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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1292页 > SN74AHCT595D
SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
SCLS374F - 1997年5月 - 修订2000年1月
D
D
D
D
D
D
D
EPIC
(增强型性能注入
CMOS)工艺
输入是TTL电压兼容
8位串行输入,并行输出移位
移位寄存器可以直接清除
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
封装选择包括塑料
小外形封装( D) ,收缩型小外形
( DB ) ,超薄紧缩小外形( PW )和
陶瓷平板(W )封装,陶瓷片
电信运营商( FK )和标准塑料( N)和
陶瓷(J )下降
SN54AHCT595 。 。 。 J或W包装
SN74AHCT595 。 。 。 D, DB , N,或PW包装
( TOP VIEW )
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Q
A
SER
OE
RCLK
SRCLK
SRCLR
Q
H′
SN54AHCT595 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
Q
C
Q
B
NC
V
CC
Q
A
Q
D
Q
E
NC
Q
F
Q
G
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
描述
的' AHCT595器件包含一个8位串行输入,
馈送一个8位D型并行输出移位寄存器
存储寄存器。存储寄存器具有并行
三态输出。提供了用于分离的时钟
移位和存储寄存器。移位寄存器
有一个压倒一切的直接清除( SRCLR )输入,串行
( SER )输入,以及用于级联的串行输出。
当输出使能(OE )输入为高时,
输出处于高阻抗状态。
SER
OE
NC
RCLK
SRCLK
Q
H
GND
NC
Q
H
NC - 无内部连接
两个移位寄存器时钟( RCLK )和存储寄存器时钟( SRCLK )是正边沿触发。如果两个
时钟被连接到一起时,移位寄存器始终是一个时钟脉冲超前的存储寄存器中。
该SN54AHCT595的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
该SN74AHCT595的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
EPIC是德州仪器的商标。
除非另有说明这个文件包含了生产
数据信息为出版日期。产品符合
每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有的测试
参数。
邮政信箱655303
版权
2000年,德州仪器
达拉斯,德克萨斯州75265
SRCLR
1
SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
SCLS374F - 1997年5月 - 修订2000年1月
功能表
输入
SER
X
X
X
L
H
X
X
X
SRCLK
X
X
X
X
X
SRCLR
X
X
L
H
H
H
X
X
RCLK
X
X
X
X
X
X
OE
H
L
X
X
X
X
X
X
功能
输出QA - QH被禁用。
输出QA - QH启用。
移位寄存器清零。
该移位寄存器的第一级变低。
其他阶段存储前级的数据,分别
该移位寄存器的第一级变高。
其他阶段存储前级的数据,分别
移位寄存器的状态不会改变。
移位寄存器中的数据被存储到存储寄存器。
存储寄存器状态没有改变。
逻辑符号
OE
RCLK
13
12
EN3
C2
SRG8
R
C1/
14
15
1D
2D
3
1
2
3
4
5
6
2D
3
7
9
10
SRCLR
SRCLK
11
SER
QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
QH “
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数都为D, DB ,J ,N , PW ,和W包。
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
SCLS374F - 1997年5月 - 修订2000年1月
逻辑图(正逻辑)
OE
RCLK
SRCLR
SRCLK
SER
13
12
10
11
14
1D Q
C1
R
3D
C3 Q
15
QA
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
1
QB
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
2
QC
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
3
QD
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
4
QE
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
5
QF
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
6
QG
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
7
QH
QH “
9
显示引脚数都为D, DB ,J ,N , PW ,和W包。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
SCLS374F - 1997年5月 - 修订2000年1月
时序图
SRCLK
SER
RCLK
SRCLR
OE
QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
QH “
4
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
SCLS374F - 1997年5月 - 修订2000年1月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输出电压范围,V
O
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入钳位电流,I
IK
(V
I
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20毫安
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0或V
O
& GT ; V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20
mA
连续输出电流,I
O
(V
O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±25
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±50
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
DB包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释:1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
推荐工作条件(见注3 )
SN54AHCT595
VCC
VIH
VIL
VI
VO
IOH
IOL
ΔT/ ΔV
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升或下降速率
0
0
4.5
2
0.8
5.5
VCC
–8
8
20
0
0
最大
5.5
SN74AHCT595
4.5
2
0.8
5.5
VCC
–8
8
20
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
TA
工作自由空气的温度
–55
125
–40
85
°C
注3 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
产品预览资料涉及产品的形成或
开发设计阶段。特征数据和其他
规格是设计目标。德州仪器公司保留权利,以
变更通知或不通知终止这些产品。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
SCLS374L - 1997年5月 - 修订2004年2月
D
D
D
D
D
输入是TTL电压兼容
8位串行输入,并行输出移位
移位寄存器可以直接清除
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
SN54AHCT595 。 。 。 J或W包装
SN74AHCT595 。 。 。 D, DB ,N , NS ,或PW包装
( TOP VIEW )
描述/订购信息
的' AHCT595器件包含一个8位串行输入,
馈送一个8位D型并行输出移位寄存器
存储寄存器。存储寄存器具有并行
三态输出。提供了用于分离的时钟
移位和存储寄存器。移位寄存器
有一个压倒一切的直接清除( SRCLR )输入,串行
( SER )输入,以及用于级联的串行输出。
当输出使能(OE )输入为高时,
输出处于高阻抗状态。
两个移位寄存器时钟( SRCLK )和存储
寄存器时钟( RCLK )是正沿触发。
如果两个时钟被连接在一起,所述移
总登记是超前的一个时钟脉冲
存储寄存器。
Q
B
Q
C
Q
D
Q
E
Q
F
Q
G
Q
H
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Q
A
SER
OE
RCLK
SRCLK
SRCLR
Q
H′
SN54AHCT595 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
Q
D
Q
E
NC
Q
F
Q
G
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC
Q
A
SER
OE
NC
RCLK
SRCLK
TOP- SIDE
记号
Q
H
GND
NC
Q
H
Q
C
Q
B
NC - 无内部连接
订购信息
TA
PDIP - N
SOIC - D
-40 ° C至85 C
40 C 85°C
SOP - NS
SSOP - DB
TSSOP - PW
CDIP - J
55 C 125°C
-55°C至125°C
CFP - 含
LCCC - FK
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74AHCT595N
SN74AHCT595D
SN74AHCT595DR
SN74AHCT595NSR
SN74AHCT595DBR
SN74AHCT595PW
SN74AHCT595PWR
SNJ54AHCT595J
SNJ54AHCT595W
SNJ54AHCT595FK
HB595
SNJ54AHCT595J
SNJ54AHCT595W
SNJ54AHCT595FK
AHCT595
AHCT595
HB595
SN74AHCT595N
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
除非另有说明这个文件包含了生产
数据信息为出版日期。产品符合
每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有的测试
参数。
邮政信箱655303
版权
2004年,德州仪器
达拉斯,德克萨斯州75265
SRCLR
1
SCLS374L - 1997年5月 - 修订2004年2月
SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
功能表
输入
SER
X
X
X
L
H
X
SRCLK
X
X
X
X
SRCLR
X
X
L
H
H
X
RCLK
X
X
X
X
X
OE
H
L
X
X
X
X
功能
输出QA - QH被禁用。
输出QA - QH启用。
移位寄存器清零。
该移位寄存器的第一级变低。
其他阶段存储前级的数据,分别
该移位寄存器的第一级变高。
其他阶段存储前级的数据,分别
移位寄存器中的数据被存储在存储寄存器中。
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
SCLS374L - 1997年5月 - 修订2004年2月
逻辑图(正逻辑)
OE
RCLK
SRCLR
SRCLK
SER
13
12
10
11
14
1D Q
C1
R
3D
C3 Q
15
QA
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
1
QB
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
2
QC
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
3
QD
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
4
QE
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
5
QF
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
6
QG
2D Q
C2
R
3D
C3 Q
7
QH
QH “
9
显示引脚数都为D, DB ,J ,N , NS , PW ,和W包。
邮政信箱655303
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3
SCLS374L - 1997年5月 - 修订2004年2月
SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
时序图
SRCLK
SER
RCLK
SRCLR
OE
QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
QH “
注意:
意味着输出处于三态模式。
4
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SN54AHCT595 , SN74AHCT595
8位移位寄存器
具有三态输出寄存器
SCLS374L - 1997年5月 - 修订2004年2月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输出电压范围,V
O
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入钳位电流,I
IK
(V
I
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20毫安
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0或V
O
& GT ; V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20
mA
连续输出电流,I
O
(V
O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±25
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±50
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
DB包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释:1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件(见注3 )
SN54AHCT595
VCC
VIH
VIL
VI
VO
IOH
IOL
ΔT/ ΔV
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升或下降速率
0
0
4.5
2
0.8
5.5
VCC
8
8
20
0
0
最大
5.5
SN74AHCT595
4.5
2
0.8
5.5
VCC
8
8
20
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
TA
工作自由空气的温度
55
125
40
85
°C
注3 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
产品预览资料涉及产品的形成或
开发设计阶段。特征数据和其他
规格是设计目标。德州仪器公司保留权利,以
变更通知或不通知终止这些产品。
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5
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型号
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SN74AHCT595D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
SN74AHCT595D
TI
24+
9518
SOP16
全新原装现货,欢迎询购!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
SN74AHCT595D
TI
21+
12000
SOIC (D)
███全新原装正品,可配单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
SN74AHCT595D
Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC
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