TC4426
TC4427
TC4428
1.5A双高速，功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
高峰值输出电流1.5A ...............................
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
高容性负载
驱动能力........................ 1000 pF的25纳秒
短延迟时间................................ <40nsec典型值
一致的延迟时间的变化
电源电压
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入.................................... 4毫安
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 400
A
低输出阻抗....................................... 7
闭锁保护：可承受>0.5A
反向电流.................................下到 - 5V
输入端可承受的负输入端
ESD保护................................................ .....为4kV
引脚排列相同TC426 / TC427 / TC428
1
概述
的TC4426 / 4428分之4427得到改进的版本
早期TC426 / 428分之427家庭缓冲/驱动器（与
它们是引脚兼容的） 。他们不会在任何闭锁
在其功率和电压的条件。他们是
不受最多时的噪声尖峰5V （中损坏
任一极性）上发生的接地插针。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，高达反向500mA的
电流（无论极性）被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护，免受高达4kV的
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC4426 / 4428分之4427可以很容易地
开关1000 pF的栅极电容下30nsec ，并
提供足够低的阻抗，同时在开和关
国家确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响，即使是大的瞬变。
其它兼容的驱动程序是TC4426A / 27A / 28A 。
这些司机都匹配的输入到输出的前沿
和下降沿延迟， TD1和TD2 ，用于处理短
宽度的脉冲，在25毫微秒范围内。他们是针
与TC4426兼容/ 28分之27 。
功能框图
V
DD
反相
输出
2
3
4
5
产量
s
s
s
s
s
订购信息
产品型号
TC4426COA
TC4426CPA
TC4426EOA
TC4426EPA
TC4426MJA
TC4427COA
TC4427CPA
TC4427EOA
TC4427EPA
TC4427MJA
TC4428COA
TC4428CPA
TC4428EOA
TC4428EPA
TC4428MJA
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
300毫伏
同相
输出
6
7
输入
4.7V
TC4426/TC4427/TC4428
GND
有效投入
C≤ 12 pF的
注意事项：
1.TC4426有2个反相驱动器; TC4427拥有2相驱动器。
2. TC4428有一个反相和同相1驱动程序。
3，地面未使用的驱动器输入。
8
TC4426/7/8-8
10/21/96
TELCOM半导体，INC。的
4-245
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中。 （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
销刀豆网络gurations
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2
7
8 NC
7 OUT A
TC4426
6 V
DD
5 OUT B
TC4427
6 VDD
5 OUT B
TC4428
6 VDD
5 OUT B
2,4
7,5
2,4
7,5
4
5
反相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
同相
迪FF erential
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
—
—
—
—
—
7
1.5
—
—
0.8
1
—
0.025
10
—
—
V
V
A
V
V
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
30
微秒
占空比
≤
2%
t
≤
30
微秒
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
19
19
20
40
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
电源
I
S
注意：
1.切换的时间由设计保证。
4-246
TELCOM半导体，INC。的
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
电气特性（续） ：
技术指标测量在工作温度
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
2.4
—
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
—
—
—
—
—
9
1.5
—
—
0.8
10
—
0.025
12
—
—
V
V
A
V
V
A
A
1
范围4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
民
典型值
最大
单位
参数
测试条件
2
3
4
5
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
300sec
值班cycle≤ 2 ％
t
≤
300sec
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
40
40
60
8
0.6
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
电源
I
S
注意：
1.切换的时间由设计保证。
10
–8
9
8
7
6
5
交叉能量损失
+5V
输入
0V
10%
tD1
90%
90%
VDD = 18V
4.7 F
0.1 F
tF
tD2
A秒
4
3
输入
VDD
产量
tR
90%
6
2,4
5,7
0V
产量
10%
10%
2
CL = 1000 pF的
反相驱动器
6
t
F
+5V
输入
90%
10
–9
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
3
0V
VDD
输入： 100 kHz时，方波，
TRISE = TFALL
≤
10ns
10%
90%
90%
tD2
10%
tD1
热降额曲线
1600
1400
8引脚DIP
8引脚CERDIP
1000
800
8引脚SOIC
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
产量
0V
10%
tR
MAX 。功率（ mW）的
同相驱动器
7
1200
图1.开关时间测试电路
注意：
在此图中的数值表示看到两位车手在包丢失
在一个完整的周期。对于单个驱动器，除以2的规定值，对于一个
单个驱动器的单个过渡，除以4所述值。
环境温度（ ℃）
8
TELCOM半导体，INC。的
4-247
TC4426
TC4427
TC4428
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
高峰值输出电流1.5A ...............................
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
高容性负载
驱动能力.......................... 1000pF的在25nsec
短延迟时间.............................. < 40nsec典型。
一致的延迟时间的变化
电源电压
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入.................................... 4毫安
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 400
A
低输出阻抗....................................... 7
闭锁保护.............可承受>0.5A
反向电流.................................下到 - 5V
输入端可承受的负输入端
ESD保护................................................ .....为4kV
引脚排列相同TC426 / TC427 / TC428
概述
的TC4426 / 4428分之4427得到改进的版本
早期TC426 / 428分之427家庭缓冲/驱动器（与
它们是引脚兼容的） 。他们不会在任何闭锁
在其功率和电压的条件。他们是
不受最多时的噪声尖峰5V （中损坏
任一极性）上发生的接地插针。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，高达500反向毫安
电流（无论极性）被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护，免受高达4kV的
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC4426 / 4428分之4427可以很容易地
切换1000pF的栅极电容下30nsec ，并
提供足够低的阻抗，同时在开和关
国家确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响，即使是大的瞬变。
其它兼容的驱动程序是TC4426A / 27A / 28A 。
这些司机都匹配的输入到输出的前沿
和下降沿延迟， TD1和TD2 ，用于处理短
宽度的脉冲，在25毫微秒范围内。他们是引脚相容
IBLE与TC4426 / 28分之27 。
功能框图
V
DD
反相
输出
s
s
s
s
s
订购信息
产品型号
TC4426COA
TC4426CPA
TC4426EOA
TC4426EPA
TC4426MJA
TC4427COA
TC4427CPA
TC4427EOA
TC4427EPA
TC4427MJA
TC4428COA
TC4428CPA
TC4428EOA
TC4428EPA
TC4428MJA
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
300毫伏
产量
同相
输出
输入
4.7V
TC4426/TC4427/TC4428
GND
有效投入
C≤ 12 pF的
注意事项：
1.TC4426有2个反相驱动器; TC4427拥有2相驱动器。
2. TC4428有一个反相和同相1驱动程序。
3，地面未使用的驱动器输入。
2001 Microchip的技术公司
DS21422A
TC4426/7/8-8
10/21/96
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中。 （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
销刀豆网络gurations
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2
7
8 NC
7 OUT A
TC4426
6 V
DD
5 OUT B
TC4427
6 VDD
5 OUT B
TC4428
6 VDD
5 OUT B
2,4
7,5
2,4
7,5
4
5
反相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
同相
迪FF erential
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
参数
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
测试条件
民
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
典型值
—
—
—
—
—
7
1.5
—
最大
—
0.8
1
—
0.025
10
—
—
单位
V
V
A
V
V
A
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
30sec
占空比
≤
2%
t
≤
30
微秒
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
2
开关时间
（注1 ）
t
R
上升时间
t
F
下降时间
t
D1
延迟时间
t
D2
延迟时间
电源
I
S
电源电流
—
—
—
—
—
—
19
19
20
40
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
TC4426/7/8-8
10/21/96
2001 Microchip的技术公司
DS21422A
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
电气特性：
技术指标测量在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
测试条件
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
参数
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
民
2.4
—
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
典型值
—
—
—
—
—
9
1.5
—
最大
—
0.8
10
—
0.025
12
—
—
单位
V
V
A
V
V
A
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
300sec
值班cycle≤ 2 ％
t
≤
300sec
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
上升时间
t
F
下降时间
t
D1
延迟时间
t
D2
延迟时间
电源
I
S
电源电流
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
40
40
60
8
0.6
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
–8
10
9
8
7
6
5
交叉能量损失
+5V
输入
0V
10%
90%
A秒
4
3
VDD = 18V
4.7 F
0.1 F
tD1
90%
tF
tD2
VDD
tR
90%
产量
6
2
输入
2,4
5,7
0V
10%
10%
产量
CL = 1000 pF的
反相驱动器
+5V
–9
10
90%
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
3
输入
0V
VDD
输入： 100 kHz时，方波，
TRISE = TFALL
≤
10ns
10%
90%
90%
tD2
10%
热降额曲线
1600
1400
8引脚DIP
8引脚CERDIP
1000
800
8引脚SOIC
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
tD1
产量
0V
10%
tR
t
F
MAX 。功率（ mW）的
1200
同相驱动器
图1.开关时间测试电路
注意：
在此图中的数值表示看到两位车手在包丢失
在一个完整的周期。对于单个驱动器，除以2的规定值，对于一个
单个驱动器的单个过渡，除以4所述值。
环境温度（ ℃）
2001 Microchip的技术公司
DS21422A
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