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半导体
SUT464M
NPN / PNP外延平面硅晶体管
说明
通用晶体管
特点
双方2SA1980芯片和2SC5343芯片采用SOT -25封装
订购信息
型号
SUT464M
记号
X4
封装代码
SOT-25
外形尺寸
单位:
mm
3
4
5
Tr2
2
Tr1
1
引脚连接
1.收集1
2.收集2
3. BASE 2
4.发射1,2
5.基地1
KST-A007-001
1
SUT464M
绝对最大额定值
( TR1,TR2 )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
Ta=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
Tr1
Tr2
-50
-50
-5
-150
150
150
-55~150
60
50
5
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( Tr1的: PNP )
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
Ta=25°C
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -6V ,我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-1mA,
f=100MHz
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
-50
-50
5
-
-
120
-
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-0.1
-0.1
400
-0.3
-
7
单位
V
V
V
A
A
-
V
兆赫
pF
电气特性
( Tr2的: NPN )
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
Ta=25°C
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
=2mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 10V ,我
C
=1mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
60
50
5
-
-
70
-
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
0.1
0.1
700
0.25
-
3.5
单位
V
V
V
A
A
-
V
兆赫
pF
KST-A007-001
2
SUT464M
电气特性曲线
TR1 : PNP
图。 1 I
C
-V
BE
图。 2我
C
-V
CE
图。 3小时
FE
-I
C
图。 4 V
CE ( SAT )
-I
C
TR2 : NPN
图。 1 I
C
-V
BE
图。 2我
C
-V
CE
KST-A007-001
3
SUT464M
电气特性曲线
图。 3小时
FE
-I
C
图。 4 V
CE ( SAT )
-I
C
KST-A007-001
4
SUT464M
这些AUK产品用于使用一般的电子设备(办公室和
通信设备,测量设备,国内电气化等) 。
请确保您与我们协商,然后再在equipm-使用这些AUK产品前
ents需要高品质和/或可靠性,并在设备,而可能
主要影响到人类生活(原子能控制,飞机,飞船,交通福利
信号,燃烧中心,所有类型的安全装置,等等)。
AUK不能接受赔偿责任可能发生的情况下,这些AUK产品的任何损坏
用于在上述设备没有与AUK事先咨询。
KST-A007-001
5
SUT464M
外延平面PNP / NPN硅晶体管
说明
复杂型双极晶体管
特点
减少零件和装配成本数量
高集电极耗散功率:P
C
=300mW(Max.)
双方2SA1980芯片和2SC5343芯片采用SOT -25封装
封装形式:SOT -25
订购信息
型号
SUT464M
记号
X4
封装代码
SOT-25
:新年&周典
等效电路& PIN连接
等效电路
3
4
5
引脚连接
1.
2.
3.
4.
5.
集热器1
器2
基地2
发射1,2
基地1
Tr2
2
Tr1
1
绝对最大额定值
[ TR1,TR2 ]
等级
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
※:
总评分
(Ta=25°C)
符号
Tr1
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
-50
-50
-5
-150
300
150
-55~150
单位
Tr2
60
50
5
150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
KSD-T5O002-001
1
SUT464M
电气特性
[Tr1]
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= -1mA ,我
B
=0
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -6V ,我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
V
CE
= -6V ,我
C
=-2mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
-50
-
-
120
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.65
200
4
-
-0.1
-0.1
400
-0.3
-
-
-
单位
V
μA
μA
-
V
V
兆赫
pF
电气特性
[Tr2]
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 1mA时,我
B
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
=2mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 6V ,我
C
=2mA
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
50
-
-
120
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.65
200
2
-
0.1
0.1
400
0.25
-
-
-
单位
V
μA
μA
-
V
V
兆赫
pF
KSD-T5O002-001
2
SUT464M
电气特性曲线
[Tr1]
图。 1 I
C
-V
BE
图。 2我
C
-V
CE
图。 3小时
FE
-I
C
图。 4 V
CE ( SAT )
-I
C
[Tr2]
图。 1 I
C
-V
BE
图。 2我
C
-V
CE
KSD-T5O002-001
3
SUT464M
电气特性曲线
图。 3小时
FE
-I
C
图。 4 V
CE ( SAT )
-I
C
KSD-T5O002-001
4
SUT464M
SOT- 25外形尺寸(mm )
推荐的PCB焊盘
[单位:mm ]
KSD-T5O002-001
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SUT464M
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
SUT464M
AUK
2407+
20000
SOT-25
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