TC75S58AFE/AFC
东芝CMOS线性集成电路硅单片
TC75S58AFE,TC75S58AFC
单比较器（漏极开路输出）
TC75S58AFE
该TC75S58AFE和TC75S58AFC是CMOS通用
单比较。该器件可从单电源供电
电压和被设计为一个较低的电源电流比
现有的通用双极比较器。的输出是
专为漏极开路输出，可以提供更高的电压
比电源。因此，有可能对上拉的
电压的电平比电源的更高。该
漏极开路输出可连接，或使用其他漏极开路
输出电路。
*输出电压应不超过最大额定值。
TC75S58AFC
特征
低电源电流：I
DD
= 10
μA
（典型值）。
单电源工作
宽共模输入电压： V
SS
到V
DD
0.9 V
漏极开路输出电路
低输入偏置电流
小型封装
CSON6-P-0.45
重量
SON5-P-0.50
：0.003克（典型值）。
CSON6 -P - 0.45 0.002克（典型值）。
记号
（ TOP VIEW ）
TC75S58AFE
5
4
引脚配置（顶视图）
TC75S58AFE
V
DD
5
OUT
4
TG
1
2
3
1
IN （ - ）
2
V
SS
3
IN （+）
TC75S58AFC
记号
6
5
4
TC75S58AFC
V
DD
6
NC
5
OUT
4
TG
1
2
3
每月指示
1
2
3
IN （ - ）
VSS
IN （+）
1
2009-01-16
TC75S58AFE/AFC
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
电源电压
差分输入电压
输入电压
输出电流
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
DD
, V
SS
DV
IN
V
IN
I
O
V
O
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
±3.5
或7
±7
V
SS
到V
DD
±35
V
SS
到V
SS
+ 7
TC75S58AFE
TC75S58AFC
100
100 （注1）
单位
V
V
V
mA
V
mW
°C
°C
40
85
55
到125
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注意：由于在CMOS结构，这种装置可以是易受闩锁。为了防止闩锁，请走
以下防范措施;
确保没有输入引脚的电压电平超过以往任何时候都Vdd或低于Vss的。此外，检查
电源接通定时。
不要使设备噪音过大。
（注
1 ） ： FR4电路板实现：
（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6吨，铜垫： 0.4毫米
2
)
2
2009-01-16
TC75S58AFE/AFC
电气特性
(V
DD
=
5 V, V
SS
=
GND ，TA
=
25°C)
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
电压增益
灌电流
输出漏电流
断态泄漏电流
输出低电压
工作电源电压范围
传播延迟
（打开）
传播延迟
（关）
响应时间
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
（注）
G
V
I
SINK
I
泄漏
I
关闭
V
OL
V
DD
t
PLH （1）
t
PLH （2）
t
PHL （ 1 ）
t
PHL （ 2 ）
t
TLH
t
THL
TEST
电路
V
OL
=
0.5 V
V
DD
=
5 V , V
O
=
5 V
V
DD
=
0 V , V
O
=
5 V
I
SINK
=
5.0毫安
在驱动器
=
100毫伏
TTL输入的步骤
在驱动器
=
100毫伏
TTL输入的步骤
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
测试条件
民
0
13
1.8
典型值。
±1
1
1
11
94
25
5
5
0.1
800
620
230
350
190
6
最大
±7
4.1
22
0.3
7.0
单位
mV
pA
pA
V
μA
dB
mA
nA
nA
V
V
ns
ns
ns
电气特性
(V
DD
=
3 V, V
SS
=
GND ，TA
=
25°C)
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
灌电流
输出漏电流
断态泄漏电流
输出低电压
传播延迟（打开）
传播延迟（关闭）
响应时间
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
（注）
I
SINK
I
泄漏
I
关闭
V
OL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
TEST
电路
V
OL
=
0.5 V
V
DD
=
3 V , V
O
=
3 V
V
DD
=
0 V , V
O
=
3 V
I
SINK
=
5.0毫安
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
测试条件
民
0
6
典型值。
±1
1
1
10
18
5
5
0.15
590
230
170
5
最大
±7
2.1
20
0.35
单位
mV
pA
pA
V
μA
mA
nA
nA
V
ns
ns
ns
注意：此设备随着其操作频率的增加的电流消耗。注意，功率
功耗不应超过允许的功率。
3
2009-01-16
TC75S58AFE/AFC
TC75S58AFE,TC75S58AFC
单比较器（漏极开路输出）
该TC75S58AFE和TC75S58AFC是CMOS通用
单比较。该器件可从单电源供电
电压和被设计为一个较低的电源电流比
现有的通用双极比较器。的输出是
专为漏极开路输出，可以提供更高的电压
比电源。因此，有可能对上拉的
电压的电平比电源的更高。该
漏极开路输出可连接，或使用其他漏极开路
输出电路。
*输出电压应不超过最大额定值
TC75S58AFC
TC75S58AFE
特征
低电源电流：I
DD
= 10
μA
（典型值）。
单电源工作
宽共模输入电压： V
SS
~V
DD
0.9 V
漏极开路输出电路
低输入偏置电流
小型封装
CSON6-P-0.45
重量
SON5-P-0.50
：0.003克（典型值）。
CSON6 -P - 0.45 0.002克（典型值）。
记号
（ TOP VIEW ）
TC75S58AFE
5
4
引脚配置（顶视图）
TC75S58AFE
V
DD
5
OUT
4
TG
1
2
3
1
IN （ - ）
2
V
SS
3
IN （+）
TC75S58AFC
记号
6
5
4
TC75S58AFC
V
DD
6
NC
5
OUT
4
TG
1
2
3
每月指示
1
2
3
IN （ - ）
VSS
IN （+）
1
2007-10-01
TC75S58AFE/AFC
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
电源电压
差分输入电压
输入电压
输出电流
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
DD
, V
SS
DV
IN
V
IN
I
O
V
O
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
±3.5
或7
±7
V
SS
~V
DD
±35
V
SS
~ V
SS
+ 7
TC75S58AFE
TC75S58AFC
100
100（Note1）
单位
V
V
V
mA
V
mW
°C
°C
40~85
55~125
注意：由于在CMOS结构，这种装置可以是易受闩锁。为了防止闩锁，请走
以下防范措施;
确保没有I / O引脚的电平超过以往任何时候都Vdd或低于Vss的。
电源接通定时。
此外，检查
不要使设备噪音过大。
（注1）
：FR4
在船上实施
（25.4mm
× 25.4毫米× 1.6吨，铜垫： 0.4毫米
2
）
2
2007-10-01
TC75S58AFE/AFC
电气特性
(V
DD
=
5 V, V
SS
=
GND ，TA
=
25°C)
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
电压增益
灌电流
输出漏电流
断态泄漏电流
输出低电压
工作电源电压范围
传播延迟
（打开）
传播延迟
（关）
响应时间
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
G
V
I
SINK
I
泄漏
I
关闭
V
OL
V
DD
t
PLH （1）
t
PLH （2）
t
PHL （ 1 ）
t
PHL （ 2 ）
t
TLH
t
THL
(注)
TEST
电路
V
OL
=
0.5 V
V
DD
=
5 V , V
O
=
5 V
V
DD
=
0 V , V
O
=
5 V
I
SINK
=
5.0毫安
在驱动器
=
100毫伏
TTL输入的步骤
在驱动器
=
100毫伏
TTL输入的步骤
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
测试条件
分钟。
0
13
1.8
典型值。
±1
1
1
11
94
25
5
5
0.1
800
620
230
350
190
6
马克斯。
±7
4.1
22
0.3
7.0
单位
mV
pA
pA
V
μA
dB
mA
nA
nA
V
V
ns
ns
ns
电气特性
(V
DD
=
3 V, V
SS
=
GND ，TA
=
25°C)
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压
电源电流
灌电流
输出漏电流
断态泄漏电流
输出低电压
传播延迟
（打开）
传播延迟
（关）
响应时间
符号
V
IO
I
IO
I
I
巨细胞病毒
IN
I
DD
（注）
I
SINK
I
泄漏
I
关闭
V
OL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
TEST
电路
V
OL
=
0.5 V
V
DD
=
3 V , V
O
=
3 V
V
DD
=
0 V , V
O
=
3 V
I
SINK
=
5.0毫安
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
在驱动器
=
100毫伏
测试条件
分钟。
0
6
典型值。
±1
1
1
10
18
5
5
0.15
590
230
170
5
马克斯。
±7
2.1
20
0.35
单位
mV
pA
pA
V
μA
mA
nA
nA
V
ns
ns
ns
注意：此设备随着其操作频率的增加的电流消耗。注意，功率
功耗不应超过允许的功率。
3
2007-10-01
QQ：2880707522 复制
