Si4812BDY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.016在V
GS
= 10 V
0.021在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
9.5
7.7
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
LITTLE FOOT
PLUS
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V在1.0
I
F
(A)
1.4
D
8
7
6
5
顶视图
订货信息：
Si4812BDY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4812BDY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
D
D
D
D
肖特基二极管
G
N沟道MOSFET
S
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
极限
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150 ℃） （MOSFET）
A，B
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管
平均正向电流（肖特基）
脉冲正向电流（肖特基）
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
最大功率耗散（ MOSFET ）
A，B
最大功率耗散
（肖特基）
A，B
导通）
A，B
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
I
AS
E
AS
P
D
9.5
7.7
50
2.1
1.4
30
5
1.25
2.5
1.6
2.0
1.3
- 55 150
1.4
0.9
1.2
0.8
1.2
0.8
A
10 s
30
30
± 20
7.3
5.9
稳定状态
单位
V
L = 0.1 mH的
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
mJ
W
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（T
≤
10 s)
a
最大结到环境（ T =稳态）
a
最大结到脚（ T =稳态）
a
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
≤
10 s.
文档编号： 73038
S- 83039 -REV 。 D， 29日-12月08
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1
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
40
50
72
85
18
24
最大
50
60
90
100
23
30
单位
R
thJA
° C / W
R
thJF
Si4812BDY
Vishay Siliconix公司
MOSFET和肖特基规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
（ MOSFET和肖特基）
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
肖特基二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
0.3
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 9.5 A
8.5
3
2.6
0.7
15
13
20
8
22
1.1
25
20
30
15
35
ns
Ω
13
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100 °C
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.7 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.5 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
20
0.013
0.0165
45
0.45
0.33
0.50
0.42
0.016
0.021
0.004
0.7
3.0
1
3
± 100
0.100
10
20
A
Ω
S
V
mA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 73038
S- 83039 -REV 。 D， 29日-12月08
Si4812BDY
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
V
GS
= 10直通4 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
30
30
20
20
T
C
= 125 °C
10
25 °C
- 55 °C
0
0.0
10
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.030
1300
传输特性
0.025
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
C
国际空间站
1040
0.020
V
GS
= 4.5 V
0.015
V
GS
= 10 V
780
520
C
OSS
260
0.010
0.005
C
RSS
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
DS
= 15 V
I
D
= 9.5 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.5 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
1.4
4
1.2
3
1.0
2
1
0.8
0
0
2
4
6
8
10
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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Si4812BDY
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
0.05
I
S
- 源电流（ A）
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
T
J
= 150 °C
0.04
0.03
I
D
= 9.5 A
1
T
J
= 25 °C
0.02
0.01
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
50
导通电阻与栅极至源极电压
I
R
- 反向电流（mA ）
1
40
功率（W）的
0.1
30 V
30
0.01
0.001
10 V
20 V
20
0.0001
10
0.00001
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 结温（ ° C）
反向电流（肖特基）
100
受
R
DS （ ON）
*
10
单脉冲功率（ MOSFET ）
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
1
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结至外壳
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文档编号： 73038
S- 83039 -REV 。 D， 29日-12月08
Si4812BDY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
P
DM
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 72 ° C / W
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境（ MOSFET ）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境（肖特基）
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?73038 。
文档编号： 73038
S- 83039 -REV 。 D， 29日-12月08
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