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SPICE器件模型Si8429DB
Vishay Siliconix公司
P沟道1.2V (G -S )的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型(子电路模型)
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷,瞬态,二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据,并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则,不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号: 69660
S- 80009Rev 。 A, 21 -JAN- 08
www.vishay.com
1
SPICE器件模型Si8429DB
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
漏源导通电阻
a
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
1
A
V
GS
=
2.5
V,I
D
=
1
A
漏源导通电阻
a
r
DS ( ON)
V
GS
=
1.8
V,I
D
=
1
A
V
GS
=
1.5
V,I
D
=
1
A
V
GS
=
1.2
V,I
D
=
1
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
4
V,I
D
=
1
A
I
S
=
1
A,V
GS
= 0 V
0.60
0.031
0.036
0.043
0.049
0.066
10
0.60
0.70
0.029
0.035
0.043
0.051
0.065
S
V
V
A
符号
测试条件
模拟
数据
数据
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=
4
V, V
GS
=
5
V,I
D
=
1
A
V
DS
=
4
V, V
GS
=
4.5
V,I
D
=
1
A
V
DS
=
4
V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
1793
588
379
18
16
1.8
3.7
1640
590
380
24
21
1.8
3.7
nC
pF
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300
s,
占空比
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号: 69660
S- 80009Rev 。 A, 21 -JAN- 08
SPICE器件模型Si8429DB
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
文档编号: 69660
S- 80009Rev 。 A, 21 -JAN- 08
www.vishay.com
3
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放弃
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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