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TAS5121I
www.ti.com
SLES122 - 2004年9月
TM
数字放大器功率级
特点
100W的RMS功率(BTL )向4
用量少
超过10 %的THD + N
80瓦RMS功率( BTL )进入4
用量少
超过0.2 %的THD + N
0.09 %的THD + N为1 W进4
功率级效率大于90 %进入
4 Ω负载
自我保护设计
工业温度等级
36引脚封装PSOP3
3.3 -V数字接口
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
小型/微型组件系统
互联网音乐设备
描述
该TAS5121I是一个高性能,数字放大器
功率级可驱动4 Ω扬声器多达
100 W的TAS5121I的额定工作在
工业温度条件。该器件集成
的PurePath数字技术,可与使用
一个TI音频脉冲宽度调制(PWM)处理器
和简单的无源解调滤波器传递
高品质,高效率,数字音频amplifi-
阳离子。
该数字放大器的效率可以大于
高于90%,这取决于系统的设计。
过电流保护,过温保护,
和欠压保护内置到
TAS5121I ,维护设备和扬声器
针对故障状况可能会破坏系
统。
正常曝光输出功率
vs
H-桥电压
90
80
70
P
O
- 输出功率 - 含
4
应用
DVD接收器
家庭影院
总谐波失真+噪声
vs
动力
10
THD + N - 总谐波失真+噪声 - %
R
L
= 4
T
C
= 75°C
增益= 3分贝
1
60
6
50
40
30
20
8
6
0.1
4
8
0.01
0.1
1
P - 电力 - 含
G001
10
0
10
100
0
4
8
12
16
20
24
28
32
PVDD_X - H桥电压 - V
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath数字,使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年,德州仪器
TAS5121I
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
一般INFOMATION
端子分配
该TAS5121I是采用耐热增强型36引脚PSOP3 ( DKD )封装。在DKD包有
顶部散热垫。
DKD套餐
( TOP VIEW )
GND
PWM_BP
GND
RESET
DREG_RTN
GVDD
M3
DGND
M1
M2
DVDD
SD
DGND
OTW
GND
PWM_AP
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_B
GVDD_B
GND
BST_B
PVDD_B
PVDD_B
OUT_B
OUT_B
GND
GND
OUT_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
BST_A
GND
GVDD_A
GVDD_A
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
(1)
DVDD至DGND
GVDD_X到GND
PVDD_X至GND (直流电压)
PVDD_X到GND
(2)
OUT_X至GND (直流电压)
OUT_X到GND
(2)
BST_X至GND (直流电压)
BST_X TO
T
J
GND
(2)
PWM_XP , RESET , M1 , M2 , M3 , SD , OTW
最高结温范围
储存温度
0.3 V至4.2 V
14.2 V
33.5 V
48 V
33.5 V
48 V
46 V
53 V
0.3 V至DVDD + 0.3 V
-40 ° C至150℃
-40_C到125_C
(1)
(2)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止,并在规定的操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
持续时间应小于100纳秒(参见应用笔记
SLEA025).
2
TAS5121I
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订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
TAS5121IDKD
TAS5121IDKDR
传输介质
磁带和卷轴
描述
36引脚PSOP3
36引脚PSOP3
包装耗散额定值
36引脚DKD PSOP3
(1)
R
θJC
( ° C / W)
0.85
R
θJA
( ° C / W)
SEE
(1)
该TAS5121I包热增强型,使用裸露的金属焊盘面积传导冷却。是不切实际的使用
与垫的设备暴露于环境空气作为该装置的唯一的散热。
由此计算的r-
θJA
,表征热处理系统参数,是在所提供的
热信息
部分。这
信息应被用作基准来计算热量耗散率对于一个特定的应用程序。
终端功能
终奌站
名字
BST_A
BST_B
DGND
DREG_RTN
DVDD
GND
DKD
22
33
9, 14
8
5
12
1, 3, 16,
18, 21,
27, 28,
34
6
19, 20
35, 36
10
11
7
15
25, 26
29, 30
23, 24
31, 32
17
2
4
13
功能
(1)
P
P
P
P
P
P
P
描述
以OUT_A需要高侧自举( BST )供应,外部电阻和电容
以OUT_B需要高侧自举( BST )供应,外部电阻和电容
I / O参考地
数字供电电压稳压器去耦针, 1μF电容连接到DREG_RTN
解耦返回引脚
I / O参考电源输入: 100
到DREG ,去耦至GND , 0.1 μF电容连接到
GND
电源地线,连接到系统的GND
GVDD
GVDD_A
GVDD_B
M1
M2
M3
OTW
OUT_A
OUT_B
PVDD_A
PVDD_B
PWM_AP
PWM_BP
RESET
SD
(1)
P
P
P
I
I
I
O
O
O
P
P
I
I
I
O
当地GVDD去耦引脚
栅极驱动输入电压
栅极驱动输入电压
保护模式选择引脚连接到GND
保护模式选择引脚,连接到渣
输出模式选择引脚;连接到GND
超温报警输出,开漏内部上拉,低电平时温度
TURE超过115℃
输出,半桥一个
输出,半桥B
电源输入半桥一个
电源输入半桥B
PWM输入信号,半桥一个
PWM输入信号,半桥乙
复位信号,低电平有效
关闭信号的半桥A和B (漏极开路输出,内部上拉)
I =输入, O =输出, P =电源
3
TAS5121I
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功能框图
GVDD_A
GVDD_A
BST_A
OCH
DRIVE
定时
控制
GVDD_A
保护
DRIVE
OUT_A
PVDD_A
DVDD DREG
PWM_AP
PWM
接收器
DGND
GND
OCL
RESET
GVDD_B
GVDD_B
BST_B
OCH
DVDD
DVDD
定时
控制
GVDD_B
保护
DRIVE
DRIVE
OUT_B
PVDD_B
PWM_BP
PWM
接收器
DGND
GND
OCL
OTW
SD
保护
逻辑
OT
UVP
国内
连接的
到GVDD_x
GVDD
M1
M2
M3
DREG_RTN
4
TAS5121I
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推荐工作条件
DVDD
GVDD_X
PVDD_x
T
J
(1)
数字电源
(1)
供应的内部栅极驱动器和逻辑稳压
LATORS
半桥电源
结温
推荐用于DVDD必须通过连接一个100 Ω电阻渣。
相对于DGND
相对于GND
相对于GND ,R
L
= 4
3
10.8
0
0
3.3
12
30.5
最大
3.6
13.2
32
125
单位
V
V
V
°C
电气特性
PVDD_X = 30.5 V, GVDD_x = 12 V , DVDD相连,通过一个100 Ω电阻,R为渣
L
= 4
,
8X F
s
= 384千赫, TAS5026
PWM处理器,除非另有说明
典型
符号
参数
测试条件
T
A
=25°C
过温
T
A
=25°C
T
=
75°C
100
80
44
0.09
0.15
0.19
300
95
95
单位
MIN / TYP /
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
最大
典型值
典型值
AC性能, BTL模式, 1千赫
R
L
= 4
,
THD = 10% , AES17滤波器
P
O
输出功率
R
L
= 4
,
THD =正常曝光, AES17
滤波器
R
L
= 8
,
THD =正常曝光,
AD模式
P
O
= 1瓦/通道中,R
L
= 4
,
AES17滤波器
THD + N
总谐波失真+噪声
P
O
= 10W /通道中,R
L
= 4
,
AES17滤波器
P
O
= 80W /通道中,R
L
= 4
,
AES17滤波器
V
n
SNR
DR
输出集成噪声电压
信噪比
动态范围
A加权,R
L
= 4
,
20赫兹到
20千赫, AES17滤波器
A计权, AES17滤波器
F = 1 kHz时,为-60 dB , A加权,
AES17滤波器
W
W
W
%
%
%
V
dB
dB
内部稳压器和电流消耗
IGVDD_x
IDVDD
R
DSON , LS
R
DSON , HS
稳压器
总GVDD电源电流,
操作
DVDD电源电流,工作
前的导通电阻,低侧
前进的导通电阻,高边
I
o
= 1毫安
f
S
= 384 kHz时,无负载时, 50 %的占空
周期
f
S
= 384 kHz时,无负载
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
3.3
24
1
120
120
30
5
132
132
7
8.2
V
V
mA
mA
m
m
V
V
°C
°C
A
最大
最大
最大
最大
最大
最大
典型值
典型值
输出级的MOSFET
输入/输出保护
V
UVP ,G
OTW
OTE
OC
(1)
欠压保护的限制,
GVDD
过温报警
过热错误
过电流保护
STATIC
STATIC
SEE
(1)
.
7.6
115
150
9.5
为了优化器件性能和防止过电流(OC)保护激活时,解调滤波器的设计必须
特殊照顾。看
解调滤波器设计
应用信息
本数据手册的部分,并考虑推荐
电感器和电容器以获得最佳性能。同样重要的是要考虑的PCB设计和布局的最佳性能
TAS5121I.
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TAS5121IDKDE4
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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Texas Instruments
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10000
-
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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Texas Instruments
24+
30000
-
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TAS5121IDKDE4
-
22+
32570
NA
全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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TI
14+
672200
HSSOP-36
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83258002
联系人:林
地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
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电话:0755-83223957 83247340
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只做原装正品假一罚十 可开增值税发票
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