ,T
A
= 25 ° C(见图),除非另有说明。
符号
V
DD
I
S
参数
电源电压
电源电流
V
DD
= 15V
3
93
99
96
6.0
V
+
典型值
510
560
650
190
210
210
32
35
12
24
97
99.9
6.2
12
最大
18
700
37
40
50
6.4
单位
V
μA
测试条件
R
L
=
T
A
= +25°C
0
T
A
≤ +70°C
-55°C
T
A
≤ +125°C
T
A
= +25°C
0
T
A
≤ +70°C
-55°C
T
A
≤ +125°C
I
L
能力= 20 mA ,V
DD
= 15V
I
L
= 80 mA时, V
DD
= 15V
I
L
= 3毫安, V
DD
= 5V
引脚6开
6脚GND
R
L
= 2 kΩ
R
L
=
整个温度范围内
I
Z
= 5毫安
I
L
= 2.5 mA至7.5毫安
V
DD
= 5V
R
O
输出源
阻力
振荡器频率
功率英法fi效率
电压英法fi效率
Ω
F
OSC
P
EFF
V
DEF
千赫
%
%
V
Z
Z
ZT
1:
齐纳电压
齐纳阻抗
V
Ω
连接的任何输入端电压高于
或小于接地可能引起破坏性的闩锁。所以建议不
从外部电源供电来源输入应用之前, “电”的TC962的。
2006年Microchip的科技公司
DS21484C第3页
TC962
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1:
PIN号
( 8引脚DIP )
( 8引脚CERDIP )
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
齐纳二极管阴极
C
+
描述
阴极内部的齐纳二极管。
外部电容CP (泵盖)的积极的一面。
接地端子。
外部电容CP (泵盖)的消极的一面。
输出电压。
如果接地,频率加倍。
电容到地会降低频率。
输入电压。
GND
C
-
V
OUT
FREQ ×2
C
OSC
V
DD
PIN号
( 16引脚SOIC )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
齐纳二极管阴极
NC
C
+
描述
阴极内部的齐纳二极管。
无连接。
外部电容CP (泵盖)的积极的一面。
无连接。
接地端子。
无连接。
外部电容CP (泵盖)的消极的一面。
无连接。
无连接。
输出电压。
无连接。
如果接地,频率加倍。
无连接。
电容到地会降低频率。
无连接。
输入电压。
NC
GND
NC
C
-
NC
NC
V
OUT
NC
FREQ ×2
NC
C
OSC
NC
V
DD
DS21484C第4页
2006年Microchip的科技公司
TC962
3.0
3.1
应用信息
工作原理
电流源和双频率。这将
两倍的充电电流进入内部
电容器,以及任何电容器添加到引脚7 。
一个齐纳二极管已被添加到TC962用作
建立外部监管机构的参考。该齐纳
从引脚1运行到地面。
在TC962是电容泵(有时也称为
开关电容电路),其中4 MOSFET的
开关控制的充电和放电
电容。
该功能框图给出了开关
动作作品。 SW1和SW2被接通simulta-
neously ,充电
P
到电源电压V
IN
。这
假设MOSFET的在导通电阻
与电容串联的结果中的充电时间
(3时间常数)小于上一次提供
由振荡器频率,如下所示:
3 (R
DS ( ON)
C
P
) <
P
/(0.5 f
OSC
)
在下一周期中, SW1和SW2断开和后
所有被关闭的开关在很短的时间间隔(这
防止大电流而发生的交叉
导通) ,SW3和SW4被接通。充电
在C
P
随后被转移至C
R
,
但与极性
反转。
在这种方式,负电压被现在而得。
一个振荡器提供脉冲的触发器中,然后
馈送到一组电平移位器。这些电平转换
驱动各组开关中的二分之一的振荡器
频率。
该振荡器有两个引脚,控制的频率
振荡。 7脚可以有一个电容器补充说,是
返回到地面。这将降低的频率
振荡器通过增加电容的定时电容
内部的TC962 。接地引脚6将开启一个
3.2
闭锁
所有CMOS结构包含一个寄生SCR 。关怀
必须注意防止从去上面的任何输入或
在电源电压以下,会发生或闭锁。结果
的闩锁是V之间的有效短
DD
和V
SS
.
除非电源输入端具有电流限制此
闩锁现象会导致损坏
装置。 (见
AN763 ,闭锁保护MOSFET
驱动程序。 )
690
I
S
NC
+ 10
μF
1
2
C
P
3
4
8
7
I
L
C
OSC
5
R
L
V
OUT
(–5V)
C
R
+
10
μF
V+
(+5V)
TC962
图3-1:
测试电路
结合负转换器和乘法器正
V+
1
2
C
P2
+ 10
μF
3
4
C
P1
+
8
7
1
V
D1
V
D2
V
OUT
= –V +
C
R1
10
μF
+
V
OUT
=
2V + –2V
10
μF
2
+ 10
μF
C
P
3
D
SPLIT V +的一半
V+
8
7
TC962
6
5
+
TC962
6
5
V+
V
OUT
=
2
4
C
R
+
10
μF
降低输出阻抗由并联设备
V+
正电压倍增器
V+
1
2
C
P1
+ 10
μF
3
4
8
7
+ 10
μF
1
2
C
P2
3
4
8
7
1
2
3
4
V
OUT
C
R
+
10
μF
8
7
V
D1
V
D2
C
P
+ 10
μF
C
P
+
V
OUT
=
2V +–2V
10
μF
TC962
6
5
TC962
6
5
TC962
6
5
D
图3-2:
典型应用
2006年Microchip的科技公司
DS21484C第5页
评价
KIT
可用的
1
TC962
高电流电荷泵DC - DC转换器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
引脚兼容TC7662 / ICL7662 / SI7661
高输出电流....................................... 80毫安
无需外部二极管所需
宽工作范围............................. 3V至18V
低输出阻抗............................. 28Ω典型。
无低压终端所需
齐纳二极管的应用片上
OSC倍频插针选小
输出电容
概述
该TC962是业界的高级版本
标准7662的高电压的DC- DC转换器。运用
改进的设计技术和CMOS建设,
TC962可以输出高达8毫安相对于7662的
20毫安能力。
作为一个逆变器,该TC962可以放出来的电压高
如18V和低至3V ,而不需要外部
二极管。该装置的输出阻抗是低28Ω
(用适当的电容) ,电压转换效率
是99.9%,并且功率转换效率为97%。
在一些7662所要求的低电压端(引脚6)
应用程序已被淘汰。该接地端子
将振荡器频率翻一番,从12kHz至24kHz的。
这将允许使用较小的电容器相同的
输出电流和纹波,在大多数应用中。只有两个
外部电容器所需的逆变器应用。在
该事件的外部时钟,需要以驱动TC962
(如并联) ,直接驱动该引脚将导致
内部振荡器同步到外部时钟。
2
3
4
5
6
7
销刀豆网络gurations
(拨及SOIC )
8引脚DIP
8引脚CERDIP
齐纳
阴极
+
C
GND
C
1
2
3
4
TC962CPA
TC962EPA
TC962IJA
TC962MJA
8
7
6
5
VDD
COSC
FREQ ×2
V
OUT
16引脚SOIC宽
齐纳
阴极
NC
C+
NC
GND
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
VDD
NC
COSC
NC
FREQ ×2
NC
V
OUT
NC
TC962COE
12
11
10
9
订购信息
产品型号
TC962COE
TC962CPA
TC962EPA
TC962IJA
TC962MJA
TC7660EV
C
NC
TEMP 。 RANGE
16引脚SOIC宽
0 ° C至+ 70°C
8引脚塑料DIP
0 ° C至+ 70°C
8引脚塑料DIP
- 40 ° C至+ 85°C
8引脚CERDIP
= 25 ° C至+ 85°C
8引脚CERDIP
- 55 ° C至+ 125°C
评估板电荷泵家庭
VDD
TC962
功能框图
8
FREQ ×2
OSC / C
定时
6
7
水平
P SW1
2
+
I
I
Q
+
F/F
C
Q
比较
与迟滞
水平
SW4
+
CP
3 GND
齐纳
阴极
1
6.4V
VREF
+
水平
OUT
SW2
4
CR
EXT
RL
水平
SW3
5
VOUT
8
TC962-8 96年9月16日
TELCOM半导体,INC。的
4-37
高电流电荷泵
DC -TO -DC转换器
TC962
脚1,其被用作在7662试验针,是一种电压
在TC962参考齐纳。该齐纳二极管( 6.4V为5 mA)的有
12Ω和一个动态阻抗旨在用于其中
在TC962中提供给外部稳压电路电流
并且是需要的调节器电路的参考。 (见
应用部分)。
在TC962是与LTC1044 , SI7661兼容
和ICL7662 。它应该在需要的设计中使用
更大的功率和/或输入少输出电压下降。它
提供卓越的性能在ICL7660S 。
封装功耗(T
A
70°C)
SOIC ................................................. .............. 760mW的功耗
PDIP ................................................. .............. 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
封装热阻
CERDIP ,R
θJ -A
................................................ 90 ° C / W
PDIP ,R
θJ -A
................................................. 140 ° C / W
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压(V
DD
到GND) ................................. + 18V
输入电压的任何引脚............... (V
DD
+0.3 )至(Ⅴ
SS
– 0.3)
目前到任何引脚.............................................. ... 10毫安
ESD保护................................................ .....
±2000V
输出短路.................连拍(在5.5V输入)
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
工作温度范围
CPA , COE ............................................. 0 ° C至+ 70°C
IJA ................................................. ... - 25 ° C至+ 85°C
EPA ................................................. - 40 ° C至+ 85°C
MJA ................................................ - 55 ° C至+ 125°C
电气特性:
V
DD
= 15V ,T
A
= + 25 ° C(见测试电路) ,除非另有说明。
符号
V
DD
I
S
参数
电源电压
电源电流
V
DD
= 15V
测试条件
R
L
=
T
A
= +25°C
0
T
A
+70°C
–55
T
A
+125°C
T
A
= +25°C
0
T
A
& LT ; + 70°C
–55
T
A
+125°C
I
L
= 20mA时, V
DD
= 15V
I
L
= 80毫安,V
DD
= 15V
I
L
= 3mA电流, V
DD
= 5V
引脚6开
6脚GND
V
DD
= 15V
R
L
= 2 k
V
DD
= 15V
R
L
=
整个温度范围内
I
Z
= 5毫安
I
L
= 2.5毫安到7.5毫安
3
典型值
最大
18
单位
V
A
A
A
A
A
A
千赫
千赫
%
%
%
V
V
DD
= 5V
R
O
输出源
阻力
振荡器频率
功率英法fi效率
电压英法fi效率
C
OSC
P
EFF
V
DEF
93
99
96
6.0
510
560
650
190
210
210
32
35
12
24
97
99.9
6.2
12
700
37
40
50
V
Z
Z
ZT
齐纳电压
齐纳阻抗
6.4
4-38
TELCOM半导体,INC。的
高电流电荷泵
DC -TO -DC转换器
TC962
应用信息
工作原理
在TC962是电容泵(有时也称为
开关电容电路),其中4 MOSFET开关
控制电容器的充电和放电。
的功能框图(第1页)显示了如何将开关
荷兰国际集团的行动的工作。 SW1和SW2被接通simulta-
neously ,充电
P
到电源电压V
IN
。这AS-
sumes该串联的MOSFET的导通电阻
与电容器导致的充电时间(3时间CON-
常数),它是小于由振荡器提供的时间
如图器频率:
3 (R
DS ( ON)
C
P
) <C
P
/(0.5 f
OSC
)
在下一周期中, SW1和SW2断开,并
经过所有交换机的一个很短的时间间隔被关闭(这
防止大电流而发生交叉CON-
duction ) , SW3和SW4被接通。在C中的电荷
P
is
然后将其转移至C
R
,但是极性IN-
VERTED 。在这种方式,负电压被现在而得。
页面1示出了TC962的功能图。一
振荡器提供脉冲触发器,然后将其馈送到
设置电平转换器。这些电平转换器,然后开车每套
的开关频率为二分之一的振荡器频率。
该振荡器有两个引脚,控制的频率
振荡。 7脚可以有一个电容器补充说,是重新
导至地。这将降低的频率
振荡器通过增加电容的定时电容
内部的TC962 。接地引脚6将开启一个
电流源和双频率。这将增加一倍
充电电流进入内部的电容器,以及
任何电容加到引脚7 。
一个齐纳二极管已被添加到TC962用作
建立外部监管机构的参考。该稳压运行
从1脚接地。
这适用于所有类型的电容器,包括电影
类型(聚酯,聚碳酸酯等)。
有些应用程序的信息表明,电容
器是不严格和属性的限制因素
电容器的无功值。让我们来看看这个:
X
C
1
X
C
=
和Z
C
=
,
DS
2πF
其中的DS (占空比)= 50%。
因此,Z
C
2.6Ω在f = 12kHz的,其中C = 10μF 。
为TC962中,f = 12000赫兹,和C的典型值
是10μF 。这是2.6Ω的电抗阻抗。如果
血沉是一样大5Ω ,无功值不是关键
因为它会首先出现,因为ESR会占主导地位。
在5Ω值是典型的通用电解的
电容。
1
2
3
4
5
6
ESL
ESR
C
图1.典型的电解电容
闭锁
所有CMOS结构包含一个寄生SCR 。必须注意
采取防止从去上面或下面的任何输入
电源轨,或闭锁发生。闩锁起来的结果是
V之间的有效短
DD
和V
SS
。除非电源
电源输入端有电流限制,该闩锁现象会
导致设备损坏。 (参见应用笔记31
附加信息)。
测试电路
电容器
在早期的电荷泵转换器,电容器人
不认为是关键因高R
DS ( ON)
在MOSFET导的
FET开关。为了理解这一点,让我们来看看一个
一个典型的电解电容器的模型(图1) 。
需要注意的是其特点之一是ESR(等效
串联电阻) 。这种寄生电阻蜿蜒在
与负载串联。因此,无论电压变换艾菲
效率和功率转换效率,如果受损
低ESR电容器不被使用。
在测试电路中,例如,只是改变2电容
器,C
P
和C
R
从与未指定的ESR低电容
ESR型输出,阻抗36Ω ,从变化到28Ω ,一
改善23% !
TELCOM半导体,INC。的
1
2
+ 10F
CP
3
4
690
IS
IL
OSC
5
RL
VOUT
(–5V)
CR
+
10F
V+
(+5V)
NC
8
7
TC962
7
8
4-39
高电流电荷泵
DC -TO -DC转换器
TC962
典型应用
结合负转换器和乘法器正
V+
1
2
CP2
+ 10F 3
4
CP1
+
TC962
8
7
6
5
VOUT = -V +
R1
+
10F
CR
+
10F
VD1
VD2
+
VOUT =
2V + -2VD
10F
CP
+ 10F
1
2
3
4
TC962
8
7
6
5
+
VOUT = V
2
拆分V +在半
V+
降低输出阻抗由并联设备
V+
正电压倍增器
V+
1
2
CP1
+ 10F
3
4
TC962
8
7
6
5
CP2
+ 10F
1
2
3
4
TC962
8
7
6
5
CR
VOUT
10F
1
2
3
4
TC962
8
7
6
5
CP
+ 10F
VD1
VD2
CP
+
VOUT =
+
2V -2 VD
10F
+
4-40
TELCOM半导体,INC。的
高电流电荷泵
DC -TO -DC转换器
TC962
典型特征
电源电流与温度的关系
700
600
电源电流( μA )
500
400
300
200
100
0
–60 –40 –20
0 20 40 60 80 100 120 140
温度(℃)
10
1
10
100
1000
10,000
电容(pF)
V + = 15V
10k
TA = + 25°C
18
频率(kHz )
16
14
12
10
8
6
–60 –40 –20
0 20 40 60 80 100 120 140
温度(℃)
1
振荡器频率对丙
EXT
20
频率与温度
2
3
4
电源电流(mA )
频率(Hz)
1k
100
V + = 15V
输出电阻与温度的关系
80
输出电阻(
)
70
60
50
40
30
20
10
–60 –40 –20
V + = 15V IL = 20mA下
10
0
4.5
+
V = 5V IL = 3毫安
50
电流与齐纳电压
电源转换效率( % )
TA = + 25°C
电源转换效率 - 我
负载
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
8
16 24 32 40 48 56
64 72
80
供应
当前
效率
TA = + 25°C
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
负载电流(mA )
电流(mA )
40
30
20
5
6
7
0 20 40 60 80 100 120 140
温度(℃)
4.0
5.5
6.0
6.5
7.0
齐纳电压(V)
输出电阻与输入电压
110
100
输出电阻(
)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18
输入电压( V)
20
3mA
20mA
TA = + 25°C
8
TELCOM半导体,INC。的
4-41
M
特点
TC962
概述
该TC962是行业的高级版本
标准TC7662高电压的DC- DC转换器。
采用改进的设计技术和CMOS
建设, TC962可以输出高达80毫安
相对于7662的20毫安能力。
作为一个逆变器,该TC962可以放出来的电压高
如18V和低至3V ,而不需要外部
二极管。该装置的输出阻抗是低
28Ω (用适当的电容) ,电压转换
效率为99.9 %,且功率转换效率是
97%.
在一些所需的低电压端(引脚6)
TC7662的应用程序已经被淘汰。接地
该终端将增加一倍,从振荡频率
12kHz至24kHz的。这将允许使用更小的
电容器相同的输出电流和纹波,在
大多数应用。只有两个外部电容器
所需的逆变器应用。在事件的
外部时钟需要用来驱动TC962 (如
并联) ,直接驱动该引脚将导致
内部振荡器同步到外部时钟。
脚1,其被用作在7662试验针,是一种
在TC962参考电压稳压。该齐纳
( 6.4V为5mA )具有12Ω的动态阻抗为
旨在用于其中的TC962提供电流
至外部调节器电路和所需的基准
为稳压电路。 (见
第3.0节应用
信息) 。
在TC962是与LTC1044 , SI7661兼容
和ICL7662 。它应该在需要的设计中使用
更大的功率和/或输入少输出电压下降。
它提供了卓越的性能在ICL7660S 。
高电流电荷泵DC - DC转换器
引脚兼容TC7662 / ICL7662 / SI7661
高输出电流80毫安
无需外部二极管所需
宽工作电压范围为3V至18V
低输出阻抗28Ω典型。
无低压终端所需
应用齐片
OSC倍频插针选小
输出电容
应用
笔记本电脑
磁盘驱动器
过程仪表
P为主
控制器
器件选型表
部分
TC962COE
TC962CPA
TC962EPA
TC962IJA
TC962MJA
16引脚SOIC宽
8引脚塑料DIP
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
操作
温度。
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
套餐类型
16引脚SOIC宽
8引脚DIP
8引脚CERDIP
齐纳
8 V
DD
阴极1
C+ 2
TC962CPA
7 C
OSC
6 FREQ ×2
GND 3
TC962IJA
C– 4
TC962MJA
5 V
OUT
齐纳
阴极1
NC 2
C+ 3
NC 4
GND 5
NC 6
C– 7
NC 8
16 V
DD
15 NC
14 C
OSC
13 NC
TC962EPA
TC962COE
12 FREQ ×2
11 NC
10 V
OUT
9 NC
2002年Microchip的科技公司
DS21484B第1页
TC962
功能框图
8
FREQ ×2
OSC / C
定时
6
7
水平
P SW1
2
CAP +
I
I
V
DD
TC962
Q
+
F/F
C
Q
比较
与迟滞
水平
SW4
+
C
P
3
GND
齐纳
阴极
1
6.4V
V
REF
+
水平
OUT
SW2
4
CAP -
C
R
EXT
R
L
水平
SW3
5
V
OUT
DS21484B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC962
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压(V
DD
到GND) .............................. + 18V
输入电压的任何引脚
......................... (V
DD
0.3 )至(Ⅴ
SS
-0.3 ) (注1 )
目前进入任何引脚............................................ 10毫安
ESD保护................................................ ± 2000V
输出短路...........连拍(在5.5V输入)
封装功耗(T
A
70°C)
SOIC ................................................. ...... 760毫瓦
PDIP ................................................. ....... 730毫瓦
CERDIP ................................................. 800毫瓦
封装热阻
CERDIP , Rθ
J- á
......................................... 90 ° C / W
PDIP , Rθ
J- á
............................................ 140 ° C / W
工作温度范围
CPA , COE ....................................... 0 ° C至+ 70°C
IJA ................................................ - 25 ° C至+ 85°C
EPA .............................................. -40 ° C至+ 85°C
MJA ............................................ -55°C至+ 125°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC962电气规范
电气特性:
V
DD
= 15V ,T
A
= 25 ℃(参见图3-1) ,除非另有说明。
符号
V
DD
I
S
参数
电源电压
电源电流
V
DD
= 15V
3
93
99
96
6.0
V
+
典型值
510
560
650
190
210
210
32
35
12
24
97
99.9
6.2
12
最大
18
700
37
40
50
6.4
单位
V
A
测试条件
R
L
=
T
A
= +25°C
0
T
A
≤ +
70°C
-55°C
T
A
≤ +
125°C
T
A
= +25°C
0
T
A
≤ +
70°C
-55°C
T
A
≤ +
125°C
I
L
= 20mA时, V
DD
= 15V
I
L
= 80毫安,V
DD
= 15V
I
L
= 3mA电流, V
DD
= 5V
引脚6开
6脚GND
R
L
= 2k
R
L
=
整个温度范围内
I
Z
= 5毫安
I
L
= 2.5毫安到7.5毫安
V
DD
= 5V
R
O
输出源
阻力
振荡器频率
功率英法fi效率
电压英法fi效率
F
OSC
P
EFF
V
DEF
千赫
%
%
V
Z
Z
ZT
1:
齐纳电压
齐纳阻抗
V
连接的任何输入端电压高于
或小于接地可能引起破坏性的闩锁。所以建议不
从资源的投入,从外部电源供电之前被应用到"power了TC962的up" 。
2002年Microchip的科技公司
DS21484B第3页
TC962
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1:
PIN号
( 8引脚DIP )
( 8引脚CERDIP )
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
齐纳二极管阴极
C
+
GND
C
-
V
OUT
FREQ ×2
C
OSC
V
DD
阴极内部的齐纳二极管。
外部电容CP (泵盖)的积极的一面。
接地端子。
外部电容CP (泵盖)的消极的一面。
输出电压。
如果接地,频率加倍。
电容到地会降低频率。
输入电压。
描述
PIN号
( 16引脚SOIC )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
齐纳二极管阴极
NC
C
+
NC
GND
NC
C
-
NC
NC
V
OUT
NC
FREQ ×2
NC
C
OSC
NC
V
DD
阴极内部的齐纳二极管。
无连接。
描述
外部电容CP (泵盖)的积极的一面。
无连接。
接地端子。
无连接。
外部电容CP (泵盖)的消极的一面。
无连接。
无连接。
输出电压。
无连接。
如果接地,频率加倍。
无连接。
电容到地会降低频率。
无连接。
输入电压。
DS21484B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC962
3.0
3.1
应用信息
工作原理
内部的TC962 。接地引脚6将开启一个
电流源和双频率。这将
两倍的充电电流进入内部
电容器,以及任何电容器添加到引脚7 。
一个齐纳二极管已被添加到TC962用作
建立外部监管机构的参考。该齐纳
从引脚1运行到地面。
在TC962是电容泵(有时也称为
开关电容电路),其中4 MOSFET的
开关控制的充电和放电
电容。
该功能框图给出了开关
动作作品。 SW1和SW2被接通simulta-
neously ,充电
P
到电源电压V
IN
。这
假设MOSFET的在导通电阻
与电容串联的结果中的充电时间
(3时间常数)小于上一次提供
由振荡器频率,如下所示:
3 (R
DS ( ON)
C
P
) <
P
/(0.5 f
OSC
)
在下一周期中, SW1和SW2断开和后
所有被关闭的开关在很短的时间间隔(这
防止大电流而发生的交叉
导通) ,SW3和SW4被接通。充电
在C
P
随后被转移至C
R
,
但与极性
反转。
在这种方式,负电压被现在而得。
一个振荡器提供脉冲的触发器中,然后
馈送到一组电平移位器。这些电平转换
驱动各组开关中的二分之一的振荡器
频率。
该振荡器有两个引脚,控制的频率
振荡。 7脚可以有一个电容器补充说,是
返回到地面。这将降低的频率
振荡器通过增加电容的定时电容
3.2
闭锁
所有CMOS结构包含一个寄生SCR 。关怀
必须注意防止从去上面的任何输入或
该电源轨下方,或闭锁发生。结果
的闩锁,为V之间的有效短
DD
和V
SS
.
除非电源输入端具有电流限制此
闩锁现象会导致设备损坏。
(见
AN763闩锁保护的CMOS集成电路。 )
图3-1:
690
测试电路
I
S
NC
+ 10F
C
P
1
2
3
4
8
7
I
L
C
OSC
5
R
L
V+
(+5V)
TC962
V
OUT
(–5V)
C
R
+
10F
图3-2:
典型应用
SPLIT V +的一半
V+
1
V
D1
V
D2
V
OUT
= –V +
C
R1
10F
C
R
+
10F
+
V
OUT
=
2V + –2V
10F
V
OUT
=
V+
2
C
P
D
结合负转换器和乘法器正
V+
1
2
+ 10F 3
C
P2
4
C
P1
+
8
7
8
7
2
+
10F
3
4
TC962
6
5
+
TC962
6
5
降低输出阻抗由并联设备
V+
正电压倍增器
V+
1
2
C
P1
+ 10F
3
4
8
7
+ 10F
1
2
C
P2
3
4
8
7
1
2
3
4
V
OUT
C
R
+
10F
8
7
V
D1
V
D2
C
P
+ 10F
C
P
+
10F
V
OUT
=
2V +–2V
TC962
6
5
TC962
6
5
TC962
6
5
D
2002年Microchip的科技公司
DS21484B第5页
TC962
高电流电荷泵DC - DC转换器
产品特点:
引脚兼容TC7662 / ICL7662 / SI7661
高输出电流80毫安
无需外部二极管所需
宽工作电压范围为3V至18V
低输出阻抗28Ω典型。
无低压终端所需
应用齐片
OSC倍频插针选小
输出电容
概述:
该TC962是行业的高级版本
标准TC7662高电压的DC- DC转换器。
采用改进的设计技术和CMOS
建设, TC962可以输出高达80毫安
相对于7662的20毫安能力。
作为一个逆变器,该TC962可以放出来的电压高
如18V和低至3V ,而不需要外部
二极管。该装置的输出阻抗是低
28Ω (用适当的电容) ,电压转换
效率为99.9 %,且功率转换效率是
97%.
在一些所需的低电压端(引脚6)
TC7662的应用程序已经被淘汰。接地
该终端将增加一倍,从12振荡器频率
千赫到24千赫。这将允许使用更小的
电容器相同的输出电流和纹波,在
大多数应用。只有两个外部电容器
所需的逆变器应用。在事件的
外部时钟需要用来驱动TC962 (如
并联) ,直接驱动该引脚将导致
内部振荡器同步到外部时钟。
脚1,其被用作在7662试验针,是一种
在TC962参考电压稳压。该齐纳( 6.4V
5 mA)的有12一个动态阻抗,是
旨在用于其中的TC962的电流供给到
外部稳压器电路和一个参考是需要
调节器电路。 (见
第3.0节“应用
信息“
应用信息) 。
在TC962是与LTC1044 , SI7661兼容
和ICL7662 。它应该在需要的设计中使用
更大的功率和/或输入少输出电压下降。
它提供了卓越的性能在ICL7660S 。
应用范围:
笔记本电脑
磁盘驱动器
过程仪表
P为主
控制器
器件选型表
部分
TC962COE
TC962CPA
TC962EPA
TC962IJA
TC962MJA
16引脚SOIC宽
8引脚塑料DIP
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
操作
温度。
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
套餐类型
16引脚SOIC宽
8引脚DIP
8引脚CERDIP
齐纳
阴极1
C+ 2
TC962CPA
TC962EPA
GND 3
TC962IJA
– 4
C
TC962MJA
8 V
DD
7 C
OSC
6 FREQ ×2
5 V
OUT
齐纳
阴极1
NC 2
C+ 3
NC 4
GND 5
NC 6
C– 7
NC 8
16 V
DD
15 NC
14 C
OSC
13 NC
TC962COE
12 FREQ ×2
11 NC
10 V
OUT
9 NC
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21484D第1页
TC962
功能框图
8
FREQ ×2
OSC / C
定时
6
7
水平
P SW1
2
CAP +
I
I
V
DD
TC962
Q
+
F/F
C
Q
比较
与迟滞
水平
SW4
+
C
P
3
GND
齐纳
阴极
1
6.4V
V
REF
+
水平
OUT
SW2
4
CAP -
C
R
EXT
R
L
水平
SW3
5
V
OUT
DS21484D第2页
2001-2012 Microchip的科技公司
TC962
1.0
电动
特征
*条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压(V
DD
到GND) .............................. + 18V
输入电压的任何引脚
......................... (V
DD
0.3 )至(Ⅴ
SS
-0.3)
(注1 )
目前进入任何引脚........................................... 10毫安
ESD保护................................................ ± 2000V
输出短路...........连拍(在5.5V输入)
封装功耗(T
A
70°C)
SOIC ................................................. ...... 760毫瓦
PDIP ................................................. ....... 730毫瓦
CERDIP ................................................. 800毫瓦
封装热阻
CERDIP , Rθ
J- á
......................................... 90 ° C / W
PDIP , Rθ
J- á
............................................ 140 ° C / W
工作温度范围
CPA , COE ....................................... 0 ° C至+ 70°C
IJA ................................................ - 25 ° C至+ 85°C
EPA .............................................. -40 ° C至+ 85°C
MJA ............................................ -55°C至+ 125°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC962电气规范
电气特性:
V
DD
= 15V ,T
A
= 25 ° C(见图),除非另有说明。
符号
V
DD
I
S
参数
电源电压
电源电流
V
DD
= 15V
3
93
99
96
6.0
典型值
510
560
650
190
210
210
32
35
12
24
97
99.9
6.2
12
最大
18
700
37
40
50
6.4
单位
V
A
R
L
=
T
A
= +25°C
0
T
A
70°C
-55°C
T
A
125°C
T
A
= +25°C
0
T
A
70°C
-55°C
T
A
125°C
I
L
能力= 20 mA ,V
DD
= 15V
I
L
= 80 mA时, V
DD
= 15V
I
L
= 3毫安, V
DD
= 5V
引脚6开
6脚GND
R
L
= 2 k
R
L
=
整个温度范围内
I
Z
= 5毫安
I
L
= 2.5 mA至7.5毫安
测试条件
V
DD
= 5V
R
O
输出源
阻力
振荡器频率
功率英法fi效率
电压英法fi效率
F
OSC
P
EFF
V
DEF
千赫
%
%
V
Z
Z
ZT
1:
齐纳电压
齐纳阻抗
V
将任何输入端为V电压大于
+
或小于接地可能引起破坏性的闩锁。所以建议不
从外部电源供电来源输入应用之前, “电”的TC962的。
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21484D第3页
TC962
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1:
PIN号
( 8引脚DIP )
( 8引脚CERDIP )
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
齐纳二极管阴极
C
+
描述
阴极内部的齐纳二极管。
外部电容CP (泵盖)的积极的一面。
接地端子。
外部电容CP (泵盖)的消极的一面。
输出电压。
如果接地,频率加倍。
电容到地会降低频率。
输入电压。
GND
C
-
V
OUT
FREQ ×2
C
OSC
V
DD
PIN号
( 16引脚SOIC )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
齐纳二极管阴极
NC
C
+
描述
阴极内部的齐纳二极管。
无连接。
外部电容CP (泵盖)的积极的一面。
无连接。
接地端子。
无连接。
外部电容CP (泵盖)的消极的一面。
无连接。
无连接。
输出电压。
无连接。
如果接地,频率加倍。
无连接。
电容到地会降低频率。
无连接。
输入电压。
NC
GND
NC
C
-
NC
NC
V
OUT
NC
FREQ ×2
NC
C
OSC
NC
V
DD
DS21484D第4页
2001-2012 Microchip的科技公司
TC962
3.0
3.1
应用信息
工作原理
电流源和双频率。这将
两倍的充电电流进入内部
电容器,以及任何电容器添加到引脚7 。
一个齐纳二极管已被添加到TC962用作
建立外部监管机构的参考。该齐纳
从引脚1运行到地面。
在TC962是电容泵(有时也称为
开关电容电路),其中4 MOSFET的
开关控制的充电和放电
电容。
该功能框图给出了开关
动作作品。 SW1和SW2被接通同步对
ously ,充电
P
到电源电压V
IN
。这
假设MOSFET的在导通电阻
与电容串联的结果中的充电时间
(3时间常数)小于上一次提供
由振荡器频率,如下所示:
3 (R
DS ( ON)
C
P
) <
P
/(0.5 f
OSC
)
在下一周期中, SW1和SW2断开和后
所有被关闭的开关在很短的时间间隔(这
防止大电流而发生的交叉
导通) ,SW3和SW4被接通。充电
在C
P
随后被转移至C
R
,
但与极性
反转。
在这种方式,负电压被现在而得。
一个振荡器提供脉冲的触发器中,然后
馈送到一组电平移位器。这些电平转换
驱动各组开关中的二分之一的振荡器
频率。
该振荡器有两个引脚,控制的频率
振荡。 7脚可以有一个电容器补充说,是
返回到地面。这将降低的频率
振荡器通过增加电容的定时电容
内部的TC962 。接地引脚6将开启一个
3.2
闭锁
所有CMOS结构包含一个寄生SCR 。关怀
必须注意防止从去上面的任何输入或
在电源电压以下,会发生或闭锁。结果
的闩锁是V之间的有效短
DD
和V
SS
.
除非电源输入端具有电流限制此
闩锁现象会导致损坏
装置。 (见
AN763 ,闭锁保护MOSFET
驱动程序。 )
690
I
S
NC
+ 10
μF
1
2
C
P
3
4
8
7
I
L
C
OSC
5
R
L
V
OUT
(–5V)
C
R
+
10
μF
V+
(+5V)
TC962
图3-1:
测试电路
结合负转换器和乘法器正
V+
1
2
C
P2
+ 10
μF
3
4
C
P1
+
8
7
1
V
D1
V
D2
V
OUT
= –V +
C
R1
10
μF
+
V
OUT
=
2V + –2V
10
μF
2
+ 10
μF
C
P
3
4
SPLIT V +的一半
V+
8
7
TC962
6
5
+
TC962
6
5
V
OUT
=
10
μF
V+
2
D
C
R
+
降低输出阻抗由并联设备
V+
正电压倍增器
V+
1
2
C
P1
+ 10
μF
3
4
8
7
+ 10
μF
1
2
C
P2
3
4
8
7
1
2
3
4
V
OUT
C
R
+
10
μF
8
7
V
D1
V
D2
C
P
+ 10
μF
C
P
+
V
OUT
=
2V +–2V
10
μF
TC962
6
5
TC962
6
5
TC962
6
5
D
图3-2:
典型应用
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21484D第5页
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