砷化镓SPST高压隔离开关， 3伏， 0.5 - 2.0 GHz的
SW-399
SW-399
砷化镓SPST高压隔离开关， 3伏
0.5 - 2.0 GHz的
特点
高隔离度： 43分贝高达2 GHz
低成本的塑料SOT- 26封装
低插入损耗： <1.5分贝
阳性对照： 3至+8 V
SOT-26
1
XX ＃
销1
描述
M / A - COM的SW- 399是一种低成本的砷化镓单片开关
SOT- 26表面贴装塑料封装。在SW- 399是理想
适合于各种应用，其中非常低的功耗
（ <10μA @ 5V ） ，低互调产品，体积非常小
和低成本是必需的。开关SW- 399是一种通用
射频开关，它可以在诸如蜂窝电话， PCM系统中使用，
GSM和其它模拟/数字无线通信系
TEMS 。
在SW- 399是采用砷化镓MMIC成熟的1微米门
长的GaAs MESFET工艺。该工艺具有全芯片
钝化，以提高性能和可靠性。
1.尺寸是：英寸/毫米
订购信息
产品型号
SW- 399 PIN
SW-399TR
包
SOT- 26塑料包装
正向磁带和卷轴
1
1.请参考应用笔记M513的卷轴尺寸信息。
电气规格：吨
A
= +25°C
参数
插入损耗
隔离
VSWR
1 dB压缩
T
上升
,
T
秋天
T
on
,
T
关闭
瞬变
输入IP
2
输入IP
3
1.
1
测试条件
0.5 - 2.0 GHz的
0.5 - 2.0 GHz的
0.5 - 2.0 GHz的
输入电源+ 3V控制/电源
0.5 - 2.0 GHz的
输入电源+ 5V控制/电源
0.5 - 2.0 GHz的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，控制到10％的射频
带内
2音， 5 MHz的间距
0.5 GHz的
每个+10 dBm的
0.9 GHz的
2音， 5 MHz的间距
0.5 GHz的
每个+10 dBm的
0.9 GHz的
单位
dB
dB
DBM
DBM
S
S
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
40
典型值。
1.3
42
1.5:1
25
26
3
110
26
59
68
48
49
马克斯。
1.6
所有的测量在一个50Ω系统采用3V控制1 GHz的，除非另有规定。亏损0.003分贝/ ℃的变化。
V2.00
AMP公司的M / A- COM司
3
北美：电话。 （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
3
亚洲/太平洋地区：电话： + 85 2 2111 8088 ，传真+85 2 2111 8087
3
欧洲：电话。 +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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AMP连接，并在更高层次上的商标。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
砷化镓SPST高压隔离开关， 3伏， 0.5 - 2.0 GHz的
SW-399
绝对最大额定值
参数
输入功率
工作电压（V
S
, V
CTRL
)
工作温度
储存温度
1.
1
功能原理图
+34 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
CTRL
1
绝对最大
GND
RF GND帽
GND
超过任何一种或这些限制的组合可能导致
永久性损坏。
针
GND
真值表
控制
0
1
“0” = 0， ±0.2伏
“1”= VS ± 0.2伏
VS = 3至5伏直流
RF1到RF2
关闭
On
1.
Vs
RF2
RF1
隔直电容必须在所有RF端口。 V
S
可以
在RF1或RF2使用10K或更大的上拉电阻器施加。
典型性能曲线
插入损耗与频率
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.5
1
1.5
2
插入损耗（dB ）
VSWR与频率的关系
VSWR
输入
产量
2.5
3
频率（GHz ）
隔离与频率
60
50
隔离度（dB ）
40
30
20
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
V2.00
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3
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3
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