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SUT575EF
外延平面NPN / PNP硅晶体管
描述
复杂型双极晶体管
特征
非常小的封装节省PCB面积
减少零件和装配成本数量
无论DN030芯片和DP030芯片采用SOT- 563F封装
封装形式：SOT - 563F
订购信息
型号
SUT575EF
记号
NX
□
封装代码
SOT-563F
□
：新年&周典
等效电路& PIN连接
等效电路
3
2
1
Tr2
Tr1
引脚连接
1.发射器1
2. BASE 1
3.集热器2
4.发射器2
5. BASE 2
6.集热器1
4
5
6
绝对最大额定值
[ TR1，TR2 ]
等级
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
※:
总评分
(Ta=25°C)
符号
Tr1
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
※
T
J
T
英镑
15
12
5
500
150
150
-55~150
单位
Tr2
-15
-12
-5
-500
V
V
V
mA
mW
°C
°C
KSD-T5U007-001
1
SUT575EF
电气特性
[Tr1]
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
(Ta=25°C)
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
*
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 1mA时，我
B
=0
V
CB
= 15V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 300毫安，我
B
=30mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 300毫安，我
B
=30mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
12
-
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
3
-
0.1
0.1
450
0.2
0.5
1.2
1.7
-
-
单位
V
μA
μA
-
V
V
V
V
兆赫
pF
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*:
脉冲测试：吨
P
≤300s,
值班Cycle≤2 ％
电气特性
[Tr2]
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
(Ta=25°C)
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
*
测试条件
I
C
= -1mA ，我
B
=0
V
CB
= -15V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-10mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
I
C
= -300mA ，我
B
=-30mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
I
C
= -300mA ，我
B
=-30mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
-12
-
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
350
4
-
-0.1
-0.1
450
-0.2
-0.5
-1.2
-1.7
-
-
单位
V
μA
μA
-
V
V
V
V
兆赫
pF
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
*
f
T
C
ob
*:
脉冲测试：吨
P
≤300s,
值班Cycle≤2 ％
KSD-T5U007-001
2
SUT575EF
电气特性曲线
[Tr1]
图。 1 I
C
-V
CE
图。 2我
C
-V
BE
图。 3小时
FE
-I
C
图。 4 V
CE （ SAT ）
-I
C
KSD-T5U007-001
3
SUT575EF
电气特性曲线
[Tr2]
图。 1 I
C
-V
CE
图。 2我
C
-V
BE
图。 3小时
FE
-I
C
图。 4 V
CE （ SAT ）
-I
C
KSD-T5U007-001
4
SUT575EF
外形尺寸
※
推荐的PCB焊盘
[单位：mm ]
KSD-T5U007-001
5
半导体
SUT575EF
外延平面NPN / PNP硅晶体管
描述
复杂型双极晶体管
特征
非常小的封装节省PCB面积
减少零件和装配成本数量
无论DN030芯片和DP030芯片采用SOT- 563F封装
订购信息
型号
SUT575EF
记号
NX
封装代码
SOT-563F
外形尺寸
单位：
mm
0.50典型。
1.50~1.70
1.10~1.30
1.50~1.70
1
2
3
0.50典型。
6
5
0.30最大。
等效电路
3
2
1
4
Tr2
Tr1
4
5
6
引脚连接
1.发射器1
2. BASE 1
3.集热器2
4.发射器2
5. BASE 2
6.集热器1
0.53~0.62
0.10最大。
KSD-T5U007-000
0.18最大。
1
SUT575EF
绝对最大额定值
[ TR1，TR2 ]
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
※:
总评分
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
※
T
J
T
英镑
等级
Tr1
Tr2
15
12
5
500
150
150
-55~150
-15
-12
-5
-500
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
[Tr1]
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
*
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 1mA时，我
B
=0
V
CB
= 15V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 300毫安，我
B
=30mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 300毫安，我
B
=30mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
12
-
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
3
-
0.1
0.1
450
0.2
0.5
1.2
1.7
-
-
单位
V
μA
μA
-
V
V
V
V
兆赫
pF
*:
脉冲测试：吨
P
≤300s,
值班Cycle≤2 ％
电气特性
[Tr2]
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
(Ta=25°C)
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
*
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= -1mA ，我
B
=0
V
CB
= -15V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-10mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
I
C
= -300mA ，我
B
=-30mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
I
C
= -300mA ，我
B
=-30mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
-12
-
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
350
4
-
-0.1
-0.1
450
-0.2
-0.5
-1.2
-1.7
-
-
单位
V
μA
μA
-
V
V
V
V
兆赫
pF
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*:
脉冲测试：吨
P
≤300s,
值班Cycle≤2 ％
KSD-T5U007-000
2
SUT575EF
电气特性曲线
[Tr1]
图。 1 I
C
-V
CE
图。 2我
C
-V
BE
图。 3小时
FE
-I
C
图。 4 V
CE （ SAT ）
-I
C
KSD-T5U007-000
3
SUT575EF
电气特性曲线
[Tr2]
图。 1 I
C
-V
CE
图。 2我
C
-V
BE
图。 3小时
FE
-I
C
图。 4 V
CE （ SAT ）
-I
C
该AUK公司产品用于使用在一般的电子设备部件
（办公室和通信设备，测量设备，家用电器等） 。
请确保您与我们协商，你在使用这些AUK公司产品前
需要较高的质量和/或可靠性，并且在设备的设备，而可能
主要影响到人类生活的福利（原子能控制，飞机，飞船，
运输，燃烧控制，所有类型的安全装置，等等）。 AUK公司不能接受
为可能发生的情况下，这些AUK公司产品有任何损害的赔偿责任均在使用
上述设备没有与AUK公司事先咨询..
本出版物中提到的规格如有变更，恕不另行通知。
KSD-T5U007-000
4
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推荐型号
SILRX-433-5
SST89V58RD2-40-I-NIE1
SN75HVD3082E
SST750
S-AV10L
SBP13007
SN74ALS05ADR
SS6734-37GZTTR
ST92F124R2T6
STK6032
SN65LVDS3486BDRG4
SFA37S2K219B-F
SN74HC02DRG4
S5D4100X
SMLJ14A
STPA001
SSW16A1002JL7
ST6200CB3
SDR1005-151KL
SM4T100CA
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SUT575EF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
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SUT575EF
AUK
2019
79600
SOT-563F
原装正品 钻石品质 假一赔十
上海鑫丰电子技术有限公司
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SUT575EF
AUK
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SOT-563
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联系人：销售部
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SOT-563
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SUT575EF
AUK
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SOT-563
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电话：13910052844（微信同步）
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联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
SUT575EF
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联系人：刘经理
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