TC426
TC427
TC428
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
特点
s
高速开关（C
L
= 1000pF的） ........... 30nsec
s
高峰值输出电流1.5A .................................
s
高输出电压摆幅.................. V
DD
= 25mV的
GND + 25mV的
s
低输入电流（逻辑"0"或"1" ） ................ 1
A
s
TTL / CMOS兼容输入
s
可在反相和同相
CON连接gurations
s
宽工作电源电压............ 4.5V至18V
s
消耗电流
- 输入低............................................... ... 0.4毫安
- 输入高............................................... ..... 8毫安
s
单电源供电
s
低输出阻抗6Ω ........................................
s
DS0026和MMH0026的引脚排列等效
s
闭锁耐药：可承受> 500毫安
反向电流
s
ESD保护................................................ 2kV的......
销刀豆网络gurations
（拨及SOIC ）
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
2, 4
7, 5
1
概述
该TC426 / TC427 / TC428是双CMOS高速
驱动程序。一个TTL / CMOS输入电压电平转换成
轨到轨输出电压电平摆幅。 CMOS输出
内的地面或正电源25毫伏。
低阻抗，高电流驱动器输出摆幅
一个1000pF的负载18V的30nsec 。独特的电流和
电压驱动特性使TC426 / TC427 / TC428理想
功率MOSFET驱动器，线路驱动器和直流 - 直流
转换器的构建块。
输入逻辑信号可以等于电源电压
年龄。输入电流低至1μA ，从而直接接口
CMOS /双极开关模式电源控制IC POS-
sible ，以及集电极开路的模拟比较器。
静态电源电流为8毫安最大。该
TC426要求1/5引脚兼容的连接双极的电流
拉尔DS0026设备。这是重要的，直流 - 直流转换
变频器应用的功率效率的制约和
高频开关模式电源的应用程序。机更
escent电流通常6毫安驱动1000pF的负载时，
18V在100kHz 。
反相TC426驱动程序是引脚兼容的
双极DS0026和MMH0026设备。该TC427是
同相;在TC428中包含一个反相和非
反相驱动器。
其它引脚兼容的驱动程序家族是TC1426 /
27/28 ， TC4426 / 27 /28，和TC4426A / 27A / 28A 。
2
3
4
5
6
7
TC426
6 V
DD
5 OUT B
8 NC
7 OUT A
反相
2, 4
7, 5
TC427
6 V
DD
5 OUT B
8 NC
7 OUT A
同相
订购信息
产品型号
TC426COA
TC426CPA
TC426EOA
TC426EPA
TC426IJA
TC426MJA
TC427COA
TC427CPA
TC427EOA
TC427EPA
TC427IJA
TC427MJA
TC428COA
TC428CPA
TC428EOA
TC428EPA
TC428IJA
TC428MJA
2
7
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
CON组fi guration
反相
反相
反相
补充
反相
反相
同相
同相
同相
补充
同相
同相
补充
补充
补充
补充
补充
补充
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
TC426 / 7 / 8-7 96年10月11日
TC428
6 V
DD
5 OUT B
4
5
补充
NC - 无内部连接
功能框图
V+
500A
2.5mA
TC426
TC427
TC428
同相
产量
(TC427)
输入
反相
产量
(TC426)
注意：
该TC428有一个反相和同相1
驱动程序。地面未使用的驱动器输入。
8
TELCOM半导体，INC。的
4-169
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC426
TC427
TC428
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 20V
输入电压，任何终端.... V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. .............. 730mW
CERDIP ................................................. ............. 800mW的
SOIC ................................................. ................ 470mW
降额因子
塑料................................................. ............ 8MW /°C的
CERDIP ................................................. ........ 6.4MW /°C的
SOIC ................................................. .............. 4mW的/°C的
工作温度范围
C版................................................ 0° C至+ 70°C
我版本.............................................. - 25 ° C至+ 85°C
版本............................................ - 40°C至+ 85°C
M版.......................................... - 55 ° C至+ 125°C
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
民
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
10
6
1.5
—
—
—
—
—
—
最大
—
0.8
1
—
0.025
15
10
—
30
30
50
75
8
0.4
单位
V
V
A
V
V
A
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
电气特性：
符号
参数
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出电阻
低输出阻抗
峰值输出电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
测试条件
输入
V
IH
V
IL
I
IN
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
开关时间
（注1 ）
测试图1/2
测试图1/2
测试图1/2
测试图1/2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
I
S
电气特性：
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出电阻
低输出阻抗
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
2.4
—
–10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
13
8
—
—
—
—
—
—
—
0.8
10
—
0.025
20
15
60
30
75
120
12
0.6
V
V
A
V
V
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
测试图1/2
测试图1/2
测试图1/2
测试图1/2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
电源
I
S
注意：
1.切换的时间保证了设计。
4-170
TELCOM半导体，INC。的
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC426
TC427
TC428
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
1
2
3
4
5
6
7
电源旁路
充电和快速放电较大的容性负载
需要大电流。例如，充电为1000pF
在25nsec负荷to18V需要从一个0.72A的电流
设备的电源。
为了保证低电源阻抗在很宽的频
昆西范围，并联电容的组合是中建议
谁料用于电源旁路。低电感陶瓷
圆盘电容器短引线长度（以< 0.5 。 ）应该是
使用。 A 1
F
薄膜电容器并联有一个或两个
0.1
F
陶瓷圆盘电容器通常提供足够的
旁路。
该TC426 / 428分之427 CMOS驱动器，极大地重新
duced静态直流功耗。最大quies-
分电流8毫安相比， DS0026 40毫安
规范。对于一个15V电源，功耗为典型
美云40毫瓦。
另外两个功耗组件有：
输出级的AC和DC负载电源。
过渡政权。
输出级功率为：
PO = P
DC
+ PAC
= VO（我
DC
） + F c的
L
V
S
其中：
沃=直流输出电压
I
DC
=直流输出负载电流
f
=开关频率
VS ±电源电压
在功率MOSFET驱动器应用的P
DC
期限
可以忽略不计。 MOSFET功率晶体管是高阻抗
ANCE ，电容的输入设备。在应用中，电阻
略去负载或继电器驱动时，P
DC
组件将
通常占据主导地位。
P的大小
AC
很容易估计数
案例：
A.
1. f
2. C
L
3. VS
4. P
AC
= 20kHz的
=1000pf
= 18V
= 65mW的
B.
1. f
2. C
L
3. VS
4. P
AC
= 200kHz的
=1000pf
=15V
= 45MW
接地
在TC426和TC428包含反相驱动器。地
在共同点的阻抗开发潜力下降
从输入到输出显示为负反馈和
降低开关速度快的特点。
单独的接地回路的输入和输出
电路或接地平面应该被使用。
输入级
输入电压电平改变空载或quies-
电源电流美分。所述N沟道MOSFET的输入级
晶体管驱动2.5毫安电流源负载。用逻辑
"1"输入，最大静态电源电流为8毫安。
逻辑"0"输入信号电平降低静态电流
0.4毫安最大。最低功耗的发生
逻辑"0"输入为TC426 /四百二十八分之四百二十七。
未使用的驱动器
输入端必须连接到V
DD
或GND 。
该驱动器的设计与迟滞的100毫伏。
这提供了清洁的转变，最大限度地减少输出级
当前扣球改变状态时。输入电压阈值
孩子是大约1.5V，从而使该器件的TTL的COM
兼容在4.5V至18V的电源工作范围。输入
电流小于1
A
超过这个范围。
在TC426 / 428分之427可以直接由驱动
TL494 ， SG1526 / 1527 ， SG1524 ， SE5560 ，以及类似的开关
型电源集成电路。
功耗
电源电流与频率和电源电流与
容性负载特性曲线将有助于确定
功耗计算。
在输出电平状态发生变化时，电流浪涌会
流过串联连接的N和P沟道输出
MOSFETS作为一个装置转动"ON" ，而另一个是
转"OFF" 。该电流尖峰输出时只流向
转场。的输入电平不应维持BE-
补间的逻辑"0"和"1"的逻辑电平。
未使用的驱动器
输入端必须连接到地和不可
FL燕麦。
平均功耗将微型减少
mizing输入的上升时间。如图所示的特性
曲线，平均电源电流是频率相关的。
8
4-171
TELCOM半导体，INC。的
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC426
TC427
TC428
典型特征
上升和下降时间VS
电源电压
70
C L = 1000pF的
TA = + 25°C
延迟时间（纳秒）
延迟时间与电源电压
90
C L = 1000pF的
TA = + 25°C
吨D2
时间（纳秒）
上升和下降时间VS
温度
40
35
60
50
时间（纳秒）
80
70
60
50
40
C L = 1000 pF的
VDD = 18V
tR
30
25
40
30
20
10
tR
tF
tF
20
15
吨D1
30
10
0
–25
0
5
10
15
电源电压（ V）
20
0
5
10
15
电源电压（ V）
20
0
25
50
75 100 125
150
温度（℃）
延迟时间与温度
100
80
供应电流与
容性负载
1K
70
电源电流（mA ）
上升和下降时间VS
容性负载
TA = + 25°C
VDD = 18V
100
时间（纳秒）
90
延迟时间（纳秒）
C L = 1000pF的
VDD = 18V
tD2
60
50
40
30
20
10
0
10
TA = + 25°C
VDD = 18V
400kHz
tR
80
70
60
50
200kHz
tF
10
40
30
–25
tD1
20kHz
1
100
1000
容性负载（PF ）
10K
10
0
25
50
75 100 125 150
温度（℃）
100
1000
容性负载（PF ）
10K
电源电流与频率
30
T = + 25°C
A
CL = 1000pF的
2.20
高输出电压VS
1.20
TA = + 25°C
输出电压（V）
低输出电压VS
TA = + 25°C
0.96
VDD = 18V
1.76
VDD - VOUT
(V)
VDD = 5V
电源电流（mA ）
20
10V
VDD = 8V
1.32
13V
0.88
0.72
10V
0.48
10
5V
18V
0.44
15V
0.24
0
1
10
100
频率（kHz ）
1000
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
灌电流（毫安）
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
当前SUNK （毫安）
热降额曲线
电源电压VS
静态电源电流
20
空载
两个输入逻辑"1"
TA = + 25°C
20
电源电压VS
静态电源电流
空载
两个输入逻辑"0"
TA = + 25°C
1600
1400
MAX 。功率（ mW）的
8引脚DIP
8引脚CERDIP
电源电压（ V）
15
电源电压（ V）
15
1200
1000
800
8引脚SOIC
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
10
10
5
5
0
1
2
3
4
5
电源电流（mA ）
6
0
环境温度（ ℃）
0
50
100 150 200 250
电源电流（ μA ）
300
4-172
TELCOM半导体，INC。的
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC426
TC427
TC428
VDD
= 18V
1F
1
VDD = 18V
0.1F
1F
0.1F
2
3
输入
1
产量
CL = 1000pF的
输入
1
产量
CL = 1000pF的
输入： 100kHz时，
方波，
TRISE = TFALL
≤
10nsec
2
2
输入： 100kHz时，
方波，
TRISE = TFALL
≤
10nsec
TC426
（ 1/2 TC428 ）
TC427
（ 1/2 TC428 ）
+5V
输入
90%
+5V
输入
90%
0V
18V
产量
0V
10%
tD1
90%
tF
tD2
t
R
90%
0V
18V
10%
90%
tR
10%
tD2
90%
tF
10%
tD1
产量
0V
4
5
6
10%
10%
测试图1.反相驱动器开关时间测试电路
测试图2.同相驱动器开关时间测试电路
倍压
+ 15V
30.
29.
28.
Vout的（V）的
VOUT
+
–
47F
0.1F
+
–
4.7F
1N4001
27.
26.
25.
24.
23.
22.
0
6
2
在f IN = 10kHz的
1/2
TC426
3
–
7
+
1N4001
10F
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IOUT （MA ）
高压变频器
+ 15V
+
0.1F
–
-5
-6
-7
Vout的（V）的
-8
-9
-10
-11
-12
-13
4.7F
7
6
2
在f IN = 10kHz的
1/2
TC426
3
+
7
–
1N4001
–
+
VOUT
10F
1N4001
47F
-14
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IOUT （MA ）
8
4-173
TELCOM半导体，INC。的
M
特点
TC426/TC427/TC428
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
2, 4
反相
7, 5
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
高速开关（C
L
= 1000pF的） ： 30nsec
高峰值输出电流： 1.5A
高输出电压摆幅
- V
DD
-25mV
- GND + 25mV的
低输入电流（逻辑"0"或"1" ） ： 1μA
TTL / CMOS兼容输入
提供反相和同相
CON连接gurations
宽工作电源电压
- 4.5V至18V
流电流消耗
- 低投入 - 0.4毫安
- 高投入 - 8毫安
单电源工作
低输出阻抗： 6
DS0026和MMH0026的引脚等效
闭锁抗性：可耐受> 500毫安
反向电流
ESD保护： 2kV的
TC426
6 V
DD
5 OUT B
8 NC
7 OUT A
2, 4
7, 5
TC427
6 V
DD
5 OUT B
8 NC
7 OUT A
同相
2
7
TC428
6 V
DD
5 OUT B
4
5
补充
NC - 无内部连接
概述
该TC426 / TC427 / TC428是双CMOS高速
驱动程序。一个TTL / CMOS输入电压电平转换
成轨到轨输出电压电平摆幅。该CMOS
输出范围内的地面或正电源为25mV 。
低阻抗，高电流驱动器输出摆幅
一个1000pF的负载18V的30nsec 。独特的电流和
电压驱动特性使TC426 / TC427 / TC428
理想的功率MOSFET驱动器，线路驱动器和DC-用于─
DC转换器的构建块。
输入逻辑信号可等于电源电压。
输入电流低至1μA ，从而直接接口
以CMOS /双极开关模式电源控制
集成电路可能，以及集电极开路模拟
比较器。
静态电源电流为8毫安最大。该
TC426需要1/5的引脚兼容电流
双极DS0026设备。这是重要的，直流 - 直流
与功率效率的制约转换器应用
与高频开关模式电源
应用程序。静态电流典型值为6毫安时
驾驶在100kHz一个1000pF的负载18V 。
反相TC426驱动程序是引脚兼容的
双极DS0026和MMH0026设备。该TC427是
同相;在TC428中包含一个反相和非
反相驱动器。
其它引脚兼容的驱动程序家族是TC1426 /
TC1427/TC1428,
TC4426/TC4427/TC4428
和
TC4426A/TC4427A/TC4428A.
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
时钟线路驱动器
同轴电缆驱动器
器件选型表
部分
数
TC426COA
TC426CPA
TC426EOA
TC426EPA
TC426IJA
TC426MJA
TC427COA
TC427CPA
TC427EOA
TC427EPA
TC427IJA
TC427MJA
TC428COA
TC428CPA
TC428EOA
TC428EPA
TC428IJA
TC428MJA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
CON组fi guration
反相
反相
反相
反相
反相
反相
同相
同相
同相
同相
同相
同相
补充
补充
补充
补充
补充
补充
温度。
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2002年Microchip的科技公司
DS21415B第1页
TC426/TC427/TC428
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压，在任何终端
................................... V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730mW
CERDIP ................................................. .. 800mW的
SOIC ................................................. ....... 470mW
降额因子
PDIP ................................................. ...... 8MW /°C的
CERDIP ............................................... 6.4MW /°C的
SOIC ................................................. ...... 4mW的/°C的
工作温度范围
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
我版本....................................... -25 ° C至+ 85°C
版本..................................... -40 ° C至+ 85°C
M版................................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC426 / TC427 / TC428电气特性
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
1:
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出电阻
低输出阻抗
峰值输出电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
开关时间由设计保证。
2.4
—
-1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
6
1.5
—
—
—
—
—
—
—
0.8
1
—
0.025
15
10
—
30
30
50
75
8
0.4
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
V
V
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 18V
A
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
电源
2002年Microchip的科技公司
DS21415B第3页
TC426/TC427/TC428
TC426 / TC427 / TC428电气规范（续）
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有说明。
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
1:
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出电阻
低输出阻抗
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
开关时间由设计保证。
2.4
—
-10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
13
8
—
—
—
—
—
—
—
0.8
10
—
0.025
20
15
60
60
75
120
12
0.6
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
V
V
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 18V
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
电源
DS21415B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC426/TC427/TC428
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
PIN号
（ 8引脚PDIP ，
SOIC ， CERDIP ）
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
NC
IN A
GND
IN B
OUT B
V
DD
OUT A
NC
无内部连接。
控制输入A， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
地面上。
控制输入B， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
CMOS图腾柱输出。
电源输入， 4.5V至18V 。
CMOS图腾柱输出。
无内部连接。
描述
2002年Microchip的科技公司
DS21415B第5页
TC426/TC427/TC428
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
产品特点：
高速开关（C
L
= 1000 pF的） ： 30纳秒
高峰值输出电流： 1.5A
高输出电压摆幅：
- V
DD
-25毫伏
- GND 25毫伏
低输入电流（逻辑' 0 '或' 1 '） ： 1
A
TTL / CMOS兼容输入
提供反相和同相
CON连接gurations
宽工作电源电压：
- 4.5V至18V
电流消耗：
- 低投入 - 0.4毫安
- 高投入 - 8毫安
单电源工作
低输出阻抗： 6
DS0026和MMH0026的引脚等效
闭锁抗性：可承受> 500毫安
反向电流
ESD保护： 2千伏
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
2, 4
反相
7, 5
TC426
6 V
DD
5 OUT B
8 NC
7 OUT A
2, 4
7, 5
TC427
6 V
DD
5 OUT B
8 NC
7 OUT A
同相
2
7
TC428
6 V
DD
5 OUT B
4
5
补充
NC - 无内部连接
概述：
该TC426 / TC427 / TC428是双CMOS高速
驱动程序。一个TTL / CMOS输入电压电平转换
成轨到轨输出电压电平摆幅。该CMOS
输出内的地面或正电源25毫伏。
低阻抗，高电流驱动器输出摆幅
1000 pF负载18V在30纳秒。独特的电流和
电压驱动特性使TC426 / TC427 / TC428
理想的功率MOSFET驱动器，线路驱动器和DC-用于─
DC转换器的构建块。
输入逻辑信号可等于电源电压。
输入电流的低1
A,
使直接接口
以CMOS /双极开关模式电源控制
集成电路可能，以及集电极开路模拟
比较器。
静态电源电流为8 mA（最大值） 。该
TC426需要1/5的引脚兼容电流
双极DS0026设备。这是重要的，直流 - 直流
与功率效率的制约转换器应用
与高频开关模式电源
应用程序。静态电流一般为6毫安时
驱动1000pF的负载18V 100千赫。
反相TC426驱动程序是引脚兼容的
双极DS0026和MMH0026设备。该TC427是
同相;在TC428中包含一个反相和非
反相驱动器。
其它引脚兼容的驱动程序家族是TC1426 /
TC1427/TC1428,
TC4426/TC4427/TC4428
和
TC4426A/TC4427A/TC4428A.
应用范围：
开关模式电源
脉冲变压器驱动
时钟线路驱动器
同轴电缆驱动器
器件选型表
部分
数
TC426COA
TC426CPA
TC426EOA
TC426EPA
TC426IJA
TC426MJA
TC427COA
TC427CPA
TC427EOA
TC427EPA
TC427IJA
TC427MJA
TC428COA
TC428CPA
TC428EOA
TC428EPA
TC428IJA
TC428MJA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
CON组fi guration
反相
反相
反相
反相
反相
反相
同相
同相
同相
同相
同相
同相
补充
补充
补充
补充
补充
补充
温度。
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21415D第1页
TC426/TC427/TC428
1.0
电动
特征
*条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压，在任何终端
................................... V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
功率耗散（T
A
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730毫瓦
CERDIP ................................................. 800毫瓦
SOIC ................................................. ...... 470毫瓦
降额因子
PDIP ................................................. ...... 8毫瓦/°C的
CERDIP .............................................. 6.4毫瓦/ ℃，
SOIC ................................................. ..... 4毫瓦/°C的
工作温度范围
C版........................................ 0 ° C至+ 70°C
我版本....................................... -25 ° C至+ 85°C
版本...................................... -40 ° C至+ 85°C
M版................................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
TC426 / TC427 / TC428电气特性
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
V
DD
18V,
除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
1:
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出电阻
低输出阻抗
峰值输出电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
开关时间由设计保证。
2.4
—
-1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
6
1.5
—
—
—
—
—
—
—
0.8
1
—
0.025
15
10
—
30
30
50
75
8
0.4
V
V
A
V
V
A
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
0VV
IN
V
DD
开关时间（注1 ）
电源
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21415D第3页
TC426/TC427/TC428
TC426 / TC427 / TC428电气规范（续）
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V,
除非另有说明。
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
1:
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出电阻
低输出阻抗
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
开关时间由设计保证。
2.4
—
-10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
13
8
—
—
—
—
—
—
—
0.8
10
—
0.025
20
15
60
60
75
120
12
0.6
V
V
A
V
V
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
0VV
IN
V
DD
开关时间（注1 ）
电源
DS21415D第4页
2002-2012 Microchip的科技公司
TC426/TC427/TC428
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
引脚功能表
符号
NC
IN A
PIN号
（ 8引脚PDIP ，
SOIC ， CERDIP ）
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
无内部连接。
控制输入A， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
地面上。
控制输入B， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
CMOS图腾柱输出。
电源输入， 4.5V至18V 。
CMOS图腾柱输出。
无内部连接。
GND
IN B
OUT B
V
DD
OUT A
NC
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21415D第5页
QQ：2881677436 复制
