SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4118 ，第D.2
SPM6M080-010D
三相MOSFET桥，闸极驱动器和光盘
隔离
描述：
一个100伏， 80 AMP ，三相MOSFET桥
PER MOSFET器件电气特性
(Tj=25
0
C除非另有说明）
符号
民
典型值
最大
单位
参数
MOSFET规格
漏极至源极击穿电压
I
D
= 500
μA,
V
GS
= 0V
连续漏电流
T
C
= 25
O
C
T
C
= 90
O
C
漏电流脉冲，脉冲宽度限制为1毫秒
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0V牛逼
i
=25 C
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0V牛逼
i
=125 C
静态漏 - 源极导通电阻，
I
D
= 60A ，V
GS
= 15V,
最大热阻
R
θJC
T
JMAX
T
JMAX
-
-
0.65
o
o
o
BV
DSS
100
-
-
V
I
D
-
-
80
70
A
I
DM
I
CSS
-
-
-
-
200
A
1
3
T
j
= 25
O
C
T
j
= 150
O
C
R
DSON
-
0.009
0.018
0.012
-
C / W
mA
mA
Ω
最大工作结温
-40
-
150
o
C
最大存储结温
-55
-
150
o
C
2004 Sensitron半导体
221西工业苑
鹿园，NY 11729
(631) 586 7600
传真（ 631 ） 242 9798
www.sensitron.com
sales@sensitron.com
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半导体
技术参数
数据表4118 ，第D.2
产品参数 -
(T
C
=25
o
C除非另有说明）
过温关断
过温关断
过温输出
过温关断迟滞
TSD
TSO
100
105
10
20
SPM6M080-010D
110
o
C
10mV/
o
C
o
C
二极管特性
连续源电流，T
C
= 90
O
C
二极管的正向电压，
I
S
= 60A ，T
j
= 25
O
C
I
S
V
SD
t
rr
-
-
-
70
1.15
A
V
二极管的反向恢复时间
(I
S
= 50A ，V
DD
= 50V ，的di / dt = 100 A / μs）内
-
70
-
纳秒
栅极驱动器
电源电压
电源输入电流在Vcc ，引脚19 ，
如果没有PWM开关
，用10KHz的PWM的两个输入
输入ON电流
光隔离器逻辑高输入阈值
输入反向击穿电压
输入正向电压@ I
in
= 5毫安
HIN ， LIN
I
th
BV
in
V
F
2
-
5.0
-
1.6
-
1.5
35
50
5.0
-
-
1.7
mA
mA
V
V
mA
VCC
14
15
18
V
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技术参数
数据表4118 ，第D.2
SPM6M080-010D
欠压锁定
ITRIP参考电压
(1)
输入至输出导通延迟
输出开启上升时间
输入至输出延时关闭
关闭输出下降时间
@ VCC = 50V ， ID = 50A ，T
C
= 25
死区时间的要求，对射穿预防
光电隔离输入到输出隔离电压，瞬时
光隔离器工作输入共模电压
光隔离器工作输入共模瞬变
免疫力与Iin的> 5毫安
销到外壳隔离电压，直流电压
Vccuv
ITRIP -REF
t
OND
t
r
t
OFFD
t
f
9.0
1.57
10.0
1.63
700
50
750
60
750
2500
11.5
1.68
-
-
-
-
V
V
-
-
-
-
600
纳秒
纳秒
-
1000
10
V
V
KV /微秒
V
-
-
-
1500
-
直流母线电流传感器
分流电阻值
电流放大器的增益，参考GND信号
电流放大器的直流偏移（零直流母线电流）
电流放大器的响应时间
-
-
5
0.049
0.010
3
0.030
-
毫欧
V / A
V
微秒
(1)
ITRIP电流限制在内部设置为35A的峰值。设定点可以通过ITRIP -裁判之间连接一个电阻来降低
和GND 。设定点可提高连接ITRIP - ref和+ 5V参考之间的电阻器。关闭持续时间为
大约70微秒。
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技术参数
数据表4118 ，第D.2
SPM6M080-010D
图2 - 封装图纸热门&侧视图
（所有尺寸以英寸为单位，公差为+/- 0.010 “ ）
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技术参数
数据表4118 ，牧师D.1
SPM6M080-010D
三相MOSFET桥，闸极驱动器和光盘
隔离
描述：
一个100伏， 80 AMP ，三相MOSFET桥
PER MOSFET器件电气特性
(Tj=25
0
C除非另有说明）
符号
民
典型值
最大
单位
参数
MOSFET规格
漏极至源极击穿电压
I
D
= 500
A,
V
GS
= 0V
连续漏电流
T
C
= 25
O
C
T
C
= 90
O
C
漏电流脉冲，脉冲宽度限制为1毫秒
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0V牛逼
i
=25 C
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0V牛逼
i
=125 C
静态漏 - 源极导通电阻，
I
D
= 60A ，V
GS
= 15V,
最大热阻
R
θJC
T
JMAX
T
JMAX
-
-
0.65
o
o
o
BV
DSS
100
-
-
V
I
D
-
-
80
70
A
I
DM
I
CSS
-
-
-
-
200
A
1
3
T
j
= 25
O
C
T
j
= 150
O
C
R
DSON
-
0.009
0.018
0.012
-
C / W
mA
mA
最大工作结温
-40
-
150
o
C
最大存储结温
-55
-
150
o
C
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（ 631 ） 586 7600传真（ 631 ） 242 9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
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技术参数
数据表4118 ，牧师D.1
产品参数 -
(T
C
=25
o
C除非另有说明）
过温关断
过温关断
过温输出
过温关断迟滞
TSD
TSO
100
105
10
20
SPM6M080-010D
110
o
C
10mV/
o
C
o
C
二极管特性
连续源电流，T
C
= 90
O
C
二极管的正向电压，
I
S
= 60A ，T
j
= 25
O
C
I
S
V
SD
t
rr
-
-
-
70
1.15
A
V
二极管的反向恢复时间
(I
S
= 50A ，V
DD
= 50V ，的di / dt = 100 A / μs）内
-
70
-
纳秒
栅极驱动器
电源电压
电源输入电流在Vcc ，引脚19 ，
如果没有PWM开关
，用10KHz的PWM的两个输入
输入ON电流
光隔离器逻辑高输入阈值
输入反向击穿电压
输入正向电压@ I
in
= 5毫安
HIN ， LIN
I
th
BV
in
V
F
2
-
5.0
-
1.6
-
1.5
35
50
5.0
-
-
1.7
mA
mA
V
V
mA
VCC
14
15
18
V
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（ 631 ） 586 7600传真（ 631 ） 242 9798
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技术参数
数据表4118 ，牧师D.1
SPM6M080-010D
欠压锁定
ITRIP参考电压
(1)
输入至输出导通延迟
输出开启上升时间
输入至输出延时关闭
关闭输出下降时间
@ VCC = 50V ， ID = 50A ，T
C
= 25
死区时间的要求，对射穿预防
光电隔离输入到输出隔离电压，瞬时
光隔离器工作输入共模电压
光隔离器工作输入共模瞬变
免疫力与Iin的> 5毫安
销到外壳隔离电压，直流电压
Vccuv
ITRIP -REF
t
OND
t
r
t
OFFD
t
f
9.0
1.57
10.0
1.63
700
50
750
60
750
2500
11.5
1.68
-
-
-
-
V
V
-
-
-
-
600
纳秒
纳秒
-
1000
10
V
V
KV /微秒
V
-
-
-
1500
-
直流母线电流传感器
分流电阻值
电流放大器的增益，参考GND信号
电流放大器的直流偏移（零直流母线电流）
电流放大器的响应时间
-
-
5
0.049
0.010
3
0.030
-
毫欧
V / A
V
微秒
(1)
ITRIP电流限制在内部设置为35A的峰值。设定点可以通过ITRIP -裁判之间连接一个电阻来降低
和GND 。设定点可提高连接ITRIP - ref和+ 5V参考之间的电阻器。关闭持续时间为
大约70微秒。
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技术参数
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SPM6M080-010D
图2 - 封装图纸热门&侧视图
（所有尺寸以英寸为单位，公差为+/- 0.010 “ ）
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（ 631 ） 586 7600传真（ 631 ） 242 9798
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半导体
技术参数
数据表4118 ，牧师D.1
SPM6M080-010D
图3 - 封装引脚位置
（所有尺寸为英寸;公差为+/- 0.005 “，除非另有说明）
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（ 631 ） 586 7600传真（ 631 ） 242 9798
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