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SMG2302N
公司Bauelemente
3.4 A， 20 V ，R
DS （ ON）
76 m
N沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET采用高
细胞密度沟槽过程中提供低R
DS （ ON）
并
保证最小的功率损耗和散热。典型
应用程序
A
3
SC-59
L
3
顶视图
C B
1
2
2
特点
1
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和扩展
电池寿命。
低热阻抗的铜引线框架SC- 59
节省电路板空间。
快速开关速度。
高性能沟道技术。
K
E
D
F
G
H
J
应用
的DC- DC转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机，
PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.25
3.00
1.30
1.70
1.00
1.40
1.70
2.30
0.35
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.10 REF 。
0.40 REF 。
0.10
0.20
0.45
0.55
0.85
1.15
包装信息
包
SC-59
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（二极管传导）
1
功耗
1
工作结存储温度范围
P
D
@ T
A
=25°C
P
D
@ T
A
=70°C
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
TJ ， TSTG
评级
20
±8
3.4
2.2
10
1.6
1.25
0.8
-55 ~ 150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
热电阻额定值
最大结到环境
1
注意事项：
1表面装在1 “×1” FR4板。
2脉冲宽度有限的最高结温。
t
≦
5秒
稳定状态
R
JA
100
166
°C
/ W
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
2月11日2011版本A
第1页4
SMG2302N
公司Bauelemente
3.4 A， 20 V ，R
DS （ ON）
76 m
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏源导通电阻
1
正向跨导
1
二极管的正向电压
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
分钟。
0.7
-
-
-
7
-
-
-
-
典型值。
0.8
-
-
-
-
-
-
7
0.7
马克斯。
1.2
100
1
10
-
76
103
-
-
单位
V
nA
μA
A
m
S
V
测试条件
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
DS
=0, V
GS
=8V
V
DS
=16V, V
GS
=0
V
DS
=20V, V
GS
= 0, T
J
= 55°C
V
DS
=5V, V
GS
=4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.4A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.9A
V
DS
= 5V ，我
D
=1.5A
I
S
= 1.6A ，V
GS
=0
动态
2
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.5
0.55
0.95
815
175
106
5
8
11
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nS
V
DD
=10V, V
根
=4.5V,
R
L
=6, R
G
=6
pF
V
DS
=15V, V
GS
=0,
f=1MHz
nC
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
D
=3.4A
注意事项：
1脉冲测试： PW
≦
300我们占空比
≦
2%.
通过设计2保证，不受生产测试。
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规范的任何更改将不个别通知。
2月11日2011版本A
第2页4
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3.4 A， 20 V ，R
DS （ ON）
76 m
N沟道增强型MOSFET
特性曲线
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第3页4
SMG2302N
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3.4 A， 20 V ，R
DS （ ON）
76 m
N沟道增强型MOSFET
特性曲线
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2月11日2011版本A
第4页4
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