TC1173
300毫安CMOS LDO ，带有关断，错误输出和旁路
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
极低的电源电流为更长的电池
生活！
非常低的压差电压
保证300毫安输出
标准或定制输出电压
错误输出可以用作低电池
检测器或处理器复位发生器
省电关断模式
旁路输入的超静音运行
过电流和过温保护
节省空间的MSOP封装选项
概述
该TC1173是一个精密输出（典型
±0.5%)
CMOS低压差稳压器。总电源电流典型
50μA美云在满负荷
（比双极型低20到60倍
稳压器
!).
TC1173的主要特性包括超低噪音运行
（加上可选的旁路输入） ;非常低的压差电压
（典型的240mV满负载）和内部前馈
赔偿快速响应阶跃变化的负载。一
错误输出（ ERROR ）有效时， TC1173是输出
的调节（由于低输入电压或输出过多
电流）。误差可以被设置为一个低电池警告或
处理器复位信号（通过添加外置的
RC网络） 。电源电流降至0.05μA （典型值）
和V
OUT
和错误降到零关断输入时
是低的。
的TC1173既包括超温
过电流保护。的TC1173是稳定的输出
只1μF的电容器，并且具有一个最大输出电流
300mA.
应用
s
s
s
s
s
s
s
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSM / PHS手机
线性后稳压开关电源
寻呼机
订购信息
部分
数
TC1173-xxVOA
TC1173-xxVUA
包
8引脚SOIC
8引脚MSOP
连接点
TEMP 。 RANGE
- 40°C至+ 125°C
- 40°C至+ 125°C
典型用途
1
C1
1F
2
8
V
OUT
V
IN
V
IN
GND
NC
7
R3
1M
TC1173
3
NC
SHDN
6
可用的输出电压：
2.5, 2.8, 3.0, 3.3, 5.0
XX表示输出电压
其它输出电压是可用的。请联系Telcom公司
安森美半导体的细节。
4
绕行
错误
5
错误
引脚配置
MSOP
V
OUT
GND
NC
绕行
1
2
3
4
8
7
C
绕行
470pF
（可选）
关断控制
（从功率控制逻辑）
TC1173VUA
6
5
V
IN
NC
SHDN
错误
SOIC
V
OUT
1
GND 2
8 V
IN
7 NC
NC 3 TC1173VOA 6 SHDN
BYPASS 4
5错误
TC1173-2 00年2月2日Telcom公司半导体公司保留权利，可在电路的变化和它的设备规格的权利。
300毫安CMOS LDO具有关断，
错误输出和旁路
TC1173
绝对最大额定值*
输入电压................................................ .............. 6.5V
输出电压........................... （V
SS
- 0.3 ）至（Ⅴ
IN
+ 0.3)
功耗....................内部限制（注7 ）
工作温度.................... - 40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
任何引脚............ V最大电压
IN
+ 0.3V至 - 0.3V
引线温度（焊接， 10秒） ................ + 300℃
*最大极限值是指超出损坏器件的工作范围
可能发生的年龄。超出所列范围的器件操作
电动
特征
不推荐使用。
电气特性：
V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 0.1μA ，C
L
= 3.3μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
粗体
参数值适用于对结温 - 40 ° C至+ 125°C
符号
V
IN
I
OUT
最大
V
OUT
V
OUT
/T
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/V
OUT
V
IN
– V
OUT
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
输入输出电压差（注4 ）
测试条件
民
—
300
—
V
R
- 2.5%
—
—
—
—
典型值
—
—
±
0.5%
—
40
0.05
0.5
20
80
240
50
0.05
60
550
0.04
260
最大
6.0
—
—
V
R
+ 2.5%
—
0.35
2.0
30
160
480
90
0.5
—
650
—
—
单位
V
mA
V
PPM /°C的
%
%
mV
注1
注2
(V
R
+ 1V ） < V
IN
＆ LT ; 6V
I
L
= 0.1毫安到我
OUT
最大
（注3）
I
L
= 0.1毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 300毫安
SHDN = V
IH
SHDN = 0V
F
RE
≤
1kHz
V
OUT
= 0V
注5
F = 1kHz时，C
OUT
= 1F,
R
负载
= 50
V
R
I
SS1
I
SS2
PSRR
I
OUT
SC
V
OUT
P
D
eN
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
输出噪声
—
—
—
—
—
—
A
A
dB
mA
V / W
纳伏/赫兹÷
SHDN输入
V
IH
V
IL
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
错误输出
V
民
V
OL
V
TH
V
OL
最低工作电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
1毫安流为ERROR
注7：
1.0
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
—
400
—
—
V
mV
V
mV
注意事项：
1. V
R
是用户可编程稳压器输出电压设定。
2. T
C
V
OUT
= (V
OUTMAX
– V
outmin
) x 10
6
V
OUT
x
T
3.调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内0.1毫安测试
到指定的最大输出电流。热效应引起的输出电压变化在被覆盖的热调节规范。
4.电压差定义为输入，当输出电压降至低于1V的差分测量其标称值2 ％输出电压差。
5.热稳定度定义为功耗变化后输出电压的变化在时间T ，不包括负载
或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
6.最大允许功耗是环境温度，允许的最大结温度的函数，并且
从结点到空气中（即牛逼热阻
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗会导致器件触发
热关断。请参阅
散热注意事项
该数据表的详细信息部分。
7.迟滞电压参考V
R
.
TC1173-2
2/2/00
2
300毫安CMOS LDO具有关断，
错误输出和旁路
TC1173
详细说明
该TC1173是固定输出，低压差稳压器。
与双极型稳压器时， TC1173供电电流不
随负载电流。此外，V
OUT
保持稳定并
在调节范围内以非常低负载电流（一个重点考虑
关合作在RTC和CMOS RAM电池备份应用程序）。
TC1173引脚功能详述如下：
SHDN可以由CMOS逻辑门电路来控制，或I / O端口
微控制器。如果SHDN输入不是必需的，它
应直接连接到电源输入端。而在
关机时，电源电流降至0.05μA （典型值） ，
V
OUT
降到零，错误被禁止。
错误输出
ERROR驱动为低电平时V
OUT
掉下来的稳压
5 ％ （典型值） - 超过分页。这个条件可以是
造成的低输入电压，输出电流限制，或
热限制。
的误差阈值是5％以下为V
OUT
顾及─
更少的编程输出电压值（例如， ERROR
= V
OL
在4.75V （典型值）的5.0V稳压器和2.85V （典型值）
一个3.0V稳压器） 。 ERROR输出操作示于
图2.请注意，错误是当V
OUT
处于或
低于V
TH
和不活动时V
OUT
高于V
TH
+ V
H
.
如图1中所示，错误可以被用作电池
低的标志，或作为一个处理器的复位信号（加
的定时电容器C2 ） 。 R 1 X C3的选择应
保持低于V错误
IH
处理器复位输入
至少200毫秒时间让系统稳定下来。
上拉电阻R1可以连接到V
OUT
, V
IN
或任何其他
电压小于（Ⅴ
IN
+ 0.3V.)
V
OUT
引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
符号
V
OUT
GND
NC
绕行
错误
描述
稳压输出
接地端子
无连接
参考旁路输入。连接一个470pF
该输入进一步降低输出噪声。
外的调节旗（漏极开路输出
放） 。此输出变为低电平时， V
OUT
是输出
超差约-5 ％ 。
关断控制输入。该稳压器是完全
当启用逻辑高电平被施加到该
输入。该稳压器进入关断时，
逻辑低电平被施加到该输入端。中
关断，输出电压下降到零，并
电源电流降至0.05μA （典型值） 。
无连接
未稳压电源输入
6
SHDN
7
8
NC
V
IN
V
TH
迟滞（V
H
)
图1显示了一个典型的应用电路。该法规
器启用任何时间关断输入（ SHDN ）以上
V
IH
和关闭（禁用） ，当SHDN等于或低于V
IL
.
错误
V
IH
V
OL
V
OUT
1
C1
1F
2
V
OUT
V
IN
8
图2 ： ERROR输出操作
V
IN
GND
NC
7
R3
1M
TC1173
3
NC
SHDN
6
4
绕行
错误
5
错误
C
绕行
470pF
（可选）
关断控制
（从功率控制逻辑）
输出电容
从V A 1μF （最小值）的电容
OUT
接地是中建议
谁料。输出电容应具有有效的
的5Ω或更小的串联电阻。 1μF电容应
从V连接
IN
到GND ，如果有超过10英寸
调节器和交流滤波电容之间，或在导线的
如果使用电池作为电源。电 - 铝
裂解电容或钽电容可以使用。 （由于许多
铝电解电容器冻结在约 -
30 ° C，钽电容推荐应用
操作如下 - 25 ° C）当从源工作
比电池，电源噪声抑制和瞬态等
响应可通过增加的值可以改善
输入和输出电容和采用无源滤波
技术。
3
图1 ：典型应用电路
TC1173-2 00年2月2日
300毫安CMOS LDO具有关断，
错误输出和旁路
TC1173
旁路输入
一个470pF电容，旁路输入端连接
地降低了噪声存在于内部参考，
从而显著降低输出噪声。如果输出
噪音是不是一个问题，这个输入可以悬空。
较大的电容值也可以使用，但会导致较长的
时间段到额定输出电压时，功率是初始
应用。
等式1可以一起使用等式2
为确保稳压器的热操作范围内。为
例如：
鉴于：
V
IN
最大
= 3.0V
±
10%
V
OUT
民
= 2.7V
±
0.5%
I
LOADMAX
= 250毫安
T
J
最大
= 125°C
T
A
最大
= 55°C
JA
= 200 ° C / W
8引脚MSOP封装
1.实际功耗
2.最大允许功耗
散热注意事项
热关断
集成的热保护电路关闭的法规
TOR关闭时，管芯温度超过150 ℃。该稳压器
保持关闭，直到结温降至约
140°C.
功耗
该稳压器的功耗量为prima-
rily输入和输出电压以及输出电流的函数。
下面的公式用于计算最坏情况
实际
功耗：
P
D
≈
(V
IN
最大
– V
OUT
民
)I
负载
最大
其中：
P
D
=
V
IN
最大
=
V
OUT
民
=
I
负载
最大
=
最坏情况下的实际功耗
在V最大电压
IN
最小调节器的输出电压
最大输出（负载）的电流
公式1 。
查找：
实际功耗：
P
D
≈
(V
IN
最大
- V
OUT
民
)I
负载
最大
= [(3.0 x 1.1) - (2.7 x .995)]250 x 10
-3
= 155MW
最大允许功耗：
P
D
≈
(T
JMAX
– T
AMAX
)
JA
= (125 – 55)
200
= 350mW的
在这个例子中， TC1173消散最多
只有155MW ;远低于350mW的所允许的限度。在一个
类似地，等式1和等式2可用于
计算最大的电流和/或输入电压范围。为
例如，允许的最大V
IN
由substitut-发现
荷兰国际集团为350mW的最大允许功耗
入方程1 ，从该V
IN
最大
= 4.1V.
布局的注意事项
热传导出去的包的主路径
是通过封装的引线。因此，布局具有接地
面，宽的走线在垫和宽电源总线
行相结合，以降低
JA
的，因此，提高了
最大允许功耗的限制。
最大
许
功率耗散（式2）
是最大环境温度的函数（T
A
最大
),
最大允许管芯温度（125℃ ），并且
从结点到空气的热阻（
JA
） 。 8引脚
SOIC封装有
JA
约
160
°
C /瓦，
而8引脚MSOP封装有
JA
约
200
°
C /瓦
;两者都安装在单个层上的FR4时
介质覆铜箔印刷电路板。
P
DMAX
= (T
JMAX
– T
AMAX
)
JA
其中，所有条款都事先定义。
式（2） 。
TC1173-2
2/2/00
4
QQ：2881677436 复制
