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增强
迪FF erential
接收器
特点
s
3.3V和5V电源选项
s
250PS传播延迟
s
非常高的电压增益与标准EL16或EL16V
s
理想的脉冲放大器和限幅放大器
应用
s
数据同步启用/禁用( / EN )上Q
HG
/Q
HG
提供的完整无毛刺选通
输出
s
理想的选通定时信号
s
高品质,高频率的完整解决方案
晶体振荡器的应用
s
内置75K欧姆输入上拉下拉电阻
s
可用两个8和16引脚SOIC封装; 8
10引脚(3mm )和MSOP封装的裸片形式
SY10EL16VA-VF
SY100EL16VA-VF
描述
该SY10 / 100EL16VA -VF是差分接收器。
该设备相当于SY10 / 100EL16或SY10 /
100EL16V与增强功能。在Q
HG
, /Q
HG
输出具有比DC大的直流增益几次
增益的Q输出。
该SY10 / 100EL16VA具有相同的引出线向
SY10 / 100EL16或SY10 / 100EL16V 。它提供了一个V
BB
输出为任一单端应用程序或作为直流
偏压为AC耦合到设备。
该SY10 / 100EL16VB是非常相似的SY10 /
100EL16VA 。在/ Q输出提供反馈
的目的。
该SY10 / 100EL16VC提供AN / EN输入是
同的方式将数据输入(D)的信号同步的那
提供了Q的无毛刺门
HG
和/ Q
HG
输出。当
的/ EN信号为低电平时,输入被传递到输出和
的数据输出等于输入的数据。当输入的数据为
高和/ EN变为高电平,这将迫使在Q
HG
低,
在/ Q
HG
高的数据的下一个负转变
输入。如果数据输入为低电平时, / EN为高电平时,
下一个数据转换到高电平将被忽略和Q
HG
遗体
LOW和/ Q
HG
仍然很高。的下一个正跳变
输入的数据是不是传递给下这些数据输出
条件。在Q
HG
和/ Q
HG
输出保持在其解散
只要/ EN输入保持高体健的状态。在/ EN
输入对/ Q输出没有影响,数据输入的是
在(倒)传递给此输出EN是否/为高或
低。该配置是理想的晶体振荡器的应用
系统蒸发散,其中该振荡器可以是自由运行的,并选通
和关闭同步,无需添加额外计数到
输出。
该SY10 / 100EL16VD提供的所有灵活性
裸片形式的组合,采用16引脚150mil SOIC封装或
采用10引脚MSOP封装。采用16引脚SOIC和10引脚MSOP
套票适用于原型芯片应用。
该SY10 / 100EL16VE类似于SY10 / 100EL16VB
其中, Q, / Q输出不同的提供。在这
封装选项,V
BB
不再提供。
该SY10 / 100EL16VF类似于SY10 / 100EL16VC ,
提供了D, / D输入,而不是V
BB
输出。
引脚名称
D
Q
Q
HG
V
BB
/ EN
数据输入
数据输出
数据输出瓦特/高增益
参考电压输出
使能输入
功能
真值表
/ EN
0
1
数据
逻辑低
QHG输出
冯: L
修订: / 1
1
发行日期: 2000年7月
麦克雷尔
SY10EL16VA-VF
SY100EL16VA-VF
引脚配置/框图
NC
D
/D
V
BB
1
8
V
CC
Q
HG
/Q
HG
V
EE
2
7
3
6
4
5
SY10/100EL16VA
5V / 3.3V的差分接收器瓦特/高增益
(提供8引脚SOIC和8引脚MSOP )
Q
/Q
D
1
8
V
CC
Q
HG
/Q
HG
V
EE
2
7
3
6
Q
/Q
D
/D
D
V
BB
1
8
V
CC
Q
HG
/Q
HG
V
EE
/D
4
5
2
7
SY10/100EL16VE
EL16VB W /差分Q, QB输出(无V
BB
)
(提供8引脚SOIC和8引脚MSOP )
3
6
4
5
SY10/100EL16VB
EL16VA瓦特/额外QB输出
(提供8引脚SOIC和8引脚MSOP )
/Q
D
/D
/ EN
1
2
3
LEN Q
BB
8
7
6
OE
LATCH
V
CC
Q
HG
/Q
HG
V
EE
4
D
5
/Q
D
V
BB
/ EN
1
2
3
LEN Q
V
BB
OE
8
7
6
LATCH
V
CC
Q
HG
/Q
HG
V
EE
SY10/100EL16VF
EL16VC W /差分数据输入
(提供8引脚SOIC和8引脚MSOP )
4
D
5
SY10/100EL16VC
EL16VB W /使能输入
(提供8引脚SOIC和8引脚MSOP )
2
麦克雷尔
SY10EL16VA-VF
SY100EL16VA-VF
引脚配置/框图
NC
Q
/Q
D
Q
/Q
D
/D
VBB
1
2
3
4
5
10 VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
V
CC
Q
HG
/Q
HG
V
EE
/ EN
NC
NC
/D
9
QHG
SOIC
Z16-2
V
BB
MSOP
K10-1
8
7
6
/ QHG
NC
VEE
NC
/ EN
SY10/100EL16VDKC
EL16VDXC封装采用10引脚MSOP
SY10/100EL16VDZC
EL16VDXC封装采用16引脚SOIC
芯片版图
裸片形式的所有选项瓦特/额外的Q输出和V
BB
产量
芯片尺寸(密耳) 39 X 52 X 14.5
Q
V
CC
/Q
Q
HG
D
OE
/D
LEN Q
LATCH
D
V
BB
V
BB
/Q
HG
/ EN
V
EE
SY10/100EL16VDXC
DIE
顶视图
3
麦克雷尔
SY10EL16VA-VF
SY100EL16VA-VF
DC电气特性
(1)
V
EE
= V
EE
(分钟)至V
EE
(最大值) ,V
CC
= GND
T
A =
–40
°
C
符号
I
EE
参数
电源
当前
10EL
100EL
分钟。
–1.43
–1.38
典型值。
马克斯。
40
40
分钟。
T
A =
0
°
C
典型值。
马克斯。
40
40
T
A =
+25
°
C
分钟。
典型值。
马克斯。
40
40
分钟。
T
A =
+85
°
C
典型值。
马克斯。
40
46
V
–1.30 –1.38
–1.26 –1.38
150
–1.27 –1.35
–1.26 –1.38
150
–1.25 –1.31
–1.26 –1.38
150
–1.19
–1.26
150
A
单位
mA
V
BB
输出参考
电压
10EL
100EL
输入高电流
I
IH
注意:
在指定1参数的值:
10 / 100EL16VA - VF系列:
-3.0V至-5.5V 。
AC电气特性
(4)
V
EE
= V
EE
(分钟)至V
EE
(最大值) ,V
CC
= GND
T
A =
–40
°
C
符号
t
PLH
t
PHL
参数
传播延迟
Q, / Q输出
D(的Diff )
D( SE )
Q
HG
, /Q
HG
产量
D(的Diff )
D( SE )
建立时间
保持时间
占空比偏移
(1)
( DIFF )
V
PP
V
CMR
tr
tf
最小输入摆幅
(2)
150
5
225
–0.4
350
150
–1.4
100
5
225
20
–0.4
350
150
–1.4
100
5
225
20
–0.4
350
150
–1.4
100
5
225
20
–0.4
350
ps
mV
V
ps
/ EN
/ EN
分钟。
典型值。
150
150
马克斯。
350
400
650
700
分钟。
T
A =
0
°
C
典型值。
150
150
马克斯。
350
400
650
700
T
A =
+25
°
C
分钟。
典型值。
150
150
马克斯。
350
400
650
700
T
A =
+85
°
C
分钟。
典型值。
150
150
MAX 。 UNIT
ps
380
430
730
780
ps
ps
t
S
t
H
t
SKEW
共模范围
(3)
–1.3
输出Q
上升/下降时间
(20%至80%)
100
注意事项:
1.占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
2.最小输入摆幅为其AC参数的保证。该装置具有一个直流增益
40 Q, / Q输出及直流增益
200或更高,以
/Q
HG
/Q
HG
输出。
3. CMR的范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。如果高电平落入指定获得正常操作
范围和峰 - 峰电压位于V的
PP
分钟。和1V 。 CMR中范围的下端而变化1: 1结合V
EE
。在规格表中的数字
假定标称V
EE
= -3.3V 。注意,对于PECL电操作,在V
CMR
(分)将其固定在3.3V - | V
CMR
(分钟)| 。
10 / 100EL16VA - VF系列:在指定的4参数的值:
-3.0V至-5.5V 。
4
麦克雷尔
SY10EL16VA-VF
SY100EL16VA-VF
时序图
D
t
S
EN
t
H
Q
Q
HG
产品订购代码
订购
CODE
SY10EL16VAZC
SY10EL16VAZCTR
SY100EL16VAZC
SY100EL16VAZCTR
SY10EL16VBZC
SY10EL16VBZCTR
SY100EL16VBZC
SY100EL16VBZCTR
SY10EL16VCZC
SY10EL16VCZCTR
SY100EL16VCZC
SY100EL16VCZCTR
SY10EL16VDZC
SY10EL16VDZCTR
SY100EL16VDZC
SY100EL16VDZCTR
SY10EL16VEZC
SY10EL16VEZCTR
SY100EL16VEZC
SY100EL16VEZCTR
SY10EL16VFZC
SY10EL16VFZCTR
SY100EL16VFZC
SY100EL16VFZCTR
TYPE
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z16-2
Z16-2
Z16-2
Z16-2
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
Z8-1
操作
范围
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V
EE
范围
(V)
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
订购
CODE
SY10EL16VAKCTR
SY100EL16VAKCTR
SY10EL16VBKCTR
SY100EL16VBKCTR
SY10EL16VCKCTR
SY100EL16VCKCTR
SY10EL16VDKCTR
SY100EL16VDKCTR
SY10EL16VEKCTR
SY100EL16VEKCTR
SY10EL16VFKCTR
SY100EL16VFKCTR
SY10EL16VDXC
SY100EL16VDXC
TYPE
K8-1
K8-1
K8-1
K8-1
K8-1
K8-1
K10-1
K10-1
K8-1
K8-1
K8-1
K8-1
DIE
DIE
操作
范围
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V
EE
范围
(V)
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
-3.0 ,以-5.5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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