【tmTECHT14L256ASRAM特点高速存取时间：8 /10/ 12 / 15ns的（最大）低功】,IC型号T14L256A,T14L256A PDF资料,T14L256A经销商,ic,电子元器件-51电子网

tm

TE

CH

T14L256A

SRAM

特点

高速存取时间：8 /10/ 12 / 15ns的（最大）

低功耗：活动300毫瓦（典型值）。

单+ 3.3电源

全静态操作 - 无时钟或刷新

需要

所有输入和输出直接LVTTL

兼容

常见的I / O能力

可用的软件包：

28引脚300密耳， SOJ ， TSOP -I （正向型）

和无铅封装。

输出使能（

OE

）可用于非常快

ACCESS

32K ×8 HIGH SPEED

CMOS静态RAM

概述

该T14L256A是一款高速，低功耗

CMOS静态RAM组织为32,768 ×8位

是运行在一个单一的3.3伏电源。

这个装置被封装在一个标准的28引脚300

万SOJ或TSOP -I型转发和无铅。

框图

VCC

→

V

SS

→

A0

.

A 14

CS

OE

WE

控制

数据I / O

I / O 1

.

I / O 8

解码器

CORE

ARRAY

引脚配置

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

VCC

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

引脚说明

符号

A0 - A14

I / O1 - I / O8

CS

SOJ

WE

OE

VCC

VSS

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

A10

CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

A0

A1

A2

描述

地址输入

数据输入/输出

片选输入

写使能

OUTPUT ENABLE

电源

地

OE

A11

A9

A8

A13

WE

VCC

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

型号示例

包

速度

T14L256A-8J

SOJ

8ns

T14L256A - 8JG SOJ /无铅

8ns

T14L256A-8P

TSOP -I

8ns

TSOP -I

TM科技公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 1

出版日期：十一月2003

版本：F

tm

TE

CH

T14L256A

DC特点绝对最大额定值

参数

电源电压VSS电位

投入到VSS电

功耗

储存温度

等级

-0.5 + 4.6

-0.5到+0.5的Vcc

1.0

-60到+150

单位

V

W

°C

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压，低

输入电压，高

环境温度

符号

VCC

民

Typ-5%

-0.3

2.1

0

典型值

3.3

-

最大

Typ+5%

0.8

Vcc+0.3

70

单位

V

°C

V

IL

V

IH

T

A

真值表

CS

H

L

OE

X

H

L

X

WE

X

H

L

模式

未选择

输出禁用

读

写

I / O1- I / O8

高-Z

数据输出

DATA IN

VCC

I

SB ，

I

SB1

ICC

工作特性

（VCC = 3.3V

±

5％， VSS = 0V，钽= 0 70℃ ）

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出低电压

输出高电压

工作电源

电源电流

待机功耗

电源电流

符号。

I

LI

I

LO

测试条件

VIN = VSS到Vcc

V

I / O

= VSS至Vcc ，

CS

=

V

IH

or

OE

=

MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT

-10

-

+10

uA

-10

-

+10

uA

-

2.4

-

0.4

-

110

100

90

80

15

2

V

mA

V

IH

or

WE

=

V

IL

V

OL

V

OH

ICC

I

OL

= + 8.0毫安

I

OH

= - 4.0毫安

8

10

周期=分钟。

12

占空比= 100 ％

15

CS

=

V

IH

，周期= MIN ，占空比= 100 ％

CS

=

V

IL

， I / O = 0毫安

I

SB

I

SB1

CS

≥

VCC

-0.2V

注意：

典型的特征是在Vcc = 3.3V ， TA = 25℃

TM科技公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 2

出版日期：十一月2003

版本：F

tm

TE

CH

T14L256A

电容

（VCC = 3.3V ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）

参数

输入电容

输入/输出电容

符号

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

C

IN

C

I / O

注意：

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序参考电平

输出负载

条件

0V至3V

3纳秒

1.5V

C

L

=30pF,

I

OH

/

I

OL

= -4mA / 8毫安

AC测试负载和波形

R1 320欧姆

3.3V

产量

30pF

INCLUDING

夹具

范围

R2

350欧姆

5pF

INCLUDING

夹具

范围

R2

350欧姆

R1 320欧姆

3.3V

产量

（对于T

CLZ

, T

OLZ

, T

CHZ

, T

OHZ

, T

WHZ

, T

OW

)

3.0V

0V

3ns

90%

10%

90%

3ns

TM科技公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 3

出版日期：十一月2003

版本：F

tm

TE

CH

T14L256A

AC特性

(

VCC

=3.3V

±

5％， VSS = 0V，钽= 0 70℃ ）

（ 1 ）读周期

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片选择访问时间

输出使能到输出有效

芯片选择到输出中低Z

输出使能到输出中低Z

芯片取消选择到输出中高Z

输出禁止到输出中高Z

从地址变更输出保持

符号。

T14L256A - 8 T14L256A - 10 T14L256A - 12 T14L256A - 15单元

分钟。马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。马克斯。

t

RC

t

AA

t

ACS

t

AOE

t

CLZ *

t

OLZ

t

CHZ *

t

OHZ

t

OH

8

-

3

0

-

2.5

-

8

5

-

4

-

10

-

3

0

-

3

-

10

6

-

5

-

12

-

3

0

-

3

-

12

7

-

6

-

15

-

3

0

3

-

15

7

-

7

-

ns

*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

（ 2 ）写周期

参数

写周期时间

芯片的选择要写入的结束

地址有效到写结束

地址建立时间

把脉冲宽度

写恢复时间

数据有效到写结束

从写结束数据保持

写在高Z输出

输出禁止到输出中高Z

输出写入结束活动

符号。

T14L256A - 8 T14L256A - 10 T14L256A - 12 T14L256A - 15

单位

分钟。马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

t

WC

t

CW

t

AW

t

AS

t

WP

t

WR

t

DW

t

DH

t

WHZ

t

OHZ

t

OW

8

6

0

6

0

5

0

-

0

-

4

-

10

8

0

8

0

6

0

-

0

-

5

-

12

10

0

10

0

8

0

-

0

-

6

-

15

11

0

11

0

8

0

-

0

-

6

7

-

ns

*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

TM科技公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 4

出版日期：十一月2003

版本：F

tm

TE

CH

T14L256A

时序波形

读周期1

（地址控制）

TR

一个D D重新S S小

TA一个

到h

D 2 O ü牛逼

读周期2

（片选控制）

CS

TA （C S）

的tC L

的tC ^ h

D 2 O ü牛逼

读周期3

（输出使能控制）

TR

一个D D重新S S小

TA一个

ê

TA产地证电子

到L

到h

CS

TA （C S）

的tC L

到h

的tC ^ h

D 2 O ü牛逼

DON 'T CARE

民主基金独立非执行董事

TM科技公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 5

出版日期：十一月2003

版本：F

tm

TE

CH

T14L256A

SRAM

特点

高速存取时间：8 /10/ 12 / 15ns的（最大）

低功耗：活动300毫瓦（典型值）。

单+ 3.3电源

全静态操作 - 无时钟或刷新

需要

所有输入和输出直接LVTTL兼容

常见的I / O能力

可用的软件包： 28引脚300密耳， SOJ和

TSOP -I （正向型）。

输出使能（

OE

）可用于非常快

ACCESS

32K ×8 HIGH SPEED

CMOS静态RAM

概述

该T14L256A是一款高速，低功耗

CMOS静态RAM组织为32,768 ×8位

是运行在一个单一的3.3伏电源。

这个装置被封装在一个标准的28引脚300

万SOJ或TSOP -I转发。

框图

VCC

→

V

SS

→

A0

.

A 14

CS

OE

WE

控制

数据I / O

I / O 1

.

I / O 8

解码器

CORE

ARRAY

引脚配置

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

VCC

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

SOJ

22

21

20

19

18

17

16

15

引脚说明

符号

A0 - A14

I / O1 - I / O8

CS

WE

OE

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

A10

CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

A0

A1

A2

OE

A11

A9

A8

A13

WE

VCC

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

VCC

VSS

描述

地址输入

数据输入/输出

片选输入

写使能

OUTPUT ENABLE

电源

地

TSOP -I

型号示例

T14L256A-8J

T14L256A-8P

包装速度

SOJ

8ns

TSOP -I

8ns

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 1

出版日期：四月2001年

版本：电子

tm

TE

CH

T14L256A

DC特点绝对最大额定值

参数

电源电压VSS电位

投入到VSS电

功耗

储存温度

等级

-0.5 + 4.6

-0.5到+0.5的Vcc

1.0

-60到+150

单位

V

W

°

C

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压，低

输入电压，高

环境温度

符号

VCC

民

Typ-5%

-0.3

2.1

0

典型值

3.3

-

最大

Typ+5%

0.8

Vcc+0.3

70

单位

V

°

C

V

IL

V

IH

T

A

真值表

CS

H

L

OE

X

H

L

X

WE

X

H

L

模式

未选择

输出禁用

读

写

I / O1- I / O8

高-Z

数据输出

DATA IN

VCC

I

SB ，

I

SB1

ICC

工作特性

（VCC = 3.3V

±

5 ％， VSS = 0V ，TA = 0 70

°

C)

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出低电压

输出高电压

工作电源

电源电流

待机功耗

电源电流

符号。

I

LI

I

LO

测试条件

VIN = VSS到Vcc

V

I / O

= VSS至Vcc ，

OE

=

CS

=

V

IH

or

分钟。

-10

-

2.4

-

典型值。

-

MAX 。 UNIT

+10

uA

+10

uA

0.4

-

110

100

90

80

15

2

V

mA

V

IH

or

WE

= V

IL

V

OL

V

OH

ICC

I

SB

I

SB1

8

10

周期=分钟。

12

占空比= 100 ％

15

CS

=

V

IH

，周期= MIN ，占空比= 100 ％

I

OL

= + 8.0毫安

I

OH

= - 4.0毫安

CS =

V

IL

， I / O = 0毫安

CS

≥

VCC

-0.2V

注意：

典型的特征是在Vcc = 3.3V ， TA = 25

°

C

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 2

出版日期：四月2001年

版本：电子

tm

TE

CH

T14L256A

电容

（VCC = 3.3V ，TA = 25

°

C，F = 1兆赫）

参数

输入电容

输入/输出电容

符号

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

C

IN

C

I / O

注意：

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序参考电平

输出负载

条件

0V至3V

3纳秒

1.5V

C

L

=30pF,

I

OH

/

I

OL

= -4mA / 8毫安

AC测试负载和波形

R1 320欧姆

3.3V

产量

30pF

INCLUDING

夹具

范围

R2

350欧姆

5pF

INCLUDING

夹具

范围

R2

350欧姆

R1 320欧姆

3.3V

产量

（对于T

CLZ

, T

OLZ

, T

CHZ

, T

OHZ

, T

WHZ

, T

OW

)

3.0V

0V

3ns

90%

10%

90%

3ns

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 3

出版日期：四月2001年

版本：电子

tm

TE

CH

T14L256A

AC特性

(

VCC

=3.3V

±

5 ％， VSS = 0V ，TA = 0 70

°

C)

（ 1 ）读周期

T14L256A -8- T14L256A -10 T14L256A -12 T14L256A -1单元

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片选择访问时间

输出使能到输出有效

芯片选择到输出中低Z

输出使能到输出中低Z

芯片取消选择到输出中高Z

输出禁止到输出中高Z

从地址变更输出保持

符号。

分钟。马克斯。

分钟。

马克斯。

5

分钟。马克斯。

t

RC

t

AA

t

ACS

t

AOE

t

CLZ *

t

OLZ

t

CHZ *

t

OHZ

t

OH

8

-

3

0

-

2.5

-

8

5

-

4

-

10

-

3

0

-

3

-

10

6

-

5

-

12

-

3

0

-

3

-

12

7

-

6

-

15

-

3

0

3

-

15

7

-

7

-

ns

*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

（ 2 ）写周期

参数

写周期时间

芯片的选择要写入的结束

地址有效到写结束

地址建立时间

把脉冲宽度

写恢复时间

数据有效到写结束

从写结束数据保持

写在高Z输出

输出禁止到输出中高Z

输出写入结束活动

符号。

T14L256A - 8 T14L256A - 10 T14L256A - 12 T14L256A - 15

分钟。马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

单位

ns

t

WC

t

CW

t

AW

t

AS

t

WP

t

WR

t

DW

t

DH

t

WHZ

t

OHZ

t

OW

8

6

0

6

0

5

0

-

0

-

4

-

10

8

0

8

0

6

0

-

0

-

5

-

12

10

0

10

0

8

0

-

0

-

6

-

15

11

0

11

0

8

0

-

0

-

6

7

-

*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 4

出版日期：四月2001年

版本：电子

tm

（地址

TE

CH

T14L256A

时序波形

读周期1

控制）

TR

一个DDRE SS

t

到h

AA

吨OH

DO UT

读周期2

（片选

CS

TA （C S）

t

CLZ

的tC ^ h

控制）

DO UT

读周期3

（输出使能控制）

吨RC

DD的重新SS

t

AA

ê

t

一个OE

t

OH

吨OL

CS

t

ACS

t

OH

吨CLZ

的tC ^ h

D 2 O UT

DON 'T车e

联合国DEF教署

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 5

出版日期：四月2001年

版本：电子