TB7106F
东芝BICD集成电路
硅单片
TB7106F
降压型DC -DC转换器IC
该TB7106F是一个单芯片的降压型DC-DC转换器IC，它利用
斩波电路。该TB7106F采用引导系统，并包含
高速，低导通电阻N沟道MOSFET的高压侧
主开关，以实现高效率。
特点
实现高达负载电流为3 A（I
OUT
）用最少的外部
组件。
高效率（ η
=
88 ％典型值）。
(@V
IN
=
12 V, V
OUT
=
3.3 V和I
OUT
=
1A)
工作电压范围： V
IN =
4.5到20V
低导通电阻，R
DS （ ON）
=
0.18
Ω
（高侧）典型（ @V
IN
=
12 V ， TJ
=
25°C)
振荡频率：F
OSC
=
380 kHz（典型值）。
参考电压： V
FB
=
0.8 V± 2.25 ％ （ @ T
j
=
25
℃)
因为外接相位补偿元件的，根据输出的最佳相位补偿
可以实现滤波电容。
允许使用小型表面贴装陶瓷电容作为输出滤波电容。
装在一个小型表面贴装封装（ SOP高级） ，低热阻。
软启动时间可调由一个外部电容器
HSON8-P-0505-1.27
重量： 0.068克（典型值）。
最热
型号（或缩写代码）
LOT号
引脚分配
SS
EN
COMP
8
7
6
V
FB
5
TB
7106F
点（ ）在顶表面上指示针1 。
*:
1
BOOT
2
V
IN
3
L
X
4
GND
批号由三个数字组成。第一位数字代表制造年份的最后一个数字，而
制造的01 ，要么52或53周后两位数字表示。
制造业星期代码
（这一年的第一周是01 ，上周为52或53 ）
生产年份代码（制造年份的最后一位数字）
本产品具有MOS结构，对静电放电很敏感。小心轻放。
这个文件（ “产品”）中的产品（S ）包含的功能旨在保护产品免受临时
少量过载，如轻微的短期过流，过热或。保护功能不一定
保障产品在任何情况下。当产品纳入到你的系统，请设计系统
一旦该产品，以避免这样的过载，并关闭或以其他方式缓解这样过载的产品
条件后立即发生。有关详情，请参阅本文档中出现以下的注意事项
本文档中提及的其他文件。
1
2011-11-05
TB7106F
订购信息
产品型号
TB7106F （ TE12L ， Q）
航运
压纹带（ 3000单位每卷）
框图
V
IN
调节器
电流检测
振荡器
下
电压
封锁
V
FB
恒流
源（ 5μA ）
误差放大器器
-
-
软
开始
+
坡
赔偿金
+
-
BOOT
司机
L
X
控制
逻辑
SS
EN
地
短路
保护
Ref.Voltage
(0.8V)
COMP
GND
引脚说明
PIN号
符号
引导针
1
BOOT
该引脚连接到自举电容。一个0.1μF的自举电容之间需要
BOOT引脚和L
X
引脚。
输入引脚
该引脚被放置在备用状态，如果V
EN
变为“L” 。待机电流为60
μA
(@V
IN
= 12V）或更小。
开关引脚
该引脚被连接到高侧的N沟道MOSFET 。
接地引脚
反馈引脚
这个输入被馈送到同为0.8V的基准电压的内部误差放大器（典型值） 。
相位补偿引脚
引脚用于连接误差放大器的相位补偿电阻和电容。
使能引脚
7
EN
当V
EN
≥
1.8 V (@ V
IN
=
12 V）中，内部电路被允许工作，从而使
输出部分的开关操作。当V
EN
≤
0.5 V (@ V
IN
=12
V）时，内部
电路被禁用，把TB7106F处于待机模式。
该引脚为15 μA内部上拉电流（典型值） 。
软启动引脚
8
SS
当SS输入端开路时，软启动时间为1毫秒（典型值） 。软启动时间可
通过外部电容调节。外部电容从5μA电（典型值）。
恒定电流源，并且所述误差放大器的参考电压之间的0调节
V和0.8 V的外部电容放电时， V
EN
= “ L” ，并在发生欠压
锁定或热关断。
描述
2
V
IN
3
4
5
L
X
GND
V
FB
6
COMP
2
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TB7106F
绝对最大额定值（Ta
=
25°C)
特征
输入引脚电压
自举引脚电压
引导针 - 开关引脚电压
开关引脚电压
反馈引脚电压
使能引脚电压
软启动引脚电压
误差放大器的相位补偿
引脚电压
开关引脚电流
功耗
（注2 ）
(Note1)
符号
V
IN
V
BOOT
V
BOOT
- V
LX
V
LX
V
FB
V
EN
VSS
V
COMP
I
LX
P
D
Tjopr
Tj
T
英镑
等级
-0.3½25
-0.3½28
-0.3½6
-0.3½25
-0.3½6
-0.3½25
-0.3½6
-0.3½6
-3.6
2.2
-40½125
150
-55½150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
W
℃
°C
°C
工作结温
结温
Strage温度
（注3）
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率等）
注1：开关引脚电压（V
LX
）不包括由TB7106F的切换而产生的峰值电压。
热阻特性
特征
热阻，结到
环境
热阻，结到外壳
(Tc=25℃)
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
最大
44.6(Note2)
4.17
单位
° C / W
° C / W
注2 ：
玻璃环氧树脂板
材质： FR- 4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
单脉冲测量：脉冲宽度t = 10 （ S）
注3： TB7106F可能会进入热关断时的最大额定结温。散热设计
要求，以确保在额定最大工作结温度T
JOPR
不会超标。
3
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TB7106F
需要注意的电气特性
测试条件牛逼
j
=
25℃的装置，其中所产生的增加的电特性的任何漂移的状态下
在芯片的结温脉冲测试时被忽略。
应用电路实例
图1显示了使用低ESR电解电容或陶瓷电容为C时的典型应用电路
OUT
.
V
IN
= 4.5V至20V
V
IN
EN
COMP
C
IN
R
P
SS
TB7106F
C
BOOT
BOOT
L
X
R
FB1
L
V
OUT
EN
V
FB
C
OUT
R
FB2
GND
GND
C
P
GND
C
SS
SBD
图1 TB7106F应用电路示例
元件值（参考值@ V
IN
=
12 V, V
OUT
=
3.3 V ，TA
=
25°C)
C
IN
：输入滤波电容
=
10
μF
（陶瓷电容器： GRM31CR71E106K村田制造有限公司制造）
C
OUT
：输出滤波电容
=
22
μF×2
（陶瓷电容器： GRM31CB31C226ME15L村田制造有限公司制造）
R
FB1
：输出电压设定电阻
=
7.5 kΩ
R
FB2
：输出电压设定电阻
=
2.4 kΩ
C
P
：相位补偿电容
R
P
：相位补偿电阻
L：电感= 10
μH
（ SLF10165T - 100M3R83PF制造的TDK -EPC公司或
由TOKO ， INC。制造DG8040C 1267AY -100M ）
SBD ：肖特基势垒二极管CRS30I30A （东芝公司制）
C
BOOT
：自举电容= 0.1
μF
（村田制造有限公司生产的GRM188R71H104J ）
C
SS
是一个电容器，用于调节软启动时间。
元件值的例子（仅供参考）
输出电压
环境
V
OUT
1.2 V
1.51 V
1.8 V
2.5 V
3.3 V
5.0V
电感
L
6.8
μH
6.8
μH
6.8
μH
10
μH
10
μH
10
μH
输入
电容
C
IN
10
μF
10
μF
10
μF
10
μF
10
μF
10
μF
产量
电容
C
OUT
44
μF
44
μF
44
μF
44
μF
44
μF
44
μF
反馈
电阻器
R
FB1
7.5 kΩ
16 kΩ
15 kΩ
5.1 kΩ
7.5 kΩ
27 kΩ
反馈
电阻器
R
FB2
15 kΩ
18 kΩ
12 kΩ
2.4 kΩ
2.4 kΩ
5.1 kΩ
相
赔偿金
电容
C
P
4700pF
4700pF
2200pF
2200pF
2200pF
2200pF
相
赔偿金
阻力
R
P
10 kΩ
12 kΩ
15 kΩ
22 kΩ
27 kΩ
33 kΩ
元件值需要进行调整，根据TB7106F的I / O条件和电路板布局。
5
2011-11-05
QQ：2881677436 复制
