TC58FVT321/B321FT/XB-70,-10
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
32兆位（ 4M
×
8 BITS / 2M
×
16位） CMOS FLASH MEMORY
描述
该TC58FVT321 / B321是33554432位， 3.0 -V只读电可擦除和可编程闪存
组织为4,194,304字
×
8位或为2,097,152字
×
16位。该TC58FVT321 / B321功能命令
对于读取，编程和擦除操作，以方便与微处理器接口。该命令基于
JEDEC标准。在编程和擦除操作是在芯片自动执行。该
TC58FVT321 / B321还具有同步读/写操作，使数据可以写在读或
擦除操作。
特点
电源电压
V
DD
=
2.7 V~3.6 V
工作温度
Ta
= 40°C~85°C
组织
4M
×
8 BITS / 2M
×
16位
功能
同时读/写
自动编程，自动擦除
快速编程模式/加速模式
计划暂停/恢复
擦除挂起/恢复
数据查询/切换位
块保护，引导块保护
自动休眠，隐藏的ROM区支持
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
块擦除架构
8
×
8字节/ 63
×
64字节
BOOT BLOCK建筑
TC58FVT321FT / XB ：顶引导块
TC58FVB321FT / XB ：底部启动块
模式控制
兼容JEDEC标准的命令
擦除/编程周期
10
5
周期的典型。
存取时间
70纳秒
(C
L
： 30 pF的）
100纳秒
(C
L
： 100 pF的）
耗电量
10
A
（待机）
30毫安
（读操作）
15毫安
（编程/擦除操作）
包
TC58FVT321 / B321FT ：
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量：0.82 G）
TC58FVT321 / B321XB ：
P- TFBGA56-0710-0.80AZ （重量： 0.125克）
000630EBA1
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利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并避免
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2002-08-06 1/48
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