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TC74HCT573AP/AF
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HCT573AP,TC74HCT573AF
八D型锁存器具有三态输出
该TC74HCT573A是一个高速CMOS八进制锁存
与3态输出与制造的硅栅
2
MOS
技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道，同时保持CMOS低功耗。
它的输入与TTL ， NMOS和CMOS输出兼容
电压电平。
它的8位D型锁存器由一个锁存使能输入控制（ LE）的
及一个输出使能输入端（
OE
).
当
OE
输入为高时， 8输出处于高
阻抗状态。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
TC74HCT573AP
TC74HCT573AF
特点
高速：吨
pd
= 18 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 4
μA
（最大）在TA = 25℃
兼容TTL输出： V
IL
= 0.8 V（最大值）
V
IH
= 2.0 V（分钟）
输出驱动能力： 15输入通道负载
对称的输出阻抗： | I
OH
| = I
OL
= 6 MA（ MIN ）
平衡传输延迟：吨
PLH
t
PHL
引脚和功能与74LS573兼容
重量
DIP20-P-300-2.54A
SOP20-P-300-1.27A
：1.30克（典型值）。
0.22克（典型值）。
引脚分配
1
2007-10-01
TC74HCT573AP/AF
IEC逻辑符号
真值表
输入
OE
产量
D
X
X
L
H
Q
Z
Q
n
L
H
LE
X
L
H
H
H
L
L
L
X ：无关
Z：高阻
Q
n
： Q输出被锁存于当LE的输入取为低逻辑电平的时间。
系统框图
2
2007-10-01
TC74HCT573AP/AF
绝对最大额定值（注1 ）
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±20
±20
±35
±75
500 （ DIP ） （注2 ） / 180 （ SOP ）
65~150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注2： 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
工作范围（注）
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
t
r
, t
f
等级
4.5~5.5
0~V
CC
0~V
CC
40~85
0~500
单位
V
V
V
°C
ns
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
电气特性
DC特性
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
三态输出
FF-态电流
输入漏
当前
静态电源
当前
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OZ
I
IN
I
CC
I
C
测试条件
V
CC
(V)
I
OH
= 20 μA
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OH
= 6
mA
I
OL
=
20
μA
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
=
6毫安
OL
V
IN
=
V
IH
或V
IL
V
OUT
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
每输入： V
IN
=
0.5 V或2.4 V
其他输入： V
CC
或GND
4.5~5.5
4.5~5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
民
2.0
4.4
4.18
Ta
=
25°C
典型值。
4.5
4.31
0.0
0.17
最大
0.8
0.1
0.26
±0.5
±0.1
4.0
2.0
Ta
= 40~85°C
民
2.0
4.4
4.13
最大
0.8
0.1
0.33
±5.0
±1.0
40.0
2.9
单位
V
V
V
V
μA
μA
μA
mA
3
2007-10-01
TC74HCT573AP/AF
时序要求（输入： TR
=
tf
=
6 NS ）
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
最小脉冲宽度
（ LE）的
最小建立时间
（ DATA）的
最小保持时间
（ DATA）的
t
瓦特（H）的
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
Ta
=
25°C
典型值。
极限
15
14
10
9
5
5
Ta
=
40
~85°C
极限
19
17
13
11
5
5
ns
单位
t
s
ns
t
h
ns
AC特性
（输入：吨
r
=
t
f
=
6 NS ）
特征
符号
t
TLH
t
THL
测试条件
CL （PF ）V
CC
(V)
50
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
民
Ta
=
25°C
典型值。
7
6
19
17
24
22
17
14
22
20
18
15
23
20
18
16
5
10
38
最大
12
11
29
26
37
34
26
23
34
31
27
24
35
32
24
22
10
Ta
= 40~85°C
民
最大
15
14
36
33
46
43
33
29
43
39
34
30
44
40
30
28
10
ns
pF
pF
pF
ns
ns
ns
单位
输出转换时间
ns
传播延迟
时间
（ LE- Q）的
t
PLH
t
PHL
50
150
传播延迟
时间
（D- Q）的
t
PLH
t
PHL
50
150
输出使能时间
t
PZL
t
PZH
50
R
L
=
1 kΩ
150
输出禁止时间
输入电容
输出电容
功耗
电容
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
OUT
C
PD
（注）
R
L
=
1 kΩ
50
注意：
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到：
I
CC
（ OPR ）
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
而全碳
PD
件时。的闩锁操作可通过下面的等式来获得：
C
PD
（总）
=
25
+
13½n
4
2007-10-01
TC74HCT573AP/AF
包装尺寸
重量：1.30克（典型值）。
5
2007-10-01
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推荐型号
TGL41-150
TES5-1221
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