SN74CBTLV3245A
低电压八路FET总线开关
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SCDS034M - 1997年7月 - 修订2005年8月
特点
标准的“ 245型引脚
5 Ω交换机两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
闭锁性能超过250毫安每
JESD 17
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
RGY包装
（ TOP VIEW ）
NC
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
NC
1
20
19
OE
18
B1
17
B2
16
B3
15
B4
14
B5
13
B6
12
B7
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC - 无内部连接
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该SN74CBTLV3245A提供了8位高速总线开关在一个标准的“ 245器件的引脚。低
导通状态的开关的电阻允许以最小的传播延迟进行的连接。
该设备被组织成一个8位的开关。当输出使能（OE ）为低电平时， 8位总线开关打开，和端口
A连接到端口B，当OE为高电平时，开关断开，并且之间存在高阻抗状态
两个端口。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保有害
当它断电电流不会通过器件倒流。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
QFN - RGY
SOIC - DW
-40 ° C至85°C
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
VFBGA - GQN
VFBGA - ZQN
(1)
包
(1)
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
SN74CBTLV3245ARGYR
SN74CBTLV3245ADW
SN74CBTLV3245ADWR
SN74CBTLV3245ADBQR
SN74CBTLV3245APWR
SN74CBTLV3245ADGVR
SN74CBTLV3245AGQNR
SN74CBTLV3245AZQNR
顶部端标记
CL245A
CBTLV3245A
CBTLV3245A
CL245A
CL245A
CL245A
CL245A
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 1997年至2005年，德州仪器
GND
B8
V
CC
SN74CBTLV3245A
低电压八路FET总线开关
SCDS034M - 1997年7月 - 修订2005年8月
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GQN或ZQN包装
（ TOP VIEW ）
1 2 3 4
A
B
C
D
E
端子分配
(1)
1
A
B
C
D
E
(1)
A1
A3
A5
A7
GND
2
NC
B2
A4
B6
A8
3
V
CC
A2
B4
A6
B8
4
OE
B1
B3
B5
B7
NC - 无内部连接
功能表
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
A1
SW
18
B1
9
A8
SW
11
B8
19
OE
简化原理图中，每个FET开关
2
A1
SW
18
B1
9
A8
SW
11
B8
19
OE
2
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SN74CBTLV3245A
低电压八路FET总线开关
SCDS034M - 1997年7月 - 修订2005年8月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
I
IK
电源电压范围
输入电压范围
(2)
连续通道电流
输入钳位电流
V
I / O
＆ LT ; 0
DBQ包装
(3)
DGV
θ
JA
封装的热阻抗
包
(3)
DW包装
(3)
PW包
(3)
RGY包装
(4)
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
–0.5
–0.5
最大
4.6
4.6
128
–50
68
92
58
83
37
150
°C
° C / W
单位
V
V
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
–40
2.3
1.7
2
0.7
0.8
85
最大
3.6
单位
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
3
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低电压八路FET总线开关
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
I
I
I
关闭
I
CC
I
CC
C
i
C
io的（OFF）的
(2)
测试条件
V
CC
= 3 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 0,
V
CC
= 3.6 V,
I
I
= -18毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
或V
O
= 0 3.6 V
I
O
= 0,
一个输入为3 V ，
OE = V
CC
V
I
= 0
V
I
= 1.7 V,
V
I
= 0
V
I
= 2.4 V,
I
O
= 64毫安
I
O
= 24毫安
I
O
= 15毫安
I
O
= 64毫安
I
O
= 24毫安
I
O
= 15毫安
V
I
= V
CC
或GND
其他输入在V
CC
或GND
最小值典型值
(1)
最大
–1.2
–0.8
±60
40
20
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
控制输入
数据输入
控制输入
控制输入
V
CC
= 3.6 V,
V
I
= 3 V或0
V
O
= 3 V或0 ，
V
CC
= 2.3 V,
典型的V
CC
= 2.5 V
4
9
5
5
27
5
5
10
8
8
40
7
7
15
r
（3）上
V
CC
= 3 V
(1)
(2)
(3)
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是V
CC
或GND 。
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图1）
参数
t
PD （1）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
1
1
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
6
6.1
1
1
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
4.7
6.4
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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参数测量信息
2 × V
CC
从输出
被测
C
L
（见注一）
R
L
V
CC
2.5 V ±0.2 V
3.3 V ±0.3 V
C
L
30 pF的
50 pF的
R
L
500
500
V
0.15 V
0.3 V
R
L
S1
开放
GND
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
2 × V
CC
GND
负载电路
V
CC
定时输入
t
w
V
CC
输入
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
电压波形
脉冲持续时间
V
CC
输入
t
PLH
产量
t
PHL
V
CC
/2
V
CC
/2
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
t
PHL
V
OH
V
CC
/2
V
OL
t
PLH
V
OH
产量
V
CC
/2
V
OL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
电压波形
建立和保持时间
V
CC
V
CC
/2
t
PZL
V
CC
/2
t
PZH
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
t
PLZ
V
CC
V
OL
+ V
t
PHZ
V
OH
V
V
OH
≈0 V
V
OL
数据输入
t
su
V
CC
/2
t
h
V
CC
V
CC
/2
0V
V
CC
/2
0V
产量
控制
产量
波形1
S1在2 ×V
CC
（见注B）
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注意事项： A.
L
包括探头和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z
O
= 50
,
t
r
≤
2纳秒，T
f
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
E.吨
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
F.吨
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
G·T
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
.
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
5
QQ：2881677436 复制
