TC2054/2055/2186
50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO的
具有关断功能和错误输出
特点
低电源电流（ μA 55典型值）的长
电池寿命
低压差： 140 mV（典型值） @
150毫安
高输出电压精度： ± 0.4 ％ （典型值）
标准或定制输出电压
节能关断模式
错误输出可以用作低电池
检测器或处理器复位发生器
快速关机响应时间： 60 μs（典型值）
过流和过热保护
节省空间的5引脚SOT- 23A封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
标准输出电压选项：
- 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V,
3.3V, 5.0V
概述
该TC2054 ， TC2055和TC2186是高精度
（典型值为± 0.4 ％ ） CMOS升级为老年人（双极）
低压差稳压器。特别设计
电池供电的系统中，设备的总供给
电流通常为55 μA，在满负荷下（ 20到60倍
比双极型稳压器低） 。
该器件的主要特性包括低噪音运行，
低压差 - 一般为45毫伏（ TC2054 ） ; 90毫伏
（ TC2055 ） ;和140毫伏（ TC2186 ）在满负荷 - 和快速
响应阶跃变化的负载。一个错误输出
（错误）置位时，器件
外的调节（由于低输入电压或
过度的输出电流）。电源电流降低到
0.5 μA （最大值）和两个V
OUT
和误差
当关断输入为低电平禁用。该器件
还采用过流和过温
保护。
该TC2054 ， TC2055和TC2186是稳定的，
1 μF的低ESR陶瓷输出电容，并有一个
为50 mA最大输出电流为100 mA和
150毫安分别。该LDO系列还采用了
从发布时的快速响应时间（ 60微秒典型值）
关机。
应用
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSMS / PHS电话
寻呼机
套餐类型
5引脚SOT- 23A
顶视图
V
OUT
5
错误
4
TC2054
TC2055
TC2186
1
1M
典型用途
1 V
IN
1 F
2
V
OUT
5
V
IN
V
OUT
1 F
GND
TC2054
TC2055
TC2186
4
2
3
V
IN
错误
GND SHDN
3
SHDN
错误
关断控制
（从功率控制逻辑）
2009年Microchip的科技公司
DS21663D第1页
TC2054/2055/2186
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定条件下长时间我
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压........................ （ -0.3 ）至（v
IN
+ 0.3)
工作温度.................. -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度......................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
电气规格
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125 ° C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
符号
V
IN
I
OUTMAX
民
2.7
50
100
150
输出电压
V
OUT
温度
系数
线路调整
负载调整率
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/
ΔV
IN
ΔV
OUT
/
V
OUT
—
—
—
-1.0
-2.0
—
—
—
—
电源电流
关断电源电流
电源抑制
比
输出短路电流
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUTSC
—
—
—
160
典型值
—
—
—
—
20
40
0.05
0.33
0.43
2
45
90
140
55
0.05
50
300
最大
6.0
—
—
—
V
—
—
0.5
+1.0
+2.0
—
70
140
210
80
0.5
—
—
A
A
dB
mA
TC2185
注7：
SHDN = V
IH
, I
L
=0
SHDN = 0V
F
RE
≤
100千赫
V
OUT
= 0V
mV
%
%
(V
R
+ 1V ） < V
IN
＆ LT ; 6V
TC2054 ， TC2055我
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
TC2186
注6
输入输出电压差，
注7：
V
IN
– V
OUT
I
L
= 100 A
I
L
= 50毫安
TC2015 ; TC2185我
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
单位
V
mA
注1
TC2054
TC2055
TC2186
注2
PPM /°C的
注3
条件
V
R
- 2.0% V
R
± 0.4% V
R
+ 2.0%
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
= 2.7V和V
IN
= V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V.
TCV
OUT
=
6
(
V
–
V
) ×
10
OUTMAX
outmin
-----------------------------------------------------------------------------------------
V
× ΔT
OUT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内1.0 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
7:
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压降到2％低于其标称
在1V差值。
8:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
9:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
perature和热阻从结点到空气中（即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
).
10:
滞后电压由V引用
R
.
11:
需要对时间
OUT
要达到95 ％的V
R
（输出电压设置） ，V后
SHDN
从0切换为V
IN
.
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DS21663D第3页
TC2054/2055/2186
电气连接特定的阳离子（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125 ° C的结温。
参数
热调节
热关断模
温度
输出噪声
响应时间
（从关断模式）
SHDN输入
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
错误输出
最小V
IN
操作
电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
V
OUT
为ERROR延迟
抵制错误
GND
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
V
INMIN
V
OL
V
TH
V
HYS
t
延迟
R
错误
1.0
—
—
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
2
126
—
400
—
—
—
—
V
mV
V
mV
ms
Ω
I
OL
- 0.1毫安
1毫安流动出错，
I
OL
= 1毫安， V
IN
= 2V
SEE
图4-2
注10
V
OUT
从V
R
= 3V至2.8V
V
DD
= 2.5V, V
OUT
= 2.5V
V
IH
V
IL
60
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
V
IN
= 2.5V至6.0V
V
IN
= 2.5V至6.0V
符号
ΔV
OUT /
ΔP
D
T
SD
eN
t
R
民
—
—
—
—
典型值
0.04
160
600
60
最大
—
—
—
—
单位
V / W
°C
内华达州/
√Hz的
s
I
L
= I
OUTMAX
， F = 10千赫
V
IN
= 4V
C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 10 F
I
L
= 0.1毫安，
注11
注8
条件
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
= 2.7V和V
IN
= V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V.
TCV
OUT
=
6
(
V
–
V
) ×
10
OUTMAX
outmin
-----------------------------------------------------------------------------------------
V OUT
× ΔT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内1.0 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
7:
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压降到2％低于其标称
在1V差值。
8:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
9:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
perature和热阻从结点到空气中（即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
).
10:
滞后电压由V引用
R
.
11:
需要对时间
OUT
要达到95 ％的V
R
（输出电压设置） ，V后
SHDN
从0切换为V
IN
.
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至+ 6.0V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围：
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻：
热阻， 5引脚SOT- 23
θ
JA
—
255
—
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
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TC2054/2055/2186
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
OUT
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
10
10
100
100
1000
1,000
10k
10,000
100k
100,000
1M
1,000,000
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
I
OUT
= 100 A
C
OUT
= 1 μF陶瓷
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
I
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 10 μF的陶瓷
10
10
100
100
1000
1,000
10k
10,000
100k
100,000
1M
1,000,000
F（赫）
F（赫）
图2-1：
比。
电源抑制
图2-4：
比。
0
电源抑制
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
10
10
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
I
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 1 μF陶瓷
100
100
1,000
1000
10,000
10k
100,000
100k
1,000,000
1M
I
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 10 μF钽电容
10
10
100
100
1000
1,000
10k
10,000
100k
100,000
1M
1,000,000
F（赫）
F（赫）
图2-2：
比。
电源抑制
图2-5：
比。
0.160
电源抑制
10
噪声（μV/
√
赫兹）
1
DOV （ V）
V
OUT
= 1.8V
0.140
0.120
C
OUT
= 1 F
0.100
0.080
0.060
T = 130℃
T = -45℃
中T = 25℃
0.1
0.01
0.001
0.01
0.040
0.020
0.1
1
10
频率（kHz ）
100
1000
0.000
0
50
100
150
I
负载
（MA ）
图2-3：
输出噪声和频率。
图2-6：
压差 - 我
负载
.
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