SPICE器件模型Si8429DB
Vishay Siliconix公司
P沟道1.2V （G -S ）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 69660
S- 80009Rev 。 A， 21 -JAN- 08
www.vishay.com
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SPICE器件模型Si8429DB
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
漏源导通电阻
a
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1
A
V
GS
=
1.5
V，I
D
=
1
A
V
GS
=
1.2
V，I
D
=
1
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
4
V，I
D
=
1
A
I
S
=
1
A，V
GS
= 0 V
0.60
0.031
0.036
0.043
0.049
0.066
10
0.60
0.70
0.029
0.035
0.043
0.051
0.065
S
V
V
A
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=
4
V, V
GS
=
5
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
4
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
4
V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1793
588
379
18
16
1.8
3.7
1640
590
380
24
21
1.8
3.7
nC
pF
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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文档编号： 69660
S- 80009Rev 。 A， 21 -JAN- 08
SPICE器件模型Si8429DB
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与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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