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SEMIWELL
半导体
SBP13007
高压快速开关NPN功率晶体管
特点
- 非常高开关速度(典型60ns@5.0A )
- 最小地块对地块的hFE变化
- 低VCE (SAT) (典型390mV@5.0A/1.0A )
- 宽反向偏置S.O.A
符号
2.Collector
1.Base
3.Emitter
概述
该设备是专为高电压,高速开关
需要诸如照明系统的特性,切换模式
电源。
TO-220
1
2
3
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
C
T
英镑
T
J
参数
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 0 )
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0 )
发射极 - 基极电压(I
C
= 0 )
集电极电流
集电极电流峰值(T
P
5毫秒
)
基极电流
基峰电流(T
P
5毫秒
)
总功耗在T
C
= 25 °C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
700
400
9.0
8.0
16
4.0
8.0
80
- 65 ~ 150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
价值
1.56
62.5
单位
° C / W
° C / W
十月, 2002年第2版
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司,保留所有权利
1/6
SBP13007
电气特性
符号
I
CEV
V
CEO ( SUS )
( T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极截止电流
( V
BE
= - 1.5V )
集电极 - 发射极电压维持
( I
B
= 0 )
条件
V
CE
= 700V
V
CE
= 700V
I
C
= 10毫安
I
C
= 2.0A
I
C
= 5.0A
I
C
= 8.0A
I
C
= 5.0A
I
B
= 0.4A
I
B
= 1.0A
I
B
= 2.0A
I
B
= 1.0A
T
C
= 100 °C
I
B
= 0.4A
I
B
= 1.0A
I
B
= 1.0A
T
C
= 100 °C
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
V
CC
= 125V
I
B2
= - 1.0A
T
C
= 100 °C
-
典型值
-
最大
1.0
5.0
-
单位
mA
400
-
V
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
-
-
0.5
1.0
2.5
2.5
V
V
BE ( SAT )
基射极饱和电压
I
C
= 2.0A
I
C
= 5.0A
I
C
= 5.0A
-
-
1.2
1.6
1.5
V
h
FE
直流电流增益
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.0A
I
C
= 5.0A
I
C
= 5.0A
I
B1
= 1.0A
T
P
= 25
V
CC
= 15V
I
B1
= 1.0A
L
C
= 0.35mH
V
CC
= 15V
I
B1
= 1.0A
L
C
= 0.35mH
10
5
-
40
40
t
s
t
f
-
1.5
0.17
3.0
0.4
t
s
t
f
I
C
= 5.0A
I
B2
= -2.5A
V
= 300V
I
C
= 5.0A
I
B2
= -2.5A
V
= 300V
T
C
= 100 °C
-
0.8
0.06
2.0
0.12
t
s
t
f
-
1.0
0.07
3.0
0.15
注意事项:
脉冲测试:脉冲宽度
300 ,占空比
2%
2/6
SBP13007
图1.静态特性
12
I
B
= 2000毫安
I
B
= 1600毫安
I
B
= 1200毫安
8
I
B
=千毫安
I
B
= 800毫安
6
I
B
= 600毫安
I
B
= 400毫安
4
I
B
= 200毫安
45
40
35
图2.直流电流增益
10
I
C
,集电极电流[ A]
h
FE
,直流电流增益
30
25
20
15
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
o
o
注意事项:
10
5
2
I
B
= 0毫安
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.01
V
CE
= 5V
V
CE
= 1V
0.1
1
10
V
CE
,集电极 - 发射极电压[V]
I
C
,集电极电流[ A]
图3.集电极 - 发射极饱和电压
1.2
10
1.1
图4.基射极饱和电压
V
CE
,集电极 - 发射极电压[V]
V
BE
,基射极电压[ V]
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.1
T
J
= 25 C
o
1
T
J
= 125 C
o
0.1
T
J
= 125 C
注意:
h
FE
= 5
o
T
J
= 25 C
0.01
0.1
1
o
注意:
h
FE
= 5
10
1
10
I
C
,集电极电流[ A]
I
C
,集电极电流[ A]
图5.阻性负载下降时间
1000
10
图6.阻性负载贮存时间
T
J
= 25 C
o
注意事项:
V
CC
= 125V
h
FE
= 5
I
B1
= - I
B2
T,时间[ NS ]
T,时间[美国]
100
T
J
= 25 C
o
注意事项:
V
CC
= 125V
h
FE
= 5
I
B1
= - I
B2
10
1
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
C
,集电极电流[ A]
I
C
,集电极电流[ A]
3/6
SBP13007
图7.安全作业区
10
图8.反向偏压安全操作
地区
注意事项:
T
J
100 °C
I
B1
= 2 A
R
BB
= 0
L
C
= 0.2mH
10
1
10
s
8
I
C
,集电极电流[ A]
100
s
10
0
I
C
,集电极电流[ A]
6
V
BE
(关闭)
-5V
4
DC
500
s
10
-1
-3V
-1.5V
单脉冲
10
-2
1ms
2
10
0
10
1
10
2
10
3
0
100
200
300
400
500
600
700
800
V
CE
,集电极 - 发射极钳位电压[ V]
V
CE
,集电极 - 发射极钳位电压[ V]
图9.功率降额曲线
125
功率降额系数( % )
100
75
50
25
0
0
50
100
150
o
200
T
C
,外壳温度( C)
4/6
SBP13007
感应负载开关& RBSOA测试电路
L
C
I
B1
I
C
I
B
V
CE
D.U.T
R
BB
V
BE
(关闭)
V
V
CC
阻性负载开关测试电路
R
C
I
B1
I
C
I
B
V
CE
D.U.T
R
BB
V
BE
(关闭)
V
CC
5/6
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