【TC51WHM516AXBN65,70暂定东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS2097152 - WO】,IC型号TC74ACT640FT,TC74ACT640FT PDF资料,TC74ACT640FT经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC51WHM516AXBN65,70

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

2097152 - WORD 16 - BIT的CMOS伪静态RAM

描述

该TC51WHM516AXBN是组织为33554432位伪静态随机存取存储器（ PSRAM ）

2,097,152字×16位。采用东芝的CMOS技术和先进的电路技术，它提供了高

密度，高速度和低功耗。该器件的工作单电源供电。该器件还具有类似SRAM的

W / R的定时，由此所述设备通过CE1 ，OE和WE异步控制。该装置具有页

访问操作。页面大小为8个字。该器件还支持深度掉电模式，实现低功耗

待机。

特点

16位组织为2,097,152字

2.6 3.3 V单电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

深度掉电模式：存储单元数据无效

页面操作模式：

第8个字的读操作

逻辑和SRAM读/写（ WE）引脚兼容

待机电流

待机

70

A

深度掉电待机

5

A

访问次数：

TC51WHM516AXBN

65

存取时间

CE1

存取时间

70

70纳秒

25纳秒

30纳秒

65纳秒

25纳秒

30纳秒

OE

存取时间

页面访问时间

包装：

P- TFBGA48-0607-0.75AZ （重量：

克典型值）。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1

A

B

C

D

E

F

G

H

2

OE

UB

I/O11

I/O12

I/O13

3

A0

A3

A5

A17

NC

A14

A12

A9

4

A1

A4

A6

A7

A16

A15

A13

A10

5

A2

CE1

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

6

CE2

I/O1

I/O3

VDD

VSS

I/O7

I/O8

A20

引脚名称

A0到A20

A0至A2

地址输入

网页地址输入

LB

I/O9

I/O10

VSS

VDD

I / O1到I / O16数据输入/输出

CE1

芯片使能输入

片选输入

写使能输入

输出使能输入

数据字节控制输入

动力

地

无连接

CE2

WE

OE

I / O15 I / O14

I/O16

A18

A19

A8

WE

A11

磅，

UB

V

DD

GND

NC

(FBGA48)

2002-08-22

1/11

TC51WHM516AXBN65,70

框图

CE

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

A18

A19

A20

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

数据输入

卜FF器

V

DD

GND

存储单元阵列

4,096

×

512

×

16

(33,554,432)

行地址

卜FF器

行地址

解码器

SENSE AMP

数据输出

卜FF器

CE

的I / O9到I / O16

D

OUT

高-Z

D

OUT

D

IN

无效

D

IN

高-Z

数据输入

卜FF器

列地址

解码器

刷新

地址

计数器

刷新

控制

列地址

卜FF器

控制信号A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8

发电机

WE

OE

UB

LB

CE1

CE

CE2

操作模式

模式

阅读（字）

阅读（低字节）

阅读（高字节）

写（字）

写（低字节）

写（高字节）

输出禁用

待机

深度掉电待机

注：L

=

低电平输入（V

IL

),

CE1

CE2

H

L

OE

WE

H

L

H

X

LB

L

H

L

H

X

UB

添加

X

I / O1到I / O8

D

OUT

D

OUT

高-Z

D

IN

D

IN

无效

高-Z

数据输出

卜FF器

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDSD

L

H

L

X

H

X

L

H

L

H

L

X

H

=

高层次的输入电压（V

IH

),

X

=

V

IH

或V

IL

高-Z

=

高阻抗

2002-08-22

2/11

TC51WHM516AXBN65,70

绝对最大额定值（见注1 ）

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR 。

T

STRG 。

T

SOLDER

P

D

I

OUT

电源电压

输入电压

输出电压

工作温度

储存温度

焊接温度（ 10秒）

功耗

短路输出电流

等级

价值

1.0

3.6

1.0

3.6

1.0

3.6

25

85

55

150

260

0.6

50

单位

V

°C

W

mA

DC推荐工作条件

（大

=

25 ° C至85°C ）

符号

V

DD

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

民

2.6

2.0

0.3*

典型值。

2.75

最大

3.3

V

DD

+

0.3*

0.4

V

单位

* : V

IH

（最大值）V

DD

+ 1.0V与10纳秒脉宽

V

IL

（最小值） -1.0 V与10纳秒脉宽

DC特性

（大

=

25 ° C至85°C ，V

DD

=

2.6 3.3 V ）（见注3 4 ）

符号

I

IL

I

LO

V

OH

V

OL

I

DDO1

I

DDO2

I

DDS

I

DDSD

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

工作电流

测试条件

V

IN

=

0 V至V

DD

输出禁用，V

OUT

=

0 V至V

DD

I

OH

=

0.5毫安

I

OL

=

1.0毫安

CE1

=

V

IL

民

1.0

2.0

t

RC

=

民

t

PC

=

民

典型值。

最大

+1.0

0.4

40

单位

A

V

mA

CE2

=

V

IH

, I

OUT

=

0毫安

CE1

=

V

IL

， CE2

=

V

IH

,

页面访问工作电流

待机电流（ MOS ）

深度掉电待机电流

页面中添加。骑自行车，我

OUT

=

0毫安

25

70

5

mA

A

CE1

=

V

DD

0.2 V ， CE2

=

V

DD

0.2 V

CE2

=

0.2 V

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

参数

输入电容

输出电容

测试条件

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

最大

10

单位

pF

注：此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-08-22

3/11

TC51WHM516AXBN65,70

交流特性和操作条件

（大

=

25 ° C至85°C ，V

DD

=

2.6 3.3 V ）（见注5 11）

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

BA

t

COE

t

OEE

t

BE

t

OD

t

ODO

t

BD

t

OH

t

PM

t

PC

t

AA

t

AOH

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

t

CS

t

CH

t

DPD

t

CHC

t

卫生防护中心

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（

CE1

）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

数据字节控制低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

数据字节控制高到输出高阻

输出数据保持时间

页面模式时间

页模式周期时间

页面模式地址访问时间

页面模式输出数据保持时间

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址有效到写结束

地址建立时间

写恢复时间

WE低到输出高阻

WE高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

CE2建立时间

CE2保持时间

CE2脉冲宽度

从CE2保持

CE1

从开机CE2保持

65

10

0

10

65

30

10

65

50

65

60

0

30

0

300

10

0

30

65

最大

10000

65

25

20

10000

30

10000

20

民

70

10

0

10

70

30

10

70

50

70

60

0

30

0

300

10

0

30

TC51WHM516AXBN

70

最大

10000

70

25

20

10000

30

10000

20

ns

s

ms

ns

s

单位

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

条件

30 pF的

+

1 TTL门

V

DD

0.2 V, 0.2 V

V

DD

×

0.5

V

DD

×

0.5

5纳秒

2002-08-22

4/11

TC51WHM516AXBN65,70

时序图

读周期

t

RC

地址

A0到A20

t

加

t

CO

CE1

t

OH

CE2

t

OE

解决-H

t

OD

t

ODO

WE

t

BA

UB

，磅

t

BE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

OEE

高阻

t

COE

不定

t

BD

有效的数据输出

高阻

PAGE读周期（ 8个字的访问）

t

PM

地址

A0至A2

地址

A3到A20

t

RC

t

PC

t

PC

t

PC

CE1

CE2

OE

解决-H

WE

UB

，磅

t

BA

t

OEE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

BE

高阻

t

COE

t

CO

t

加

t

OE

t

AOH

D

OUT

t

AA

D

OUT

t

AA

t

AOH

D

OUT

t

AOH

t

BD

t

OH

D

OUT

t

OD

高阻

t

AA

t

ODO

*最多8个字

2002-08-22

5/11

TC51WHM516AXBN65,70

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

2097152 - WORD 16 - BIT的CMOS伪静态RAM

描述

该TC51WHM516AXBN是组织为33554432位伪静态随机存取存储器（ PSRAM ）

2,097,152字×16位。采用东芝的CMOS技术和先进的电路技术，它提供了高

密度，高速度和低功耗。该器件的工作单电源供电。该器件还具有类似SRAM的

W / R的定时，由此所述设备通过CE1 ，OE和WE异步控制。该装置具有页

访问操作。页面大小为8个字。该器件还支持深度掉电模式，实现低功耗

待机。

特点

16位组织为2,097,152字

2.6 3.3 V单电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

深度掉电模式：存储单元数据无效

页面操作模式：

第8个字的读操作

逻辑和SRAM读/写（ WE）引脚兼容

待机电流

待机

70

A

深度掉电待机

5

A

访问次数：

TC51WHM516AXBN

65

存取时间

CE1

存取时间

70

70纳秒

25纳秒

30纳秒

65纳秒

25纳秒

30纳秒

OE

存取时间

页面访问时间

包装：

P- TFBGA48-0607-0.75AZ （重量：

克典型值）。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1

A

B

C

D

E

F

G

H

2

OE

UB

I/O11

I/O12

I/O13

3

A0

A3

A5

A17

NC

A14

A12

A9

4

A1

A4

A6

A7

A16

A15

A13

A10

5

A2

CE1

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

6

CE2

I/O1

I/O3

VDD

VSS

I/O7

I/O8

A20

引脚名称

A0到A20

A0至A2

地址输入

网页地址输入

LB

I/O9

I/O10

VSS

VDD

I / O1到I / O16数据输入/输出

CE1

芯片使能输入

片选输入

写使能输入

输出使能输入

数据字节控制输入

动力

地

无连接

CE2

WE

OE

I / O15 I / O14

I/O16

A18

A19

A8

WE

A11

磅，

UB

V

DD

GND

NC

(FBGA48)

2002-08-22

1/11

TC51WHM516AXBN65,70

框图

CE

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

A18

A19

A20

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

数据输入

卜FF器

V

DD

GND

存储单元阵列

4,096

×

512

×

16

(33,554,432)

行地址

卜FF器

行地址

解码器

SENSE AMP

数据输出

卜FF器

CE

的I / O9到I / O16

D

OUT

高-Z

D

OUT

D

IN

无效

D

IN

高-Z

数据输入

卜FF器

列地址

解码器

刷新

地址

计数器

刷新

控制

列地址

卜FF器

控制信号A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8

发电机

WE

OE

UB

LB

CE1

CE

CE2

操作模式

模式

阅读（字）

阅读（低字节）

阅读（高字节）

写（字）

写（低字节）

写（高字节）

输出禁用

待机

深度掉电待机

注：L

=

低电平输入（V

IL

),

CE1

CE2

H

L

OE

WE

H

L

H

X

LB

L

H

L

H

X

UB

添加

X

I / O1到I / O8

D

OUT

D

OUT

高-Z

D

IN

D

IN

无效

高-Z

数据输出

卜FF器

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDSD

L

H

L

X

H

X

L

H

L

H

L

X

H

=

高层次的输入电压（V

IH

),

X

=

V

IH

或V

IL

高-Z

=

高阻抗

2002-08-22

2/11

TC51WHM516AXBN65,70

绝对最大额定值（见注1 ）

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR 。

T

STRG 。

T

SOLDER

P

D

I

OUT

电源电压

输入电压

输出电压

工作温度

储存温度

焊接温度（ 10秒）

功耗

短路输出电流

等级

价值

1.0

3.6

1.0

3.6

1.0

3.6

25

85

55

150

260

0.6

50

单位

V

°C

W

mA

DC推荐工作条件

（大

=

25 ° C至85°C ）

符号

V

DD

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

民

2.6

2.0

0.3*

典型值。

2.75

最大

3.3

V

DD

+

0.3*

0.4

V

单位

* : V

IH

（最大值）V

DD

+ 1.0V与10纳秒脉宽

V

IL

（最小值） -1.0 V与10纳秒脉宽

DC特性

（大

=

25 ° C至85°C ，V

DD

=

2.6 3.3 V ）（见注3 4 ）

符号

I

IL

I

LO

V

OH

V

OL

I

DDO1

I

DDO2

I

DDS

I

DDSD

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

工作电流

测试条件

V

IN

=

0 V至V

DD

输出禁用，V

OUT

=

0 V至V

DD

I

OH

=

0.5毫安

I

OL

=

1.0毫安

CE1

=

V

IL

民

1.0

2.0

t

RC

=

民

t

PC

=

民

典型值。

最大

+1.0

0.4

40

单位

A

V

mA

CE2

=

V

IH

, I

OUT

=

0毫安

CE1

=

V

IL

， CE2

=

V

IH

,

页面访问工作电流

待机电流（ MOS ）

深度掉电待机电流

页面中添加。骑自行车，我

OUT

=

0毫安

25

70

5

mA

A

CE1

=

V

DD

0.2 V ， CE2

=

V

DD

0.2 V

CE2

=

0.2 V

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

参数

输入电容

输出电容

测试条件

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

最大

10

单位

pF

注：此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-08-22

3/11

TC51WHM516AXBN65,70

交流特性和操作条件

（大

=

25 ° C至85°C ，V

DD

=

2.6 3.3 V ）（见注5 11）

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

BA

t

COE

t

OEE

t

BE

t

OD

t

ODO

t

BD

t

OH

t

PM

t

PC

t

AA

t

AOH

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

t

CS

t

CH

t

DPD

t

CHC

t

卫生防护中心

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（

CE1

）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

数据字节控制低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

数据字节控制高到输出高阻

输出数据保持时间

页面模式时间

页模式周期时间

页面模式地址访问时间

页面模式输出数据保持时间

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址有效到写结束

地址建立时间

写恢复时间

WE低到输出高阻

WE高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

CE2建立时间

CE2保持时间

CE2脉冲宽度

从CE2保持

CE1

从开机CE2保持

65

10

0

10

65

30

10

65

50

65

60

0

30

0

300

10

0

30

65

最大

10000

65

25

20

10000

30

10000

20

民

70

10

0

10

70

30

10

70

50

70

60

0

30

0

300

10

0

30

TC51WHM516AXBN

70

最大

10000

70

25

20

10000

30

10000

20

ns

s

ms

ns

s

单位

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

条件

30 pF的

+

1 TTL门

V

DD

0.2 V, 0.2 V

V

DD

×

0.5

V

DD

×

0.5

5纳秒

2002-08-22

4/11

TC51WHM516AXBN65,70

时序图

读周期

t

RC

地址

A0到A20

t

加

t

CO

CE1

t

OH

CE2

t

OE

解决-H

t

OD

t

ODO

WE

t

BA

UB

，磅

t

BE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

OEE

高阻

t

COE

不定

t

BD

有效的数据输出

高阻

PAGE读周期（ 8个字的访问）

t

PM

地址

A0至A2

地址

A3到A20

t

RC

t

PC

t

PC

t

PC

CE1

CE2

OE

解决-H

WE

UB

，磅

t

BA

t

OEE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

BE

高阻

t

COE

t

CO

t

加

t

OE

t

AOH

D

OUT

t

AA

D

OUT

t

AA

t

AOH

D

OUT

t

AOH

t

BD

t

OH

D

OUT

t

OD

高阻

t

AA

t

ODO

*最多8个字

2002-08-22

5/11

TC51WHM516AXBN65,70

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

2097152 - WORD 16 - BIT的CMOS伪静态RAM

描述

该TC51WHM516AXBN是组织为33554432位伪静态随机存取存储器（ PSRAM ）

2,097,152字×16位。采用东芝的CMOS技术和先进的电路技术，它提供了高

密度，高速度和低功耗。该器件的工作单电源供电。该器件还具有类似SRAM的

W / R的定时，由此所述设备通过CE1 ，OE和WE异步控制。该装置具有页

访问操作。页面大小为8个字。该器件还支持深度掉电模式，实现低功耗

待机。

特点

16位组织为2,097,152字

2.6 3.3 V单电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

深度掉电模式：存储单元数据无效

页面操作模式：

第8个字的读操作

逻辑和SRAM读/写（ WE）引脚兼容

待机电流

待机

70

A

深度掉电待机

5

A

访问次数：

TC51WHM516AXBN

65

存取时间

CE1

存取时间

70

70纳秒

25纳秒

30纳秒

65纳秒

25纳秒

30纳秒

OE

存取时间

页面访问时间

包装：

P- TFBGA48-0607-0.75AZ （重量：

克典型值）。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1

A

B

C

D

E

F

G

H

2

OE

UB

I/O11

I/O12

I/O13

3

A0

A3

A5

A17

NC

A14

A12

A9

4

A1

A4

A6

A7

A16

A15

A13

A10

5

A2

CE1

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

6

CE2

I/O1

I/O3

VDD

VSS

I/O7

I/O8

A20

引脚名称

A0到A20

A0至A2

地址输入

网页地址输入

LB

I/O9

I/O10

VSS

VDD

I / O1到I / O16数据输入/输出

CE1

芯片使能输入

片选输入

写使能输入

输出使能输入

数据字节控制输入

动力

地

无连接

CE2

WE

OE

I / O15 I / O14

I/O16

A18

A19

A8

WE

A11

磅，

UB

V

DD

GND

NC

(FBGA48)

2002-08-22

1/11

TC51WHM516AXBN65,70

框图

CE

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

A18

A19

A20

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

数据输入

卜FF器

V

DD

GND

存储单元阵列

4,096

×

512

×

16

(33,554,432)

行地址

卜FF器

行地址

解码器

SENSE AMP

数据输出

卜FF器

CE

的I / O9到I / O16

D

OUT

高-Z

D

OUT

D

IN

无效

D

IN

高-Z

数据输入

卜FF器

列地址

解码器

刷新

地址

计数器

刷新

控制

列地址

卜FF器

控制信号A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8

发电机

WE

OE

UB

LB

CE1

CE

CE2

操作模式

模式

阅读（字）

阅读（低字节）

阅读（高字节）

写（字）

写（低字节）

写（高字节）

输出禁用

待机

深度掉电待机

注：L

=

低电平输入（V

IL

),

CE1

CE2

H

L

OE

WE

H

L

H

X

LB

L

H

L

H

X

UB

添加

X

I / O1到I / O8

D

OUT

D

OUT

高-Z

D

IN

D

IN

无效

高-Z

数据输出

卜FF器

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDSD

L

H

L

X

H

X

L

H

L

H

L

X

H

=

高层次的输入电压（V

IH

),

X

=

V

IH

或V

IL

高-Z

=

高阻抗

2002-08-22

2/11

TC51WHM516AXBN65,70

绝对最大额定值（见注1 ）

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR 。

T

STRG 。

T

SOLDER

P

D

I

OUT

电源电压

输入电压

输出电压

工作温度

储存温度

焊接温度（ 10秒）

功耗

短路输出电流

等级

价值

1.0

3.6

1.0

3.6

1.0

3.6

25

85

55

150

260

0.6

50

单位

V

°C

W

mA

DC推荐工作条件

（大

=

25 ° C至85°C ）

符号

V

DD

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

民

2.6

2.0

0.3*

典型值。

2.75

最大

3.3

V

DD

+

0.3*

0.4

V

单位

* : V

IH

（最大值）V

DD

+ 1.0V与10纳秒脉宽

V

IL

（最小值） -1.0 V与10纳秒脉宽

DC特性

（大

=

25 ° C至85°C ，V

DD

=

2.6 3.3 V ）（见注3 4 ）

符号

I

IL

I

LO

V

OH

V

OL

I

DDO1

I

DDO2

I

DDS

I

DDSD

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

工作电流

测试条件

V

IN

=

0 V至V

DD

输出禁用，V

OUT

=

0 V至V

DD

I

OH

=

0.5毫安

I

OL

=

1.0毫安

CE1

=

V

IL

民

1.0

2.0

t

RC

=

民

t

PC

=

民

典型值。

最大

+1.0

0.4

40

单位

A

V

mA

CE2

=

V

IH

, I

OUT

=

0毫安

CE1

=

V

IL

， CE2

=

V

IH

,

页面访问工作电流

待机电流（ MOS ）

深度掉电待机电流

页面中添加。骑自行车，我

OUT

=

0毫安

25

70

5

mA

A

CE1

=

V

DD

0.2 V ， CE2

=

V

DD

0.2 V

CE2

=

0.2 V

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

参数

输入电容

输出电容

测试条件

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

最大

10

单位

pF

注：此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-08-22

3/11

TC51WHM516AXBN65,70

交流特性和操作条件

（大

=

25 ° C至85°C ，V

DD

=

2.6 3.3 V ）（见注5 11）

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

BA

t

COE

t

OEE

t

BE

t

OD

t

ODO

t

BD

t

OH

t

PM

t

PC

t

AA

t

AOH

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

t

CS

t

CH

t

DPD

t

CHC

t

卫生防护中心

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（

CE1

）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

数据字节控制低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

数据字节控制高到输出高阻

输出数据保持时间

页面模式时间

页模式周期时间

页面模式地址访问时间

页面模式输出数据保持时间

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址有效到写结束

地址建立时间

写恢复时间

WE低到输出高阻

WE高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

CE2建立时间

CE2保持时间

CE2脉冲宽度

从CE2保持

CE1

从开机CE2保持

65

10

0

10

65

30

10

65

50

65

60

0

30

0

300

10

0

30

65

最大

10000

65

25

20

10000

30

10000

20

民

70

10

0

10

70

30

10

70

50

70

60

0

30

0

300

10

0

30

TC51WHM516AXBN

70

最大

10000

70

25

20

10000

30

10000

20

ns

s

ms

ns

s

单位

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

条件

30 pF的

+

1 TTL门

V

DD

0.2 V, 0.2 V

V

DD

×

0.5

V

DD

×

0.5

5纳秒

2002-08-22

4/11

TC51WHM516AXBN65,70

时序图

读周期

t

RC

地址

A0到A20

t

加

t

CO

CE1

t

OH

CE2

t

OE

解决-H

t

OD

t

ODO

WE

t

BA

UB

，磅

t

BE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

OEE

高阻

t

COE

不定

t

BD

有效的数据输出

高阻

PAGE读周期（ 8个字的访问）

t

PM

地址

A0至A2

地址

A3到A20

t

RC

t

PC

t

PC

t

PC

CE1

CE2

OE

解决-H

WE

UB

，磅

t

BA

t

OEE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

BE

高阻

t

COE

t

CO

t

加

t

OE

t

AOH

D

OUT

t

AA

D

OUT

t

AA

t

AOH

D

OUT

t

AOH

t

BD

t

OH

D

OUT

t

OD

高阻

t

AA

t

ODO

*最多8个字

2002-08-22

5/11

TC51WHM516AXBN65,70

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

2097152 - WORD 16 - BIT的CMOS伪静态RAM

描述

该TC51WHM516AXBN是组织为33554432位伪静态随机存取存储器（ PSRAM ）

2,097,152字×16位。采用东芝的CMOS技术和先进的电路技术，它提供了高

密度，高速度和低功耗。该器件的工作单电源供电。该器件还具有类似SRAM的

W / R的定时，由此所述设备通过CE1 ，OE和WE异步控制。该装置具有页

访问操作。页面大小为8个字。该器件还支持深度掉电模式，实现低功耗

待机。

特点

16位组织为2,097,152字

2.6 3.3 V单电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

深度掉电模式：存储单元数据无效

页面操作模式：

第8个字的读操作

逻辑和SRAM读/写（ WE）引脚兼容

待机电流

待机

70

A

深度掉电待机

5

A

访问次数：

TC51WHM516AXBN

65

存取时间

CE1

存取时间

70

70纳秒

25纳秒

30纳秒

65纳秒

25纳秒

30纳秒

OE

存取时间

页面访问时间

包装：

P- TFBGA48-0607-0.75AZ （重量：

克典型值）。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1

A

B

C

D

E

F

G

H

2

OE

UB

I/O11

I/O12

I/O13

3

A0

A3

A5

A17

NC

A14

A12

A9

4

A1

A4

A6

A7

A16

A15

A13

A10

5

A2

CE1

I/O2

I/O4

I/O5

I/O6

6

CE2

I/O1

I/O3

VDD

VSS

I/O7

I/O8

A20

引脚名称

A0到A20

A0至A2

地址输入

网页地址输入

LB

I/O9

I/O10

VSS

VDD

I / O1到I / O16数据输入/输出

CE1

芯片使能输入

片选输入

写使能输入

输出使能输入

数据字节控制输入

动力

地

无连接

CE2

WE

OE

I / O15 I / O14

I/O16

A18

A19

A8

WE

A11

磅，

UB

V

DD

GND

NC

(FBGA48)

2002-08-22

1/11

TC51WHM516AXBN65,70

框图

CE

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

A18

A19

A20

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

数据输入

卜FF器

V

DD

GND

存储单元阵列

4,096

×

512

×

16

(33,554,432)

行地址

卜FF器

行地址

解码器

SENSE AMP

数据输出

卜FF器

CE

的I / O9到I / O16

D

OUT

高-Z

D

OUT

D

IN

无效

D

IN

高-Z

数据输入

卜FF器

列地址

解码器

刷新

地址

计数器

刷新

控制

列地址

卜FF器

控制信号A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8

发电机

WE

OE

UB

LB

CE1

CE

CE2

操作模式

模式

阅读（字）

阅读（低字节）

阅读（高字节）

写（字）

写（低字节）

写（高字节）

输出禁用

待机

深度掉电待机

注：L

=

低电平输入（V

IL

),

CE1

CE2

H

L

OE

WE

H

L

H

X

LB

L

H

L

H

X

UB

添加

X

I / O1到I / O8

D

OUT

D

OUT

高-Z

D

IN

D

IN

无效

高-Z

数据输出

卜FF器

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

I

DDSD

L

H

L

X

H

X

L

H

L

H

L

X

H

=

高层次的输入电压（V

IH

),

X

=

V

IH

或V

IL

高-Z

=

高阻抗

2002-08-22

2/11

TC51WHM516AXBN65,70

绝对最大额定值（见注1 ）

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR 。

T

STRG 。

T

SOLDER

P

D

I

OUT

电源电压

输入电压

输出电压

工作温度

储存温度

焊接温度（ 10秒）

功耗

短路输出电流

等级

价值

1.0

3.6

1.0

3.6

1.0

3.6

25

85

55

150

260

0.6

50

单位

V

°C

W

mA

DC推荐工作条件

（大

=

25 ° C至85°C ）

符号

V

DD

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

民

2.6

2.0

0.3*

典型值。

2.75

最大

3.3

V

DD

+

0.3*

0.4

V

单位

* : V

IH

（最大值）V

DD

+ 1.0V与10纳秒脉宽

V

IL

（最小值） -1.0 V与10纳秒脉宽

DC特性

（大

=

25 ° C至85°C ，V

DD

=

2.6 3.3 V ）（见注3 4 ）

符号

I

IL

I

LO

V

OH

V

OL

I

DDO1

I

DDO2

I

DDS

I

DDSD

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

工作电流

测试条件

V

IN

=

0 V至V

DD

输出禁用，V

OUT

=

0 V至V

DD

I

OH

=

0.5毫安

I

OL

=

1.0毫安

CE1

=

V

IL

民

1.0

2.0

t

RC

=

民

t

PC

=

民

典型值。

最大

+1.0

0.4

40

单位

A

V

mA

CE2

=

V

IH

, I

OUT

=

0毫安

CE1

=

V

IL

， CE2

=

V

IH

,

页面访问工作电流

待机电流（ MOS ）

深度掉电待机电流

页面中添加。骑自行车，我

OUT

=

0毫安

25

70

5

mA

A

CE1

=

V

DD

0.2 V ， CE2

=

V

DD

0.2 V

CE2

=

0.2 V

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

参数

输入电容

输出电容

测试条件

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

最大

10

单位

pF

注：此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-08-22

3/11

TC51WHM516AXBN65,70

交流特性和操作条件

（大

=

25 ° C至85°C ，V

DD

=

2.6 3.3 V ）（见注5 11）

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

BA

t

COE

t

OEE

t

BE

t

OD

t

ODO

t

BD

t

OH

t

PM

t

PC

t

AA

t

AOH

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

t

CS

t

CH

t

DPD

t

CHC

t

卫生防护中心

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（

CE1

）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

数据字节控制低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

数据字节控制高到输出高阻

输出数据保持时间

页面模式时间

页模式周期时间

页面模式地址访问时间

页面模式输出数据保持时间

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址有效到写结束

地址建立时间

写恢复时间

WE低到输出高阻

WE高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

CE2建立时间

CE2保持时间

CE2脉冲宽度

从CE2保持

CE1

从开机CE2保持

65

10

0

10

65

30

10

65

50

65

60

0

30

0

300

10

0

30

65

最大

10000

65

25

20

10000

30

10000

20

民

70

10

0

10

70

30

10

70

50

70

60

0

30

0

300

10

0

30

TC51WHM516AXBN

70

最大

10000

70

25

20

10000

30

10000

20

ns

s

ms

ns

s

单位

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

条件

30 pF的

+

1 TTL门

V

DD

0.2 V, 0.2 V

V

DD

×

0.5

V

DD

×

0.5

5纳秒

2002-08-22

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TC51WHM516AXBN65,70

时序图

读周期

t

RC

地址

A0到A20

t

加

t

CO

CE1

t

OH

CE2

t

OE

解决-H

t

OD

t

ODO

WE

t

BA

UB

，磅

t

BE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

OEE

高阻

t

COE

不定

t

BD

有效的数据输出

高阻

PAGE读周期（ 8个字的访问）

t

PM

地址

A0至A2

地址

A3到A20

t

RC

t

PC

t

PC

t

PC

CE1

CE2

OE

解决-H

WE

UB

，磅

t

BA

t

OEE

D

OUT

I / O1到I / O16

t

BE

高阻

t

COE

t

CO

t

加

t

OE

t

AOH

D

OUT

t

AA

D

OUT

t

AA

t

AOH

D

OUT

t

AOH

t

BD

t

OH

D

OUT

t

OD

高阻

t

AA

t

ODO

*最多8个字

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