SA5.0 （C ） A - SA170 （C ）一个
SA5.0 （C ） A - SA170 （C ）一个
特点
玻璃钝化结。
500W峰值脉冲功率的能力
10/1000
s
波形。
出色的钳位能力。
低增量浪涌电阻。
快速响应时间;通常小
小于1.0 ps的，从0伏到BV的
单向和5.0纳秒的
双向的。
典型的我
R
小于1.0
A
10V以上。
1.0分（ 25.4 ）
尺寸
英寸（毫米）
0.300 (7.62)
0.230 (5.84)
DO-15
颜色频带为负极
除双极
0.140 (3.56)
0.104 (2.64)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
双极性应用的器件
- 双向类型使用CA后缀。
- 电气特性适用于两个方向。
500瓦的瞬态电压抑制器
绝对最大额定值*
符号
P
PPM
I
PPM
P
M（ AV）在
i
F（浪涌）
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
在10/1000峰值脉冲功率耗散
s
波形
在10/1000峰值脉冲电流
s
波形
稳定状态下的功耗
.375 "引线长度@ T
A
= 75°C
峰值正向浪涌电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
存储温度范围
工作结温
价值
最低500
请参阅表
1.0
单位
W
A
W
（注1 ）
70
-65到+175
-65到+175
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注1 ：
测量8.3ms单一正弦半波或等效方波;占空比= 4个脉冲每分钟最大。
1998
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SA5.0 （C ） A - SA170 （C ） A，版本A
SA5.0 （C ） A - SA170 （C ）一个
瞬态电压抑制器
（续）
电气特性
单向
双向（C）的
设备
反向
对峙电压
V
RWM
(V)
T
A
= 25 ° C除非另有说明
击穿电压
V
BR
(V)
民
最大
TEST
当前
I
T
（MA ）
最大钳位
电压@IPPM
V
C
(V)
最大峰值脉冲
浪涌电流
I
PPM
(A)
最大反向
泄漏V
RWM
I
R
（ UA） *
SA5.0(C)A
SA6.0(C)A
SA6.5(C)A
SA7.0(C)A
SA7.5(C)A
SA8.0(C)A
SA8.5(C)A
SA9.0(C)A
SA10(C)A
SA11(C)A
SA12(C)A
SA13(C)A
SA14(C)A
SA15(C)A
SA16(C)A
SA17(C)A
SA18(C)A
SA20(C)A
SA22(C)A
SA24(C)A
SA26(C)A
SA28(C)A
SA30(C)A
SA33(C)A
SA36(C)A
SA40(C)A
SA43(C)A
SA45(C)A
SA48(C)A
SA51(C)A
SA54(C)A
SA58(C)A
SA60(C)A
SA64(C)A
SA70(C)A
SA75(C)A
SA78(C)A
SA85(C)A
SA90(C)A
SA100(C)A
SA110(C)A
SA120(C)A
SA130(C)A
SA150(C)A
SA160(C)A
SA170(C)A
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
78
85
90
100
110
120
130
150
160
170
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
60.0
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
86.7
94.4
100.0
111.0
122.0
133.0
144.0
167.0
178.0
189.0
7.00
7.37
7.98
8.60
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.2
73.7
78.6
86.0
92.1
95.8
104.0
111.0
123.0
135.0
147.0
159.0
185.0
197.0
209.0
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103.0
113.0
121.0
126.0
137.0
146.0
162.0
177.0
193.0
209.0
243.0
259.0
275.0
54.3
48.5
44.7
41.7
38.8
36.7
34.7
32.5
29.4
27.4
25.1
23.2
21.5
20.6
19.2
18.1
17.2
15.4
14.1
12.8
11.9
11.0
10.3
9.4
8.6
7.8
7.2
6.9
6.5
6.1
5.7
5.3
5.2
4.9
4.4
4.1
4.0
3.6
3.4
3.1
2.8
2.7
2.4
2.1
1.9
1.8
600
600
400
150
50
25
10
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
*对于双向零件V
RWM
<10V中，我
R
最高限额增加一倍。
SA5.0 （C ） A - SA170 （C ） A，版本A
SA5.0 （C ） A - SA170 （C ）一个
瞬态电压抑制器
（续）
典型特征
额定峰值脉冲功率曲线
100
100
脉冲降额曲线
脉冲功率（千瓦）
T
A
= 25
C
10
脉冲功率（ ％ ）
75
50
1
25
0.1
0.0001
0
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（ ms）的
1
10
0
25
50
75
100 125 150 175
环境温度（
C)
200
脉冲波形
150
峰值脉冲电流（ ％ ）
TF = 10微秒
峰值
IPPM
T
A
= 25
C
脉冲宽度（ TD ）的定义
由于这种地步峰值
电流衰减到伊普的50 ％
结电容 - 单向
6000
4000
2000
电容（pF）
1000
500
200
100
50
20
4
10
1
5
10
50
反向电压（ V）
100
200
在测
对峙
电压（V MW）
T
A
= 25
C
F = 1.0 MHz的
Visg = 50米Vp-p的
在测
零偏压
100
半值 - 伊普
2
50
10 / 1000μsec波形
界定的R.E.A.
td
E- KT
0
0
1
2
时间（ms）
3
稳态功率降额曲线
1.6
功耗（ W）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100 125 150
焊接温度（
C)
175
200
非重复浪涌电流
100
正向浪涌电流（ A）
T
A
= T
A
最大
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
50
20
10
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
SA5.0 （C ） A - SA170 （C ） A，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
