TC55VBM316AFTN/ASTN40,55
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
524,288 ，一个字一个16位/ 1048576 - WORD 8位全CMOS静态RAM
描述
该TC55VBM316AFTN / ASTN是（SRAM）组织为524288一8388608位的静态随机存取存储器
字由16位/ 1,048,576字由8位。采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造这一点，
器件采用单2.3至3.6 V电源供电。先进的电路技术提供了高速和
低功率为3毫安/ MHz的工作电流为40 ns的最小循环时间。它会自动放置在
在0.7的低功耗模式下
A
待机电流（在V
DD
=
3 V ，TA
=
25 ° C，典型值）时，芯片使能（ CE1 ）被置
高或（ CE2 ）被置为低电平。有三个控制输入。 CE1和CE2分别用于选择设备和用于
数据保持控制，并输出使能（OE ）提供了快速存储器的访问。数据字节控制引脚（ LB ， UB ）
提供了下限和上限字节访问。该装置非常适合于各种微处理器系统的应用
其中，高速，低功率和备用电池是必需的。并且，与工作保证极端
的温度范围内
40°
到85℃时， TC55VBM316AFTN / ASTN可以在表现出极端的环境中使用
温度条件。该TC55VBM316AFTN / ASTN可在一个塑料48引脚薄小外形封装
（ TSOP ） 。
特点
低功耗
操作： 9毫瓦/兆赫（典型值）
2.3 3.6 V单电源电压
使用CE1和CE2关机功能
1.5 3.6 V数据保持电源电压
所有的输入和输出直接TTL兼容
宽工作温度范围
40°
至85℃
待机电流（最大） ：
3.6 V
3.0 V
10
A
5
A
访问时间（最大） ：
TC55VBM316AFTN/ASTN
40
存取时间
CE1
存取时间
55
55纳秒
55纳秒
55纳秒
30纳秒
40纳秒
40纳秒
40纳秒
25纳秒
CE2
OE
存取时间
存取时间
包装：
TSOPⅠ48 -P - 1220-0.50 （ AFTN ） （重量： 0.51克典型值）
TSOPⅠ48 -P - 1214-0.50 （ ASTN ） （重量： 0.36克典型值）
引脚分配
（ TOP VIEW ）
48引脚TSOP
引脚名称
A0~A18
1
48
A-1~A18
CE1
， CE2
地址输入（字模式）
地址输入（字节模式）
芯片使能
读/写控制
OUTPUT ENABLE
数据字节控制
数据输入/输出
字节（ '8模式）启动
动力
地
无连接
选项
读/写
OE
磅，
UB
24
（普通）
25
I/O1~I/O16
字节
V
DD
GND
NC
OP *
*： OP引脚必须开路或连接到GND 。
PIN号
引脚名称
PIN号
引脚名称
PIN号
引脚名称
1
A15
17
A17
33
I/O3
2
A14
18
A7
34
I/O11
3
A13
19
A6
35
I/O4
4
A12
20
A5
36
I/O12
5
A11
21
A4
37
V
DD
6
A10
22
A3
38
I/O5
7
A9
23
A2
39
8
A8
24
A1
40
9
NC
25
A0
41
10
NC
26
CE1
11
读/写
27
GND
43
12
CE2
28
OE
13
OP
29
I/O1
14
UB
15
LB
31
I/O2
16
A18
32
I/O10
48
A16
30
I/O9
42
44
I / O13 I / O6
I / O14 I / O7
I / O15 I / O8
45
46
47
I / O16 GND
字节
/A-1
2002-08-05
1/15
TC55VBM316AFTN/ASTN40,55
（大
=
40 °至85° C，V
DD
=
2.7至3.6 V ）
读周期
TC55VBM316AFTN/ASTN
符号
参数
民
t
RC
t
加
t
CO1
t
CO2
t
OE
t
BA
t
COE
t
OEE
t
BE
t
OD
t
ODO
t
BD
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（
CE1
）访问时间
芯片使能（ CE2 ）访问时间
输出启用访问时间
数据字节的控制访问时间
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
数据字节控制低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
数据字节控制高到输出高阻
输出数据保持时间
40
5
0
5
10
40
最大
40
40
40
25
40
20
20
20
民
55
5
0
5
10
55
最大
55
55
55
30
55
25
25
25
ns
单位
交流特性和操作条件
写周期
TC55VBM316AFTN/ASTN
符号
参数
民
t
WC
t
WP
t
CW
t
BW
t
AS
t
WR
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH
注意：
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据字节的控制来写结束
地址建立时间
写恢复时间
R / W低到输出高阻
R / W高到输出有效
数据建立时间
数据保持时间
40
30
35
35
0
0
0
20
0
40
最大
20
民
55
40
45
45
0
0
0
25
0
55
最大
25
ns
单位
t
OD
, t
ODO
, t
BD
和T
ODW
中时的输出变成高阻抗的时间被指定，并且根据所判断出没有
的输出电压电平。
2002-08-05
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TC55VBM316AFTN/ASTN40,55
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
524,288 ，一个字一个16位/ 1048576 - WORD 8位全CMOS静态RAM
描述
该TC55VBM316AFTN / ASTN是（SRAM）组织为524288一8388608位的静态随机存取存储器
字由16位/ 1,048,576字由8位。采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造这一点，
器件采用单2.3至3.6 V电源供电。先进的电路技术提供了高速和
低功率为3毫安/ MHz的工作电流为40 ns的最小循环时间。它会自动放置在
在0.7的低功耗模式下
A
待机电流（在V
DD
=
3 V ，TA
=
25 ° C，典型值）时，芯片使能（ CE1 ）被置
高或（ CE2 ）被置为低电平。有三个控制输入。 CE1和CE2分别用于选择设备和用于
数据保持控制，并输出使能（OE ）提供了快速存储器的访问。数据字节控制引脚（ LB ， UB ）
提供了下限和上限字节访问。该装置非常适合于各种微处理器系统的应用
其中，高速，低功率和备用电池是必需的。并且，与工作保证极端
的温度范围内
40°
到85℃时， TC55VBM316AFTN / ASTN可以在表现出极端的环境中使用
温度条件。该TC55VBM316AFTN / ASTN可在一个塑料48引脚薄小外形封装
（ TSOP ） 。
特点
低功耗
操作： 9毫瓦/兆赫（典型值）
2.3 3.6 V单电源电压
使用CE1和CE2关机功能
1.5 3.6 V数据保持电源电压
所有的输入和输出直接TTL兼容
宽工作温度范围
40°
至85℃
待机电流（最大） ：
3.6 V
3.0 V
10
A
5
A
访问时间（最大） ：
TC55VBM316AFTN/ASTN
40
存取时间
CE1
存取时间
55
55纳秒
55纳秒
55纳秒
30纳秒
40纳秒
40纳秒
40纳秒
25纳秒
CE2
OE
存取时间
存取时间
包装：
TSOPⅠ48 -P - 1220-0.50 （ AFTN ） （重量： 0.51克典型值）
TSOPⅠ48 -P - 1214-0.50 （ ASTN ） （重量： 0.36克典型值）
引脚分配
（ TOP VIEW ）
48引脚TSOP
引脚名称
A0~A18
1
48
A-1~A18
CE1
， CE2
地址输入（字模式）
地址输入（字节模式）
芯片使能
读/写控制
OUTPUT ENABLE
数据字节控制
数据输入/输出
字节（ '8模式）启动
动力
地
无连接
选项
读/写
OE
磅，
UB
24
（普通）
25
I/O1~I/O16
字节
V
DD
GND
NC
OP *
*： OP引脚必须开路或连接到GND 。
PIN号
引脚名称
PIN号
引脚名称
PIN号
引脚名称
1
A15
17
A17
33
I/O3
2
A14
18
A7
34
I/O11
3
A13
19
A6
35
I/O4
4
A12
20
A5
36
I/O12
5
A11
21
A4
37
V
DD
6
A10
22
A3
38
I/O5
7
A9
23
A2
39
8
A8
24
A1
40
9
NC
25
A0
41
10
NC
26
CE1
11
读/写
27
GND
43
12
CE2
28
OE
13
OP
29
I/O1
14
UB
15
LB
31
I/O2
16
A18
32
I/O10
48
A16
30
I/O9
42
44
I / O13 I / O6
I / O14 I / O7
I / O15 I / O8
45
46
47
I / O16 GND
字节
/A-1
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TC55VBM316AFTN/ASTN40,55
（大
=
40 °至85° C，V
DD
=
2.7至3.6 V ）
读周期
TC55VBM316AFTN/ASTN
符号
参数
民
t
RC
t
加
t
CO1
t
CO2
t
OE
t
BA
t
COE
t
OEE
t
BE
t
OD
t
ODO
t
BD
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（
CE1
）访问时间
芯片使能（ CE2 ）访问时间
输出启用访问时间
数据字节的控制访问时间
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
数据字节控制低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
数据字节控制高到输出高阻
输出数据保持时间
40
5
0
5
10
40
最大
40
40
40
25
40
20
20
20
民
55
5
0
5
10
55
最大
55
55
55
30
55
25
25
25
ns
单位
交流特性和操作条件
写周期
TC55VBM316AFTN/ASTN
符号
参数
民
t
WC
t
WP
t
CW
t
BW
t
AS
t
WR
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH
注意：
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据字节的控制来写结束
地址建立时间
写恢复时间
R / W低到输出高阻
R / W高到输出有效
数据建立时间
数据保持时间
40
30
35
35
0
0
0
20
0
40
最大
20
民
55
40
45
45
0
0
0
25
0
55
最大
25
ns
单位
t
OD
, t
ODO
, t
BD
和T
ODW
中时的输出变成高阻抗的时间被指定，并且根据所判断出没有
的输出电压电平。
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