SW-442
砷化镓SPDT开关终止
DC - 3.0 GHz的
特点
低插损为0.5 dB（典型）高达1 GHz的
高隔离： > 38分贝@ 900 MHz的
低功耗： < 10μA @ -3 V
正或负2.5到8 V控制
低成本SOT- 26封装
可提供无铅版本： MASW - 007935
V4版本
功能原理图
正控制电压
描述
M / A - COM的SW- 442是在砷化镓单片开关
低成本的SOT- 26表面贴装塑料封装。
开关SW- 442非常适合于应用
非常低的功率消耗，低插入损耗和
非常小的尺寸是必需的。
典型的应用是在双频带系统其
需要小的信号分量之间的切换
如滤波器组，单频段LNA的，转换器
等。 SW- 442可用于在应用到
0.25瓦在诸如CDMA ， W-CDMA系统，
的PCS ，DCS1800 ，GSM和其它模拟/数字
无线通信系统。
开关SW- 442是使用成熟0.5微米的制造
砷化镓pHEMT工艺。该工艺具有全
钝化，以提高性能和
可靠性。
功能原理图
消极的控制电压
订购信息
1,2
产品型号
SW-442-PIN
SW-442TR
SW-442SMB
包
散装包装
1000件卷轴
样品板
DC - 3.0 GHz的调谐
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
功能
RF1
GND
RF2
V2
RFC
V1
描述
RF输入/输出
射频地
RF输入/输出
V控制2
射频共
V控制1
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.所有样品板包括5个零件松动。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SW-442
砷化镓SPDT开关终止
DC - 3.0 GHz的
参数
插入损耗
4
测试条件
DC- 1GHz的
1-2千兆赫
2-3千兆赫
DC- 1GHz的
1-2千兆赫
2-3千兆赫
DC- 2GHz的
2-3千兆赫
500兆赫 - 3 GHz的
500兆赫 - 3 GHz的
2音900兆赫， 5兆赫间距， 10 dBm的每一个音
2音900兆赫， 5兆赫间距， 10 dBm的每一个音
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，50％控制在10％的射频
带内
VCTL = -3V
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
比
比
DBM
DBM
DBM
DBM
nS
nS
mV
A
分钟。
—
—
—
36
25
21
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.5
0.8
1.1
38
28
22
1.4:1
1.6:1
24
28
80
50
40
60
10
6
V4版本
电气规格：吨
A
= 25 ° C，Z
0
= 50
3
, V
CTL
= -3V （除非另有规定）
马克斯。
0.7
1.0
1.25
—
—
—
1.5:1
1.7:1
—
—
—
—
—
—
—
15
隔离
VSWR
P
1dB
（ 2.7 V电源）
P
1dB
（ 5 V电源）
IP
2
（ 2.7 V电源）
IP
3
（ 2.7 V电源）
T
上升
, T
秋天
T
on
, T
关闭
瞬变
控制电流
3.外部隔直流电容器所使用的正电压控制时，需要对所有RF端口。
4.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000 pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5千兆赫 - 3 GHz的。
绝对最大额定值
5,6
参数
输入功率（ 0.5 - 3.0 GHz的）
3 V控制
5 V控制
工作电压
工作温度
储存温度
真值表
模式
（控制）
积极
7
绝对最大
+30 dBm的
+33 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
V1
0 + 0.2 V
+2.5至+ 8
V
V2
+2.5至+ 8
V
0 + 0.2 V
RFC -
RF1
On
关闭
关闭
On
RFC -
RF2
关闭
On
On
关闭
负
8
0 + 0.2 V -2.5 -8 V
-2.5 -8 V 0 + 0.2 V
5.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
6， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
7.外部隔直流电容器所需的所有RF端口
和GND 。接地电容器可与阳性对照使用
电压产生共鸣引线电感为改善隔离。
8.如果使用阴性对照，隔直流电容器和GND
电容器不是必需的。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SW-442
砷化镓SPDT开关终止
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线
输出VSWR与频率随温度
2.0
V4版本
输入VSWR与频率随温度
2.0
1.8
+25°C
-40°C
+85°C
1.8
+25°C
-40°C
+85°C
1.6
1.6
1.4
1.4
1.2
1.2
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
隔离与频率随温度
（阳性对照）
50
CGDN=8pF
隔离与频率随温度
（阴性对照）
60
25°C
-40°C
+85°C
40
50
CGDN=39pF
40
30
30
20
20
10
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率随温度
（阳性对照）
3.0
CGDN=8pF
插入损耗与频率随温度
（阴性对照）
1.50
25°C
-40°C
+85°C
2.5
CGDN=39pF
1.25
2.0
1.00
1.5
0.75
1.0
0.50
0.5
0.25
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SW-442
砷化镓SPDT开关终止
DC - 3.0 GHz的
SOT- 26塑料包装
V4版本
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求。
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
4
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
砷化镓SPDT开关终止， DC - 3.0 GHz的
SW-442
SW-442
砷化镓SPDT开关终止
DC - 3.0 GHz的
特点
低成本的塑料SOT- 26封装
低插入损耗<0.6分贝@ 900 MHz的
高隔离>38分贝@ 900 MHz的
低功耗<10μA @ + 3V
正或负2.5到8 V控制
SOT- 26塑料包装
描述
M / A - COM的SW- 442是一种低成本的砷化镓单片开关
SOT- 26表面贴装塑料封装。在SW- 442是理想
适合于各种应用，其中非常低的功率消耗，低
插入损耗，非常小的尺寸和低成本是必需的。典型
应用是在双频带系统中的切换
小信号部分是必需的，如滤波器组，单
频段LNA的，转换器等。 SW- 442可以在应用程序中使用
系统蒸发散到0.25瓦在诸如CDMA ， W-CDMA系统，
的PCS ，DCS1800 ，GSM和其它模拟/数字无线commu-
通信业系统。
开关SW- 442是使用成熟0.8微米的GaAs制成
MESFET工艺。该工艺的特点完全钝化
增强的性能和可靠性。
XX ＃
销1
订购信息
产品型号
SW- 442 PIN
SW-442TR
SW-442RTR
SW-442SMB
包
SOT- 26塑料包装
1
正向磁带和卷轴
1
相反的磁带和卷轴
样品板
电气规格牛逼
A
= 25°C
参数
插入损耗
测试条件
DC - 1 GHz的
12 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
500兆赫 - 3 GHz的
500兆赫 - 3 GHz的
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
隔离
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
分钟。
36
25
21
VSWR
P
1dB
（ 2.7V电源）
P
1dB
（ 5V电源）
IP
2
（ 2.7V电源）
IP
3
（ 2.7V电源）
T
上升
,
T
秋天
T
on
,
T
关闭
瞬变
栅极泄漏
典型值。
0.5
0.8
1.1
38
28
22
1.4:1
1.6:1
24
28
80
50
40
60
10
6
马克斯。
0.7
1.0
1.25
1.5:1
1.7:1
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
ns
mV
A
2音900兆赫， 5兆赫间距， 10 dBm的每一个音
2音900兆赫， 5兆赫间距， 10 dBm的每一个音
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，控制到10％的射频
带内
V
CTL
= 2.5V
15
V2.00
AMP公司的M / A- COM司
3
北美：电话。 （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
3
亚洲/太平洋地区：电话： + 81 44 844 8296 ，传真+81 44 844 8298
3
欧洲：电话。 +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
www.macom.com
AMP连接，并在更高层次上的商标。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
砷化镓SPDT开关终止， DC - 3.0 GHz的
SW-442
绝对最大额定值
参数
输入功率（ 0.5 - 3.0 GHz的）
3V控制
5V控制
工作电压
工作温度
储存温度
1
功能原理图
正控制电压
C=39pF
C=100pF
C=100pF
绝对最大
+30 dBm的
+33 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
V1
RFC
V2
1.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏。
RF1
GND
RF2
销1
真值表
模式
（控制）
积极
1
负
2
V1
0±0.2V
+2.5至+ 8V
0±0.2V
-2.5V至-8V
CGND
C=39pF
C=39pF
V2
+2.5至+ 8V
0±0.2V
-2.5V至-8V
0±0.2V
RFC - RFC RF1 - RF2
On
关闭
关闭
On
关闭
On
On
关闭
V1
RFC
V2
功能原理图
消极的控制电压
1.外部隔直流电容器所需的所有RF端口和
GND 。接地电容器可与阳性对照的电压被使用
共鸣引线电感为改善隔离。
2.如果使用阴性对照，隔直流电容器和GND
电容器不是必需的。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
功能
RF1
GND
RF2
V2
RFC
V1
描述
射频输入/输出
射频地
射频输入/输出
V控制2
射频共
V控制1
销1
RF1
GND
RF2
办理程序
以下预防措施应遵守，以免损坏：
静电灵敏度
砷化镓集成电路ESD敏感并能
因静电而损坏。适当的ESD技术应
处理这些设备时使用。
V2.00
AMP公司的M / A- COM司
3
北美：电话。 （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
3
亚洲/太平洋地区：电话： + 81 44 844 8296 ，传真+81 44 844 8298
3
欧洲：电话。 +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
www.macom.com
AMP连接，并在更高层次上的商标。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
砷化镓SPDT开关终止， DC - 3.0 GHz的
SW-442
典型性能曲线
输出VSWR与频率超过
温度
输入VSWR与频率超过
温度
2
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
2
1.9
1.8
1.7
VSWR
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
VSWR
+85°C
+25°C
-40°C
+85°C
+25°C
-40°C
0
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
2.5
3
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
隔离损耗与频率的过
温度（模型正控制）
CGND=39pF
CGND=8pF
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
0
隔离损耗与频率的过
温度（阴性对照）
隔离度（dB ）
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
2.5
3
隔离度（dB ）
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
2.5
3
3
插入损耗（dB ）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
插入损耗与频率超过
温度（模型正控制）
插入损耗（dB ）
CGND=39pF
CGND=8pF
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
插入损耗与频率超过
温度（阴性对照）
+25°C
+85°C
-40°C
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
2.5
3
V2.00
AMP公司的M / A- COM司
3
北美：电话。 （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
3
亚洲/太平洋地区：电话： + 81 44 844 8296 ，传真+81 44 844 8298
3
欧洲：电话。 +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
www.macom.com
AMP连接，并在更高层次上的商标。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
QQ：2881677436 复制
