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SUU50N03-07
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.007 @ V
GS
= 10 V
0.010 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
A，B
25
18
TO-251
D
G
极和漏极-TAB
摹 S
顶视图
订单号：
SUU50N03-07
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
A，B
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
T
C
= 25_C
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
25
18
100
25
88
8.3
A，B
-55至175
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
结到环境
a
结到外壳
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 71295
S- 01707 -REV 。 A， 07 - 8 - 00
www.vishay.com
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
15
40
1.4
最大
18
50
1.7
单位
° C / W
C / W
1
SUU50N03-07
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
20
50
0.007
0.011
0.010
S
W
30
V
1.0
2.0
"100
1
50
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极
收费
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
3720
715
370
60
12
10
11
6
50
11
25
15
100
20
ns
120
nC
pF
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
45
100
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71295
S- 01707 -REV 。 A， 07 - 8 - 00
SUU50N03-07
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10通6 V
200
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
5V
100
120
传输特性
80
150
4V
100
60
T
C
= 125_C
40
25_C
–55_C
50
2V
0
0
2
4
6
8
10
3V
20
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
120
T
C
= –55_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
25_C
80
125_C
0.015
0.020
导通电阻与漏电流
100
克FS - 跨导（S ）
60
0.010
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
40
0.005
20
0
0
10
20
30
40
50
0.000
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
5000
10
栅极电荷
4000
- 电容（pF ）
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
C
国际空间站
8
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
3000
6
2000
C
OSS
4
1000
C
RSS
0
0
6
12
2
0
18
24
30
0
12
24
36
48
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 71295
S- 01707 -REV 。 A， 07 - 8 - 00
www.vishay.com
3
SUU50N03-07
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
I S - 源电流（ A）
T
J
= 150_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
10
T
J
= 25_C
0.8
0.4
0.0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
最大雪崩漏电流
与外壳温度
30
1000
限于由R
DS （ ON）
24
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
100
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
10 s
100 s,
dc
安全工作区
18
10
12
6
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ℃）
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
4
文档编号： 71295
S- 01707 -REV 。 A， 07 - 8 - 00
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    SUU50N03-07
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