【T1635H ， T1650H高温16 A无缓冲器三端双向可控硅特点■■■■■■A2中等电流可控硅1】,IC型号T1635H6T,T1635H6T PDF资料,T1635H6T经销商,ic,电子元器件-51电子网

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T1635H ， T1650H

高温16 A无缓冲器三端双向可控硅

特点

■

■

■

■

■

■

A2

中等电流可控硅

150 °C以下。牛逼

j

关闭换向

用夹子结合低热阻

非常高的3象限换流能力

封装均符合RoHS （ 2002/95 / EC ）标准

UL认证（参考文件E81734 ）

A1

A2

G

A2

A1

G

A2

G

A1

A2

应用

特别设计的高功率运行

密度或通用电机的应用，如

吸尘器和滚筒洗衣机

电机，这些16 A三端双向可控硅提供了一个非常高的

切换能力高达结温

150 °C.

散热器可以减少，相比于

传统三端双向可控硅，根据高

表现在给定的结温。

PAK

T16xxH-6G

2

TO-220AB

T16xxH-6T

G

A2

A1

TO- 220AB绝缘

T16xxH-6I

描述

可在通孔或表面安装

封装， T1635H和T1650H系列可控硅

适用于通用市电交流

切换。

通过使用内部陶瓷垫， T16xxH - 6I

提供绝缘电压（额定电压为2500 V RMS ）。

表1中。

符号

I

T（ RMS ）

V

DRM

/V

RRM

I

GT

设备简介

价值

16

600

35或50

单位

A

V

mA

TM ：

无缓冲器是意法半导体公司的商标。

2011年9月

文档ID 13566第2版

1/10

www.st.com

10

特征

T1635H ， T1650H

1

表2中。

符号

I

T（ RMS ）

特征

绝对最大额定值

参数

D

2

PAK ， TO- 220AB

通态电流有效值（全正弦波）

TO- 220AB插件

不重复浪涌峰值通态

电流（完整周期，T

j

初始= 25 ° C）

I

为融合吨价

通态电流临界上升率

I

G

= 2×我

GT

, t

r

≤

100纳秒

非重复浪涌峰值断态

电压

栅极峰值电流

平均门功耗

存储结温范围

工作结温范围

F = 50赫兹

F = 60赫兹

t

p

= 10毫秒

F = 120赫兹

t

p

= 10毫秒

t

p

= 20 s

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

c

= 130 °C

T

c

= 110 °C

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

160

A

168

169

50

V

DRM

/V

RRM

+ 100

4

1

- 40 + 150

- 40 + 150

A

s

A / μs的

V

A

W

°C

价值

16

单位

A

I

TSM

I

t

的di / dt

V

帝斯曼

/V

RSM

I

GM

P

G（ AV ）

T

英镑

T

j

表3中。

符号

I

燃气轮机（1）

V

GT

V

GD

I

H (2)

I

L

dv / dt的

(2)

（ di / dt的）C

(2)

电气特性（T

j

= 25 ℃，除非另有规定）

价值

测试条件

象限

T1635H

V

D

= 12 V ，R

L

= 33

Ω

V

D

= V

DRM

, R

L

= 3.3 kΩ

I

T

= 500毫安

I - III

I

G

= 1.2 I

GT

V

D

= 67% V

DRM ，

门打开，T

j

= 150 °C

如果没有缓冲，T

j

= 150 °C

马克斯。

II

分钟。

分钟。

80

1000

21

110

1500

28

V / μs的

A / MS

I - II - III

I - II - III

I - II - III

马克斯。

马克斯。

分钟。

马克斯。

35

50

35

1.0

0.15

75

90

mA

T1650H

50

mA

V

V

mA

单位

1.最小的我

GT

被guaranted于I 20％

GT

马克斯。

2. A2的两极参考A1 。

2/10

文档ID 13566第2版

T1635H ， T1650H

表4 。

符号

V

T (1)

V

t0 (1)

R

d (1)

I

TM

= 23 A，T

p

= 380 s

阈值电压

动态电阻

V

DRM

= V

RRM

I

DRM

I

RRM(2)

V

D

/V

R

= 400 V （峰值电源电压）

V

D

/V

R

= 200 V （峰值电源电压）

1. A2的两极参考A1

2. t

p

= 380 s.

特征

静态特性

测试条件

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

价值

1.5

0.80

23

5

4.1

3.5

3.0

mA

单位

V

V

mΩ

A

表5 。

符号

R

日（J -C ）

热阻

参数

D

2

PAK / TO- 220AB

结到外壳（ AC）

TO- 220AB插件

S = 1厘米

2

D

2

PAK

TO- 220AB / TO- 220AB插件

结到环境

60

3.1

° C / W

45

价值

1.15

单位

R

号（j -a）的

文档ID 13566第2版

3/10

特征

T1635H ， T1650H

图1 。

P（ W）的

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

0

1

2

3

α=180

°

最大功耗对比如图2所示。

通态电流有效值（全循环）

I

T（ RMS ）

(A)

开启状态RMS电流与案例

温度（全周期）

TO-220AB/DPAK

18

16

14

12

10

8

6

180°

TO-220AB

预绝缘

4

2

α=180

°

I

T（ RMS ）

(A)

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

T

C

(°C)

0

0

25

50

75

100

125

150

网络连接gure 3 。

I

T（ RMS ）

(A)

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

开启状态RMS电流与

环境温度

环氧树脂印刷电路板FR4，

铜厚度= 35微米

α=180

°

DPAK

S

CU

= 1平方厘米

图4中。

1.0E+02

热阻抗的变化

与脉冲持续时间

Z

号（j -a）的

Z

th

（ ° C / W）

1.0E+01

Z

日（J -C ）

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0

25

50

T

AMB

(°C)

75

100

125

150

t

P

(s)

1.0E-01

1.0E-03

1.0E-02

1.0E-01

1.0E+00

1.0E+01

1.0E+02

1.0E+03

1.0E+00

图5中。

1000

通态特性

（最大值）

图6 。

I

TSM

(A)

浪涌峰值通态电流 -

周期数

I

TM

(A)

180

160

140

不重复

T

j

初始= 25°C

t=20ms

100

T

j

=150 °C

120

100

80

T

j

=25 °C

重复

T

c

=110 °C

一个周期

10

60

40

T

j

最大。：

V

t0

= 0.80 V

R

d

= 23 mΩ

20

0

周期数

1

10

100

1000

1

0.0

0.5

1.0

1.5

V

TM

(V)

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

4/10

文档ID 13566第2版

T1635H ， T1650H

特征

图7 。

非重复浪涌峰值通态图8 。

电流的正弦脉冲

我相对变化

GT

,I

H

, I

L

vs

结温

（典型值）

10000

I

TSM

（ A）， I了（ As ）

TJ初始= 25°C

I

GT

, I

H

, I

L

[T

j

] / I

GT

, I

H

, I

L

[T

j

=25°C]

2.5

的di / dt限制： 50 A / μs的

2.0

I

GT

1.5

1000

I

H

＆放大器;我

L

1.0

I

TSM

I了

0.5

t

P

（女士）

10.00

宽度T

p

< 10毫秒和I T对应的值

100

0.01

0.10

1.00

2

T

j

(°C)

0.0

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

图9 。

临界速度的相对变化

减少主电流（ di / dt的）C

对重新申请（的dV / dt ）C

典型值

临界速度图10.相对变化

下降主要与当前的

结温

（ di / dt的）

c

[T

j

] /（ di / dt的）

c

[T

j

=150°C]

8

7

6

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

（ di / dt的）

c

[（的dV / dt ）

c

] /指定的（ di / dt的）

c

5

4

3

2

0.4

0.2

0.0

0.1

1.0

（ dv / dt的）

C

（ V / μs）内

10.0

100.0

1

T

j

(°C)

0

25

50

75

100

125

150

图11.漏电流与结

温度下的不同值

阻断电压（典型值）

1.0E+04

热敏电阻的图12的变化

结到环境与铜

在标签表面

R

号（j -a）的

（ ° C / W）

80

I

DRM

/I

RRM

(A)

1.0E+03

V

DRM

=V

RRM

=400 V

V

DRM

=V

RRM

=600 V

70

60

环氧树脂印刷电路板FR4，

铜厚度= 35微米

DPAK

1.0E+02

V

DRM

=V

RRM

=200 V

50

40

30

20

10

1.0E+01

1.0E+00

T

j

(°C)

S

CU

（平方厘米）

0

125

150

1.0E-01

50

75

100

0

5

10

15

20

25

30

35

40

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