【1TC1410TC1410N0.5A高速MOSFET驱动器特点ssssssssss闭锁保护：可承受5】,IC型号TC1410NCOA,TC1410NCOA PDF资料,TC1410NCOA经销商,ic,电子元器件-51电子网

1

TC1410

TC1410N

0.5A高速MOSFET驱动器

特点

s

闭锁保护：可承受500毫安

反向电流

输入端可承受的负输入至5V

ESD保护................................................ .....为4kV

高峰值输出电流0.5A ...............................

宽工作范围.......................... 4.5V至16V

高容性负载

驱动能力............................ 500pF的在25nsec

短延迟时间.................................. 35nsec典型值

一致的延迟时间的变化

电源电压

匹配的延迟时间

低电源电流

- 对于逻辑“ 1 ”输入................................. 500

A

- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 150

A

低输出阻抗..................................... 16

引脚排列相同， TC1411 / 12月13日

概述

在TC1410 / 1410N是0.5V CMOS缓冲器/驱动器。

他们不会自己能力范围内，任何情况下闭锁

和额定电压。它们不受损坏时，

达任一极性的噪声尖峰的5V出现在

接地引脚。他们能够接受，而不会损坏或逻辑混乱，

达任一极性的500mA的电流被强制回

到他们的输出。所有引脚都被充分保护，防止了

4 kV的静电放电。

由于MOSFET驱动器，在TC1410 / 1410N能轻松

在25nsec切换500pF的栅极电容与匹配的上升

时间和下降时间，并在这两个具有足够低的阻抗

在ON和OFF状态，确保MOSFET的

预期国家将不会受到影响，即使是大的瞬变。

上升和下降时间的边缘相匹配，使驾驶

短持续时间的输入，以更高的精度。

2

3

4

5

6

s

订购信息

产品型号

包

8引脚SOIC

8引脚塑料DIP

8引脚SOIC

8引脚塑料DIP

8引脚SOIC

8引脚塑料DIP

8引脚SOIC

8引脚塑料DIP

销刀豆网络gurations

V

DD

1

IN 2

NC 3

GND 4

2

6, 7

8 V

DD

7 OUT

V

DD

1

IN 2

NC 3

GND 4

2

6, 7

8 V

DD

7 OUT

TEMP 。 RANGE

0 ° C至+ 70°C

- 40 ° C至+ 85°C

0 ° C至+ 70°C

- 40 ° C至+ 85°C

TC1410

6 OUT

5 GND

TC1410N

6 OUT

5 GND

TC1410COA

TC1410CPA

TC1410EOA

TC1410EPA

TC1410NCOA

TC1410NCPA

TC1410NEOA

TC1410NEPA

反相

同相

NC - 无内部连接

注意：

SOIC引脚排列完全相同畅游。

功能框图

TC1410

反相

输出

V

DD

300mV

产量

同相

输出

7

输入

4.7V

TC1410N

GND

有效

输入

C = 10pF的

TC1410 / N - 8 96年10月15日

8

4-183

TELCOM半导体，INC。的

0.5A高速MOSFET驱动器

TC1410

TC1410N

绝对最大额定值*

电源电压................................................ ......... + 20V

输入电压，单位为A或B中。（V

DD

+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）

最大片上温度................................. + 150°C

存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃

封装热阻

CERDIP

θJ -A

................................................ 150 ° C / W

CERDIP

θJ -C

.................................................. 50 ° C / W

PDIP

θJ -A

.................................................. 125 ° C / W

PDIP

θJ -C

.................................................. ... 42 ° C / W

SOIC

θJ -A

.................................................. 155 ° C / W

SOIC

θJ -C

.................................................. ... 45 ° C / W

工作温度范围

C版............................................... 0 ° C至+ 70°C

版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C

功率耗散（T

A

≤

70°C)

塑料DIP ................................................ ...... 730mW

CERDIP ................................................. ........... 800mW的

SOIC ................................................. .............. 470mW

*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电

材料。防止静电放电和静电场的设备。讲

超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-

新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能

该设备在这些或以上的任何其他条件的操作

在规范的操作部分表示是不是暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下工作会

影响器件的可靠性。

电气特性：

在工作温度范围内具有4.5V

≤

V

DD

≤

16V ，除非另外

明智的规定。典型值是在T测

A

= 25°C ; V

DD

=16V.

符号

输入

V

IH

V

IL

I

IN

逻辑1，高输入电压

逻辑0低输入电压

输入电流

2.0

—

–1

– 10

—

0.5

—

16

20

0.5

—

0.8

1

10

V

0.025

22

28

—

V

A

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

– 5V

≤

V

IN

≤

V

DD

– 40°C

≤

T

A

≤

85°C

直流测试

V

DD

= 16V ，我

O

= 10毫安

T

A

= 25°C

产量

V

OH

V

OL

R

O

高输出电压

低输出电压

输出电阻

V

DD

– 0.025

T

A

=25°C

0°C

≤

T

A

≤

70°C

– 40°C

≤

T

A

≤

85°C

V

DD

= 16V

V

I

PK

I

转

峰值输出电流

闭锁保护

承受反向电流

上升时间

V

DD

= 16V

占空比

≤

2%

t

≤

300

微秒

图1

A

开关时间

（注1 ）

t

R

T

A

= 25°C

0°C

≤

T

A

≤

70°C

– 40°C

≤

T

A

≤

85°C

T

A

= 25°C

0°C

≤

T

A

≤

70°C

– 40°C

≤

T

A

≤

85°C

T

A

= 25°C

0°C

≤

T

A

≤

70°C

– 40°C

≤

T

A

≤

85°C

T

A

= 25°C

0°C

≤

T

A

≤

70°C

– 40°C

≤

T

A

≤

85°C

V

DD

= 16V

—

25

27

29

25

27

29

30

33

35

30

33

35

0.5

0.1

35

40

35

40

45

40

45

1.0

0.15

纳秒

t

F

下降时间

图1

纳秒

t

D1

延迟时间

图1

纳秒

t

D2

延迟时间

图1

纳秒

电源

I

S

电源电流

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

mA

注意：

1.切换的时间由设计保证。

4-184

TELCOM半导体，INC。的

0.5A高速MOSFET驱动器

TC1410

TC1410N

1

+5V

输入

0V

VDD

90%

2

tR

90%

10%

tD1

90%

VDD = 16V

4.7F

0.1F

tF

tD2

产量

1,8

输入

3

4

2

6,7

0V

产量

10%

CL = 500pF的

反相驱动器

TC1410

+5V

输入

90%

TC1410

TC1410N

4,5

0V

10%

90%

tD2

10%

VDD

输入： 100 kHz时，方波，

TRISE = TFALL

≤

10ns

tD1

产量

0V

10%

tR

t

F

同相驱动器

TC1410N

5

6

图1.开关时间测试电路

热降额曲线

1600

1400

8引脚DIP

8引脚CERDIP

1000

800

8引脚SOIC

600

400

200

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110

120

MAX 。电源（MV ）

1200

7

环境温度（ ℃）

8

TELCOM半导体，INC。的

4-185

0.5A高速MOSFET驱动器

TC1410

TC1410N

典型特征

静态电源电流

- 电源电压

T

A

= 25°C

500

静态电源电流

与温度的关系

V

供应

= 16V

V

IN

= 3V

400

I

供应

(A)

I

供应

(A)

V

IN

= 3V

300

200

100

V

IN

= 0V

4

6

8

10

12

14

16

100

V

IN

= 0V

-40

-20

0

20

40

60

80

0

V

DD

（伏）

温度（℃）

输入阈值

- 电源电压

T

A

= 25°C

1.6

输入阈值

与温度的关系

V

供应

= 16V

V

门槛

（伏）

V

门槛

（伏）

1.5

V

IH

1.4

V

IH

1.4

1.3

1.2

V

IL

1.2

V

IL

1.1

4

6

8

10

12

14

16

1.1

-40

-20

0

20

40

60

80

V

DD

（伏）

温度（℃）

高态输出电阻

13

11

9

13

11

9

T

A

低态输出电阻

R

ds

（ON ）W，

7

5

3

1

=8

R

ds

（ON ）W，

5

°

C

7

5

3

1

T

A

=8

5

°

C

T

A

= 2

5

°

C

T

A

= – 40

°C

T

A

=

25

°

C

40

°

C

T

A

= –

4

6

8

10

12

14

16

4

6

8

10

12

14

16

V

DD

（伏）

4-186

V

DD

（伏）

TELCOM半导体，INC。的

0.5A高速MOSFET驱动器

TC1410

TC1410N

典型特征

（续）

上升时间与电源电压

C

负载

= 500pF的

100

1

下降时间与电源电压

C

负载

= 500pF的

2

3

80

60

T

秋天

（纳秒）

T

上升

（纳秒）

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

60

T

A

= 85°C

40

T

A

= 25°C

20

T

A

= –40°C

4

6

8

10

12

14

16

T

A

= –40°C

0

4

6

8

10

12

14

16

0

V

DD

（伏）

V

DD

（伏）

T

D1

传输延迟与电源电压

C

负载

= 500pF的

100

T

D2

传输延迟与电源电压

C

负载

= 500pF的

100

4

5

80

T

D1

（纳秒）

T

D2

（纳秒）

60

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

60

T

A

= 85°C

40

T

A

= 25°C

40

T

A

= –40°C

20

T

A

= –40°C

0

4

6

8

10

12

14

16

0

4

6

8

10

12

14

16

V

DD

（伏）

V

DD

（伏）

6

7

上升和下降时间 - 容性负载

T

A

= 25 ° C，V

DD

= 16V

T

上升

传播延迟 - 容性负载

T

A

= 25 ° C，V

DD

= 16V

传播延迟（纳秒）

100

45

T

D2

41

T

上升

, T

秋天

（纳秒）

80

T

秋天

60

37

T

D1

40

33

20

29

0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

25

0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

C

负载

（PF ）

C

负载

（PF ）

4-187

8

TELCOM半导体，INC。的