【SVD2N60T2A ， 600V N沟道MOSFET概述2SVD2N60T是N沟道增强型MOS功率】,IC型号SVD2N60T,SVD2N60T PDF资料,SVD2N60T经销商,ic,电子元器件-51电子网

SVD2N60T

2A ， 600V N沟道MOSFET

概述

SVD2N60T是N沟道增强型MOS功率场

它采用士兰微电子的生产场效应晶体管

S-

1.Gate 2.Drain 3.Source

凛

结构DMOS技术。改进后的平面条形电池

和改进的守着环码头一直特别

针对减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲雪崩

和减刑模式。

该产品可广泛应用于AC- DC开关电源， DC-DC

转换器和H桥PMW马达驱动。

TO-220-3L

特点

2A,600V,R

DS （ ON）（典型值）。

=4.0@V

=10V

低栅电荷

低C

RSS

快速开关

改进的dv / dt能力

订货说明

产品型号

SVD2N60T

包

TO-220-3L

记号

SVD2N60T

航运

50Unit/Tube

绝对最大额定值

（ TC = 25° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流脉冲

功率耗散（T

=25°C)

-Derate 25℃以上

单脉冲雪崩能量（注1 ）

重复性雪崩能量

工作结温

储存温度

符号

TSTG

-55

价值

600

±30

2.0

0.22

120

5.4

+150

单位

W / ℃，

°C

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第1页6

SVD2N60T

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

价值

2.87

100

单位

° C / W

电气特性

（ TC = 25° C除非另有说明）

参数

漏极 - 源极击穿电压

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

符号

VDSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

（注2,3 ）

=480V,I

=2.0A,

=10V

（注2,3 ）

=300V,I

=2.0A,

RG=25

测试条件

= 0V时，我

=250A

=600V, V

=0V

=±30V, V

=0V

= V

, I

=250A

= 10V ，我

=1.0A

=25V,V

=0V,

f=1.0MHZ

分钟。

600

2.0

典型值。

4.0

320

14.3

9.3

2.0

3.3

马克斯。

1.0

±100

4.0

4.6

380

5.6

100

单位

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

L = 56mH ，我

=2.0A,V

=50V,R

= 25Ω ，起始物为

=25°C;

符号

测试条件

整体逆转的p-n

在结二极管

MOSFET

=2.0A,V

=0V

=2.0A,V

=0V,

/dt=100A/S

分钟。

典型值。

230

1.0

最大

8.0

1.4

单位

脉冲测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ ;

基本上是独立的工作温度。

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第2 6

SVD2N60T

命名法

典型特征

图1.区域特征

VGS

TOP ： 15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

底部： 4.5 V

图2.传输特性

100.00

10.00

4.5V

1.0

150

1.00

-55

0.10

注意：

1. 250秒脉冲测试

2. T

=25 C

注意：

1.V

=40V

2 250 s脉冲测试

0.1

0.01

漏源电压[ V]

栅源电压[V]

图3.在-性能及其变化与

漏电流和栅极电压

10.0

图4.体二极管正向电压的变化对比

源电流和温度

10.0

8.0

=10V

=20V

1.0

6.0

4.0

150

注意：

1.V

=0V

2 250 s脉冲测试

2.0

注：t

=25 C

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

0.1

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

漏电流[ A]

源极 - 漏极电压[ V]

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DSS

（归一化）

漏源击穿电压

Capasistance [ pF的]

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

栅源电压[V]

典型特性（续）

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第4 6

SVD2N60T

典型的测试电路

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分页： 5 6

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23000

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