Si7922DN
新产品
Vishay Siliconix公司
双N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
100
特点
I
D
(A)
2.5
2.3
r
DS （ ON）
(W)
0.195 @ V
GS
= 10 V
0.230 @ V
GS
= 6 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKt
包装，
1
/
3
的SO- 8虽然空间
热可比
D
PWM优化
应用
D
DC / DC原边开关
D
48 V电池监控
PowerPAKt 1212-8
D
1
3.30 mm
S1
D
2
1
2
3.30 mm
G1
S2
3
4
D1
G2
G
1
G
2
8
7
D1
D2
6
5
D2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
0.1毫亨
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
100
"20
2.5
稳定状态
单位
V
1.8
1.3
10
5
1.25
mJ
1.1
1.3
0.69
-55到150
W
_C
A
A
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.8
2.2
2.6
1.4
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
结到环境
a
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
38
77
4.3
最大
48
94
5.4
单位
° C / W
C / W
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
1
Si7922DN
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 6 V，I
D
= 2.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
10
0.162
0.190
5.3
0.8
1.2
0.195
0.230
S
V
2
4
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 50 V ，R
L
= 50
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
5.2
1.1
1.9
1.7
7
11
8
11
40
15
20
15
20
80
ns
W
8
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10通6 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
传输特性
6
5V
4
6
4
T
C
= 125_C
2
25_C
-55
_C
0
2
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
4V
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
2
Si7922DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
320
280
- 电容（pF ）
0.4
240
200
160
120
80
C
OSS
40
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
20
40
60
80
100
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.3
V
GS
= 6 V
0.2
V
GS
= 10 V
0.1
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 50 V
I
D
= 2.5 A
8
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
-50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
6
4
2
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
I
S
- 源电流（ A）
0.3
I
D
= 2.5 A
0.2
T
J
= 150_C
0.1
T
J
= 25_C
1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
3
Si7922DN
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.4
40
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
-0.0
-0.2
-0.4
-0.6
10
-0.8
-1.0
-50
0
0.001
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
20
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结到环境
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
P（吨） = 0.0001
1
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
100
BV
DSS
有限
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 77℃ / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si7922DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
Vishay Siliconix公司
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
注意：
D1和D2之间的最小漏电为此100V的设备为0.2mm 。请参阅的PowerPAK 1212-8外形图，文档＃ 71656 ，如需更多信息
息。
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
5
Si7922DN
新产品
Vishay Siliconix公司
双N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
100
特点
I
D
(A)
2.5
2.3
r
DS （ ON）
(W)
0.195 @ V
GS
= 10 V
0.230 @ V
GS
= 6 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKt
包装，
1
/
3
的SO- 8虽然空间
热可比
D
PWM优化
应用
D
DC / DC原边开关
D
48 V电池监控
PowerPAKt 1212-8
D
1
3.30 mm
S1
D
2
1
2
3.30 mm
G1
S2
3
4
D1
G2
G
1
G
2
8
7
D1
D2
6
5
D2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
0.1毫亨
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
100
"20
2.5
稳定状态
单位
V
1.8
1.3
10
5
1.25
mJ
1.1
1.3
0.69
-55到150
W
_C
A
A
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.8
2.2
2.6
1.4
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
结到环境
a
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
38
77
4.3
最大
48
94
5.4
单位
° C / W
C / W
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
1
Si7922DN
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 6 V，I
D
= 2.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
10
0.162
0.190
5.3
0.8
1.2
0.195
0.230
S
V
2
4
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 50 V ，R
L
= 50
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
5.2
1.1
1.9
1.7
7
11
8
11
40
15
20
15
20
80
ns
W
8
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10通6 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
传输特性
6
5V
4
6
4
T
C
= 125_C
2
25_C
-55
_C
0
2
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
4V
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
2
Si7922DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
320
280
- 电容（pF ）
0.4
240
200
160
120
80
C
OSS
40
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
20
40
60
80
100
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.3
V
GS
= 6 V
0.2
V
GS
= 10 V
0.1
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 50 V
I
D
= 2.5 A
8
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
-50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
6
4
2
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
I
S
- 源电流（ A）
0.3
I
D
= 2.5 A
0.2
T
J
= 150_C
0.1
T
J
= 25_C
1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
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3
Si7922DN
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.4
40
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
-0.0
-0.2
-0.4
-0.6
10
-0.8
-1.0
-50
0
0.001
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
20
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结到环境
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
P（吨） = 0.0001
1
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
100
BV
DSS
有限
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 77℃ / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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4
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si7922DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
Vishay Siliconix公司
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
注意：
D1和D2之间的最小漏电为此100V的设备为0.2mm 。请参阅的PowerPAK 1212-8外形图，文档＃ 71656 ，如需更多信息
息。
文档编号： 72031
S- 21976 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
5
SPICE器件模型Si7922DN
Vishay Siliconix公司
双N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至10 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 70322
S- 60245Rev 。 B， 20 -FEB -06
www.vishay.com
1
SPICE器件模型Si7922DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 6 V，I
D
= 2.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
2.6
29
0.16
0.18
4.8
0.73
0.16
0.19
5.3
0.8
V
A
S
V
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，R
L
= 50
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
4.8
1.1
1.9
7
14
8
13
32
5.2
1.1
1.9
7
11
8
11
40
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 70322
S- 60245Rev 。 B， 20 -FEB -06
SPICE器件模型Si7922DN
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 70322
S- 60245Rev 。 B， 20 -FEB -06
www.vishay.com
3
SPICE器件模型Si7922DN
Vishay Siliconix公司
双N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至10 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 70322
S- 60245Rev 。 B， 20 -FEB -06
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1
SPICE器件模型Si7922DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 6 V，I
D
= 2.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
2.6
29
0.16
0.18
4.8
0.73
0.16
0.19
5.3
0.8
V
A
S
V
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，R
L
= 50
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
4.8
1.1
1.9
7
14
8
13
32
5.2
1.1
1.9
7
11
8
11
40
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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2
文档编号： 70322
S- 60245Rev 。 B， 20 -FEB -06
SPICE器件模型Si7922DN
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与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
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S- 60245Rev 。 B， 20 -FEB -06
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3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
SPICE器件模型Si7922DN
Vishay Siliconix公司
双N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 70322
31-May-04
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1
SPICE器件模型Si7922DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 6 V，I
D
= 2.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
2.6
29
0.16
0.18
4.8
0.73
0.16
0.19
5.3
0.8
V
A
S
V
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，R
L
= 50
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
4.8
1.1
1.9
7
14
8
13
32
5.2
1.1
1.9
7
11
8
11
40
Ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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2
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31-May-04
SPICE器件模型Si7922DN
Vishay Siliconix公司
双N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 70322
31-May-04
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1
SPICE器件模型Si7922DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 6 V，I
D
= 2.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
2.6
29
0.16
0.18
4.8
0.73
0.16
0.19
5.3
0.8
V
A
S
V
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，R
L
= 50
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
4.8
1.1
1.9
7
14
8
13
32
5.2
1.1
1.9
7
11
8
11
40
Ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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QQ：2880707522 复制
