SPICE器件模型Si2323CDS
Vishay Siliconix公司
P沟道20 V （D -S ）的MOSFET
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。该
子电路模型提取和优化，在 - 55°C
根据脉冲0 V至5 V + 125°C温度范围
栅极驱动。饱和输出阻抗是在最合适的
附近的阈值电压的栅极偏置。一种新颖的栅 - 漏
反馈电容网络用于栅极建模
充电特性，同时避免趋同
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数
值被优化，以提供最适合于所测量的
电数据，并且不打算作为一个确切的物理
解释器的。
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
精确的在 - 55 ° C至+ 125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向
恢复特性
子电路模型示意图
D
C
GD
M
2
G
R
G
Gy
+ –
ETCV
Gx
C
GS
M
1
R
1
3
DBD
S
记
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计者应该参考
相同数量的保证规范限制的适当的数据表。
文档编号： 66540
S10-0749 -REV 。 A， 05 -APR- 10
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1
SPICE器件模型Si2323CDS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
门源阈值电压
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 4.6 A
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 4.6 A
V
DS
= - 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1080
157
136
12
7.7
2.5
3.2
1090
155
135
16
9
2.5
3.2
nC
pF
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 μA
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 4.6 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 4.1 A
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 4.6 A
I
S
= - 3.7 A
0.75
0.032
0.039
18
- 0.75
-
0.032
0.041
20
- 0.80
V
S
V
符号
测试条件
模拟实测
数据
数据
单位
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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SPICE器件模型Si2323CDS
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比较模型的测量数据
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
20
4
T
J
= 125 °C
15
I
D
-
漏电流（ A）
V
GS
= 5 V, 4 V, 3.5 V, 3 V, 2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
3
10
2
T
J
= 25 °C
1
V
GS
= 2 V
5
T
J
= - 55 °C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
-
漏极至源极电压（ V）
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
0.10
2250
0.08
R
DS （ ON）
-
导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
1800
0.06
V
GS
= 2.5 V
0.04
1350
C
国际空间站
900
V
GS
= 4.5 V
0.02
450
C
RSS
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
5
10
15
20
C
OSS
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
I
D
= 4.6 A
100
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
4
I
S
-
来源
电流（A ）
V
DS
= 10 V
3
V
DS
= 24 V
2
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1
1
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
-
总
门
费（ NC ）
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
记
圆点和方块表示测得的数据。
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放弃
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应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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修订： 18 -JUL- 08
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Si2323CDS
Vishay Siliconix公司
P沟道20 V （D -S ）的MOSFET
特点
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
0.039在V
GS
= -4.5 V
-20
0.050在V
GS
= -2.5 V
0.063在V
GS
= -1.8 V
I
D
(A)
a
-6
e
-5.8
-5.1
9 NC
Q
g
（典型值）。
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
应用
- 负荷开关
PA的开关
DC / DC转换
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶部
意见
Si2323CDS （P3） *
*标识代码
订货信息：
Si2323CDS -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
-20
±8
-6
e
-5.2
-4.6
B，C
-3.7
B，C
-20
-2.1
-1
B，C
2.5
1.6
1.25
B，C
0.8
B，C
-55到150
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
5
s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
75
40
最大
100
50
单位
° C / W
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为166 ° C / W 。
。包装有限。
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S13-2081 -REV 。 B， 30月， 13
如有技术问题，请联系：
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Si2323CDS
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MOSFET规格
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= -3.7 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= -3.7 A
-0.8
30
20
17
13
T
C
= 25 °C
-2.1
-20
-1.2
45
40
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -10 V ，R
L
= 2.7
I
D
= -3.7 A，V
根
= -4.5 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
0.8
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4.6 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= -2.5 V，I
D
= -4.6 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1090
155
135
16
9.3
2.5
3.2
4.1
15
23
40
12
8.2
23
35
60
20
ns
25
15
nC
pF
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
DS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
-5
V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4.6 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -4.1 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -3.6 A
V
DS
= -5 V，I
D
= -4.6 A
-20
0.032
0.041
0.050
20
0.039
0.050
0.063
S
-0.4
-20
-14
2.4
-1
± 100
-1
-10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
20
V
GS
= 5
V
THRU 2
V
15
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
3
T
C
= 125 °C
2
T
C
= 25 °C
1
T
C
= - 55 °C
V
GS
= 1
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
4
10
V
GS
= 1.5
V
5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
DS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.10
2250
C
国际空间站
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
- 电容（pF ）
V
GS
= 1.8
V
0.06
V
GS
= 2.5
V
0.04
V
GS
= 4.5
V
0.02
450
C
RSS
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
1800
传输特性
1350
900
C
OSS
5
10
15
20
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
5
I
D
= 4.6 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
V
DS
= 10
V
3
V
DS
= 5
V
2
V
DS
= 16
V
1.4
1.6
电容
V
GS
= 4.5
V,
I
D
= 4.6 A
V
GS
= 2.5
V,
I
D
= 4.1 A
1.2
1.0
1
0.8
0
0
4
8
12
16
20
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.15
I
D
= 4.6 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.12
I
S
- 源电流（ A）
10
0.09
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.06
T
J
= 125 °C
0.03
T
J
= 25 °C
0.1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.8
I
D
= 250
A
0.7
8
0.6
V
GS （ TH）
(V)
功率（W）的
6
10
导通电阻与栅极至源极电压
0.5
4
0.4
2
T
A
= 25 °C
0.3
0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
100
s
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.1
BVDSS
有限
1s
10秒， DC
单脉冲功率
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
8
6
I
D
- 漏电流（ A）
包装有限公司
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
3.0
1.0
2.5
0.8
2.0
功率（W）的
功率（W）的
0
25
50
75
100
125
150
0.6
1.5
0.4
1.0
0.2
0.5
0.0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
动力方面，结到脚
动力方面，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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