TQP3M9009
高线性度LNA增益模块
应用
中继器
移动基础设施
LTE / WCDMA / EDGE / CDMA
通用无线
3引脚SOT- 89封装
产品特点
50-4000兆赫
21.8分贝增益@ 1.9 GHz的
39.5 dBm的输出IP3
1.3分贝噪声系数@ 1.9 GHz的
50欧姆的级联增益模块
无条件稳定
高输入功率能力
+ 5V单电源125 mA电流
SOT- 89封装
功能框图
GND
4
1
在RF
2
GND
3
RF OUT
概述
该TQP3M9009是一种级联，高线性增益模块
放大器的低成本表面贴装封装。 1.9
GHz时，放大器有针对性地提供21.8分贝增益，
39.5 dBm的OIP3和1.3分贝的噪音图，而只有
绘图125毫安电流。该装置安装在一个
无铅/绿色/符合RoHS标准的业界标准SOT- 89
使用镍钯金电镀，以消除包
可能性锡晶须。
该TQP3M9009具有高增益的好处
在较宽的频率范围内，同时还提供
非常低的噪声。这允许在这两个要使用的设备
接收机和发射机链的高性能
系统。该放大器是使用高内部匹配
高性能E- pHEMT工艺，只需要一个
外部RF扼流圈和拦截/旁路电容器
操作从单一的+ 5V电源。内部活跃
偏置电路也能稳定工作，偏见和
的温度变化。
该TQP3M9009覆盖0.05-4 GHz频段
并针对无线基础设施或其他
要求高线性度和/或低噪声的应用
图。
引脚配置
针＃
1
3
2, 4
符号
RF输入
RF输出/ VCC
地
订购信息
产品型号
TQP3M9009
TQP3M9009-PCB_IF
TQP3M9009-PCB_RF
描述
高线性度LNA增益模块
TQP3M9009 EVB 0.050.5 GHz的
TQP3M9009 EVB 0.5-4 GHz的
标准T / R的大小= 1000块一7“卷轴。
数据表：版本G 11年12月27日
2011 TriQuint半导体
-
1 10
-
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TQP3M9009
高线性度LNA增益模块
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
储存温度
RF输入功率， CW ， 50
,
T=25C
器件电压，V
dd
反向电压的设备
推荐工作条件
o
等级
参数
V
dd
T（下）
TJ （ for>10
6
小时平均无故障时间）
民
+3
-40
典型值最大值单位
+5
+5.25
85
190
V
o
C
o
C
-65 + 150℃
+23 dBm的
+7 V
-0.3 V
本装置的操作中给出的参数范围以外
上面可能会造成永久性的损害。
电气规格是在特定试验条件下测得的。
规格不能保证在所有推荐工作
条件。
电气规格
试验条件除非另有说明： + 25℃ ， + 5V V供电， 50
系统。
参数
工作频率范围
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
VDD
当前，国际直拨电话
热阻（ JNC到的情况下）
θ
jc
条件
民
50
20
典型
1900
21.8
13
14
+22
+39.5
1.3
+5
125
最大
4000
23
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
V
mA
o
C / W
见注1 。
+36.5
150
34
笔记
1.测量OIP3有两个音在+3 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制是
用于计算使用2 OIP3 ： 1的规则。
数据表：版本G 11年12月27日
2011 TriQuint半导体
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2 10
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TQP3M9009
高线性度LNA增益模块
应用电路配置
注意事项：
1.请参阅PC板布局，以获取更多信息第8页。
2.对丝网印刷，但尚未在原理图上示出的组件不被使用。
3. B1 (0
跳线）可以被替换为铜迹线在目标应用程序的布局。
4.推荐的元件值是依赖于工作频率。
5.所有组件的0603尺寸除非另有说明，在原理图。
物料清单
参考型号
Q1
C2, C6
C1
L2
D1
B1
1000 pF的
0.01 uF的
330 nH的
不要将
0
频率（MHz）
TQP3M9009-PCB_IF
TQP3M9009-PCB_RF
50 - 500
500 - 4000
TQP3M9009
100 pF的
0.01 uF的
68 nH的
注意事项：
1.性能可以在感兴趣的频率通过使用下表中示出建议的元件值进行优化。
参考
称号
C2, C6
L2
500
100 pF的
82 nH的
2000
22 pF的
22 nH的
频率（MHz）
2500
22 pF的
18 nH的
3500
22 pF的
15 nH的
数据表：版本G 11年12月27日
2011 TriQuint半导体
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4 10
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TQP3M9009
高线性度LNA增益模块
典型性能500-4000兆赫
试验条件除非另有说明： + 25℃ ， + 5V 125毫安， 50
系统。下面显示的数据上测量TQP3M9009 - PCB_RF 。
频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
OIP3 [1]
噪声系数[ 2 ]
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
25.7
12
11
+22.5
+41.4
0.9
900
24.7
12
13
+21.8
+40.5
0.9
1900
21.8
13
14
+22
+39.5
1.3
2700
20
13
10
+21.6
+39
1.7
3500
18.9
8
10
+21.8
+37.9
2.1
4000
18
6
11.5
+20.7
+35.8
2.4
注意事项：
1.
OIP3测量两个音在+3 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制是
用于计算使用2 OIP3 ： 1的规则。
2.
表中所示的噪声系数数据上面上测量评价板，它含有约0.1分贝@ 2GHz的板损失。
RF性能曲线
增益与频率温度过高
28
-40 C
-20 C
+25 C
+85 C
S11对频率随温度
0
+85 C
+25 C
-20
C
-40 C
S22 （ dB）的
S22对频率随温度
0
-40 C
-20
C
+25 C
+85 C
-5
S11（ dB）的
-5
24
增益（dB ）
-10
-10
20
-15
-15
16
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-20
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-20
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
噪声系数对频率随温度
4
+85 C
OIP3主场迎战噘/音调温度过高
频率= 1900兆赫， 1兆赫间距
45
45
OIP3对频率随温度
1 MHz的间距， 3 dBm的/音
3
NF（ dB）的
+25 C
OIP3 （ dBm的）
40
OIP3 （ dBm的）
40
-40 C
2
35
35
+25 C
+85 C
-40 C
1
30
+25 C
+85 C
-40 C
30
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
25
0
2
4
6
8
噘嘴/音（ DBM）
10
12
25
500
1000
1500
2000 2500 3000
噘嘴/音（ DBM）
3500
4000
频率（MHz）
数据表：版本G 11年12月27日
2011 TriQuint半导体
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