TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS ？
262,144字×16位静态RAM
描述
该TC554161AFT是组织为262,144字由一个16位4,194,304位静态随机存取存储器（ SRAM ） 。
采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该器件采用5V单电源工作
±
10%
电源。先进的电路技术，以10的工作电流同时提供高速和低功耗
毫安/ MHz（典型值）和70 ns的最小周期时间。 2它会自动放置在低功耗模式
mA
待机
电流（典型值）时，芯片使能（
CE
）被置为高电平。有两个控制输入。
CE
用于选择的装置
和数据保留控制和输出使能（
OE
）提供了快速内存访问。数据字节控制引脚（
LB
,
UB
）提供了下限和上限字节访问。该装置非常适合于各种微处理器系统的应用
其中，高速，低功率和备用电池是必需的。该TC554161AFT可在一个塑料54针
薄小外形封装（ TSOP ） 。
特点
·
·
·
·
·
·
低功耗
操作： 55毫瓦/兆赫（典型值）
5 V单电源电压
±
10%
使用关机功能
CE
.
2数据保持电源电压为5.5 V
所有的输入和输出直接TTL兼容
待机电流（最大） ：
TC554161AFT
-70,-85,-10
5.5 V
3.0 V
100
mA
50
mA
-70L,-85L,-10L
50
mA
25
mA
·
访问时间（最大） ：
TC554161AFT
-70,-70L
存取时间
CE
存取时间
OE
存取时间
-85,-85L
85纳秒
85纳秒
45纳秒
-10,-10L
100纳秒
100纳秒
50纳秒
70纳秒
70纳秒
35纳秒
·
包装：
TSOP II54 -P - 400-0.80 （ AFT ） （重量： 0.57克典型值）
引脚分配
（ TOP VIEW ）
NC
A3
A2
A1
A0
I/O16
I/O15
V
DD
GND
I/O14
I/O13
UB
CE
OP
读/写
I/O12
I/O11
GND
V
DD
I/O10
I/O9
NC
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
A4
A5
A6
A7
NC
I/O1
I/O2
V
DD
GND
I/O3
I/O4
LB
OE
OP
NC
I/O5
I/O6
GND
V
DD
I/O7
I/O8
A8
A9
A10
A11
A12
NC
引脚名称
A0~A17
I/O1~I/O16
CE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
读/写控制
OUTPUT ENABLE
数据字节控制
电源（ + 5V）
地
无连接
选项
读/写
OE
LB
,
UB
V
DD
GND
NC
OP *
*:
OP引脚必须是开放的连接到GND 。
（正常的引脚）
2001-08-17
1/10
TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
框图
CE
A0
A1
A2
A3
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
行地址
卜FF器
行地址
注册
行地址
解码器
存储单元阵列
2,048
128
16
(4,194,304)
V
DD
GND
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
I/O16
SENSE AMP
数据
产量
卜FF器
数据
输入
卜FF器
列地址
解码器
COLUMN ADDERSS
注册
列地址
卜FF器
CE
A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10
时钟
发电机
读/写
OE
UB
LB
CE
CE
最大额定值
符号
V
DD
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
OPR
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
储存温度
工作温度
等级
价值
-
0.3~7.0
-
0.3
*
~7.0
-
0.5~V
DD
+
0.5
数据
产量
卜FF器
数据
输入
卜FF器
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0.6
260
-
55~150
0~70
*
:
-
为3.0 V时，在30ns的一个脉冲宽度测量
2001-08-17
2/10
TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
DC推荐工作条件
（大
=
0°至70℃ ）
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
DH
*
:
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
数据保持电源电压
民
4.5
2.2
-
0.3
*
典型值
5.0
最大
5.5
V
DD
+
0.3
0.8
5.5
单位
V
V
V
V
2.0
-
3.0 V时为30 ns的脉冲宽度测量
DC特性
（大
=
0 °至70° C，V
DD
=
5 V
±
10%)
符号
I
IL
I
LO
I
OH
I
OL
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电流
输出低电流
V
IN
=
0 V~V
DD
CE
=
V
IH
或读/写
=
V
IL
or
OE
=
V
IH
, V
OUT
=
0 V~V
DD
测试条件
民
-
1.0
典型值
最大
±
1.0
±
1.0
单位
m
A
m
A
V
OH
=
2.4 V
V
OL
=
0.4 V
CE
=
V
IL
和读/写
=
V
IH
,
I
OUT
=
0毫安，
其他输入
=
V
IH
/V
IL
mA
mA
2.1
t
周期
=
70纳秒
t
周期
=
85纳秒， 100纳秒
t
周期
=
1
m
s
110
100
I
DDO1
工作电流
I
DDO2
mA
15
t
周期
=
70纳秒
CE
=
0.2 V和R / W
=
V
DD
-
0.2 V,
I
OUT
=
0毫安，
t
周期
=
85纳秒， 100纳秒
其他输入
=
V
DD
-
0.2 V/0.2 V
t
周期
=
1
m
s
CE
=
V
IH
100
90
mA
10
I
DDS1
3
mA
-70,-85,-10
待机电流
I
DDS2
CE
=
V
DD
-
0.2 V,
V
DD
=
2.0 V~5.5 V
Ta
=
25°C
Ta
=
0~70°C
Ta
=
25°C
Ta
=
0~70°C
2
100
5
50
m
A
2
-70L,-85L,-10L
电容
（大
=
25 ° C，F
=
1兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
注意：
参数
输入电容
输出电容
V
IN
=
GND
V
OUT
=
GND
测试条件
最大
10
10
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
2001-08-17
3/10
TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
经营模式
模式
CE
OE
读/写
LB
UB
I/O1~I/O8
产量
高-Z
产量
输入
高-Z
输入
高-Z
I/O9~I/O16
产量
产量
高-Z
输入
输入
高-Z
高-Z
高-Z
动力
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDS
L
读
L
L
H
H
L
L
写
L
*
L
L
H
L
L
H
*
L
H
L
L
输出取消
L
待机
*
=不关心
H =逻辑高
L =逻辑低
H
*
*
H
*
*
*
H
*
H
*
H
高-Z
2001-08-17
4/10
TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
交流特性和操作条件
（大
=
0 °至70° C，V
DD
=
5 V
±
10%)
读周期
TC554161AFT
符号
参数
-70,-70L
民
t
RC
t
加
t
CO
t
OE
t
BA
t
OH
t
COE
t
OEE
t
BE
t
OD
t
ODO
t
BD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
数据字节的控制访问时间
输出数据保持时间
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
数据字节控制低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
数据字节控制高到输出高阻
70
-85,-85L
民
85
-10,-10L
民
100
单位
最大
最大
最大
70
70
35
35
85
85
45
45
100
100
50
50
10
10
5
5
10
10
5
5
10
10
5
5
ns
25
25
25
30
30
30
35
35
35
写周期
TC554161AFT
符号
参数
-70,-70L
民
t
WC
t
WP
t
CW
t
BW
t
AS
t
WR
t
DS
t
DH
t
OEW
t
ODW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据字节的控制来写结束
地址建立时间
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
R / W高到输出有效
R / W低到输出高阻
70
50
60
50
0
0
30
0
5
-85,-85L
民
85
55
70
55
0
0
35
0
5
-10,-10L
民
100
60
80
60
0
0
40
0
5
单位
最大
最大
最大
ns
25
30
35
AC测试条件
参数
输出负载
输入脉冲电平
定时测量
参考电平
t
R
, t
F
测试条件
100 pF的
+
1 TTL门
0.6 V, 2.4 V
1.5 V
1.5 V
5纳秒
2001-08-17
5/10
TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS ？
262,144字×16位静态RAM
描述
该TC554161AFT是组织为262,144字由一个16位4,194,304位静态随机存取存储器（ SRAM ） 。
采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该器件采用5V单电源工作
±
10%
电源。先进的电路技术，以10的工作电流同时提供高速和低功耗
毫安/ MHz（典型值）和70 ns的最小周期时间。 2它会自动放置在低功耗模式
mA
待机
电流（典型值）时，芯片使能（
CE
）被置为高电平。有两个控制输入。
CE
用于选择的装置
和数据保留控制和输出使能（
OE
）提供了快速内存访问。数据字节控制引脚（
LB
,
UB
）提供了下限和上限字节访问。该装置非常适合于各种微处理器系统的应用
其中，高速，低功率和备用电池是必需的。该TC554161AFT可在一个塑料54针
薄小外形封装（ TSOP ） 。
特点
·
·
·
·
·
·
低功耗
操作： 55毫瓦/兆赫（典型值）
5 V单电源电压
±
10%
使用关机功能
CE
.
2数据保持电源电压为5.5 V
所有的输入和输出直接TTL兼容
待机电流（最大） ：
TC554161AFT
-70,-85,-10
5.5 V
3.0 V
100
mA
50
mA
-70L,-85L,-10L
50
mA
25
mA
·
访问时间（最大） ：
TC554161AFT
-70,-70L
存取时间
CE
存取时间
OE
存取时间
-85,-85L
85纳秒
85纳秒
45纳秒
-10,-10L
100纳秒
100纳秒
50纳秒
70纳秒
70纳秒
35纳秒
·
包装：
TSOP II54 -P - 400-0.80 （ AFT ） （重量： 0.57克典型值）
引脚分配
（ TOP VIEW ）
NC
A3
A2
A1
A0
I/O16
I/O15
V
DD
GND
I/O14
I/O13
UB
CE
OP
读/写
I/O12
I/O11
GND
V
DD
I/O10
I/O9
NC
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
A4
A5
A6
A7
NC
I/O1
I/O2
V
DD
GND
I/O3
I/O4
LB
OE
OP
NC
I/O5
I/O6
GND
V
DD
I/O7
I/O8
A8
A9
A10
A11
A12
NC
引脚名称
A0~A17
I/O1~I/O16
CE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
读/写控制
OUTPUT ENABLE
数据字节控制
电源（ + 5V）
地
无连接
选项
读/写
OE
LB
,
UB
V
DD
GND
NC
OP *
*:
OP引脚必须是开放的连接到GND 。
（正常的引脚）
2001-08-17
1/10
TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
框图
CE
A0
A1
A2
A3
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
行地址
卜FF器
行地址
注册
行地址
解码器
存储单元阵列
2,048
128
16
(4,194,304)
V
DD
GND
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
I/O16
SENSE AMP
数据
产量
卜FF器
数据
输入
卜FF器
列地址
解码器
COLUMN ADDERSS
注册
列地址
卜FF器
CE
A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10
时钟
发电机
读/写
OE
UB
LB
CE
CE
最大额定值
符号
V
DD
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
OPR
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
储存温度
工作温度
等级
价值
-
0.3~7.0
-
0.3
*
~7.0
-
0.5~V
DD
+
0.5
数据
产量
卜FF器
数据
输入
卜FF器
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0.6
260
-
55~150
0~70
*
:
-
为3.0 V时，在30ns的一个脉冲宽度测量
2001-08-17
2/10
TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
DC推荐工作条件
（大
=
0°至70℃ ）
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
DH
*
:
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
数据保持电源电压
民
4.5
2.2
-
0.3
*
典型值
5.0
最大
5.5
V
DD
+
0.3
0.8
5.5
单位
V
V
V
V
2.0
-
3.0 V时为30 ns的脉冲宽度测量
DC特性
（大
=
0 °至70° C，V
DD
=
5 V
±
10%)
符号
I
IL
I
LO
I
OH
I
OL
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电流
输出低电流
V
IN
=
0 V~V
DD
CE
=
V
IH
或读/写
=
V
IL
or
OE
=
V
IH
, V
OUT
=
0 V~V
DD
测试条件
民
-
1.0
典型值
最大
±
1.0
±
1.0
单位
m
A
m
A
V
OH
=
2.4 V
V
OL
=
0.4 V
CE
=
V
IL
和读/写
=
V
IH
,
I
OUT
=
0毫安，
其他输入
=
V
IH
/V
IL
mA
mA
2.1
t
周期
=
70纳秒
t
周期
=
85纳秒， 100纳秒
t
周期
=
1
m
s
110
100
I
DDO1
工作电流
I
DDO2
mA
15
t
周期
=
70纳秒
CE
=
0.2 V和R / W
=
V
DD
-
0.2 V,
I
OUT
=
0毫安，
t
周期
=
85纳秒， 100纳秒
其他输入
=
V
DD
-
0.2 V/0.2 V
t
周期
=
1
m
s
CE
=
V
IH
100
90
mA
10
I
DDS1
3
mA
-70,-85,-10
待机电流
I
DDS2
CE
=
V
DD
-
0.2 V,
V
DD
=
2.0 V~5.5 V
Ta
=
25°C
Ta
=
0~70°C
Ta
=
25°C
Ta
=
0~70°C
2
100
5
50
m
A
2
-70L,-85L,-10L
电容
（大
=
25 ° C，F
=
1兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
注意：
参数
输入电容
输出电容
V
IN
=
GND
V
OUT
=
GND
测试条件
最大
10
10
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
2001-08-17
3/10
TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
经营模式
模式
CE
OE
读/写
LB
UB
I/O1~I/O8
产量
高-Z
产量
输入
高-Z
输入
高-Z
I/O9~I/O16
产量
产量
高-Z
输入
输入
高-Z
高-Z
高-Z
动力
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDS
L
读
L
L
H
H
L
L
写
L
*
L
L
H
L
L
H
*
L
H
L
L
输出取消
L
待机
*
=不关心
H =逻辑高
L =逻辑低
H
*
*
H
*
*
*
H
*
H
*
H
高-Z
2001-08-17
4/10
TC554161AFT-70,-85,-10,-70L,-85L,-10L
交流特性和操作条件
（大
=
0 °至70° C，V
DD
=
5 V
±
10%)
读周期
TC554161AFT
符号
参数
-70,-70L
民
t
RC
t
加
t
CO
t
OE
t
BA
t
OH
t
COE
t
OEE
t
BE
t
OD
t
ODO
t
BD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
数据字节的控制访问时间
输出数据保持时间
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
数据字节控制低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
数据字节控制高到输出高阻
70
-85,-85L
民
85
-10,-10L
民
100
单位
最大
最大
最大
70
70
35
35
85
85
45
45
100
100
50
50
10
10
5
5
10
10
5
5
10
10
5
5
ns
25
25
25
30
30
30
35
35
35
写周期
TC554161AFT
符号
参数
-70,-70L
民
t
WC
t
WP
t
CW
t
BW
t
AS
t
WR
t
DS
t
DH
t
OEW
t
ODW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据字节的控制来写结束
地址建立时间
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
R / W高到输出有效
R / W低到输出高阻
70
50
60
50
0
0
30
0
5
-85,-85L
民
85
55
70
55
0
0
35
0
5
-10,-10L
民
100
60
80
60
0
0
40
0
5
单位
最大
最大
最大
ns
25
30
35
AC测试条件
参数
输出负载
输入脉冲电平
定时测量
参考电平
t
R
, t
F
测试条件
100 pF的
+
1 TTL门
0.6 V, 2.4 V
1.5 V
1.5 V
5纳秒
2001-08-17
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