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Si6963BDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
20
r
DS （ ON）
(W)
0.045 @ V
GS
=
4.5
V
0.080 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
3.9
3.0
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si6963BDQ -T1 -E3
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
D
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6963BDQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒
20
"12
3.9
3.1
30
1.0
1.13
0.73
稳定状态
单位
V
3.4
2.7
A
0.75
0.83
0.53
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
90
125
67
最大
110
150
80
单位
° C / W
1
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
3.0
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
3.9
A
I
S
=
1.0
A，V
GS
= 0 V
20
0.036
0.065
10
0.71
1.1
0.045
0.080
W
S
V
0.6
1.4
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.0
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
8.6
1.2
2.8
7.0
33
57
65
40
30
50
90
100
60
50
ns
W
11
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20.0
V
GS
= 5通3 V
16.0
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
12.0
I
D
漏电流（ A）
125_C
12.0
16.0
20.0
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
8.0
2.0 V
4.0
1.5 V
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
8.0
4.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
2
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1200.0
1000.0
C
电容（pF）
800.0
600.0
400.0
200.0
C
RSS
0.00
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
0.0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.12
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
C
OSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
8.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
6.0
1.2
4.0
1.0
2.0
0.8
0.0
0.0
3.0
6.0
9.0
12.0
15.0
18.0
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 3.9 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
200
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
160
功率（W）的
0.2
120
0.0
80
0.2
40
0.4
50.0 25.0
0.0
25.0
50.0
75.0 100.0 125.0 150.0
0
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
1s
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 115 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si6963BDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
20
r
DS （ ON）
(W)
0.045 @ V
GS
=
4.5
V
0.080 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
3.9
3.0
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si6963BDQ -T1 -E3
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
D
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6963BDQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒
20
"12
3.9
3.1
30
1.0
1.13
0.73
稳定状态
单位
V
3.4
2.7
A
0.75
0.83
0.53
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
90
125
67
最大
110
150
80
单位
° C / W
1
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
3.0
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
3.9
A
I
S
=
1.0
A，V
GS
= 0 V
20
0.036
0.065
10
0.71
1.1
0.045
0.080
W
S
V
0.6
1.4
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.0
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
8.6
1.2
2.8
7.0
33
57
65
40
30
50
90
100
60
50
ns
W
11
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20.0
V
GS
= 5通3 V
16.0
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
12.0
I
D
漏电流（ A）
125_C
12.0
16.0
20.0
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
8.0
2.0 V
4.0
1.5 V
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
8.0
4.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
2
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1200.0
1000.0
C
电容（pF）
800.0
600.0
400.0
200.0
C
RSS
0.00
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
0.0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.12
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
C
OSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
8.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
6.0
1.2
4.0
1.0
2.0
0.8
0.0
0.0
3.0
6.0
9.0
12.0
15.0
18.0
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 3.9 A
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T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
200
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
160
功率（W）的
0.2
120
0.0
80
0.2
40
0.4
50.0 25.0
0.0
25.0
50.0
75.0 100.0 125.0 150.0
0
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
1s
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 115 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si6963BDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
20
r
DS （ ON）
(W)
0.045 @ V
GS
=
4.5
V
0.080 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
3.9
3.0
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si6963BDQ -T1 -E3
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
D
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6963BDQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒
20
"12
3.9
3.1
30
1.0
1.13
0.73
稳定状态
单位
V
3.4
2.7
A
0.75
0.83
0.53
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
90
125
67
最大
110
150
80
单位
° C / W
1
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
3.0
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
3.9
A
I
S
=
1.0
A，V
GS
= 0 V
20
0.036
0.065
10
0.71
1.1
0.045
0.080
W
S
V
0.6
1.4
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.0
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
8.6
1.2
2.8
7.0
33
57
65
40
30
50
90
100
60
50
ns
W
11
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20.0
V
GS
= 5通3 V
16.0
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
12.0
I
D
漏电流（ A）
125_C
12.0
16.0
20.0
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
8.0
2.0 V
4.0
1.5 V
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
8.0
4.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
2
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1200.0
1000.0
C
电容（pF）
800.0
600.0
400.0
200.0
C
RSS
0.00
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
0.0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.12
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
C
OSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
8.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
6.0
1.2
4.0
1.0
2.0
0.8
0.0
0.0
3.0
6.0
9.0
12.0
15.0
18.0
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 3.9 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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3
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
200
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
160
功率（W）的
0.2
120
0.0
80
0.2
40
0.4
50.0 25.0
0.0
25.0
50.0
75.0 100.0 125.0 150.0
0
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
1s
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 115 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
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文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
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文档编号： 72772
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STAC9752
SB1045
SB830CT
S72WS512PE0KF0GG3
SD10150T
SFH9210_05
SDAB-15P05
SSD2005
ST92250CV1Q6
SPS-A180D-VAMS
SN74HCT02PWTE4
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI6963BDQ-T1-E3
    -
    -
    -
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深圳市楷瑞达科技电子有限公司
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电话：13528893675
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
SI6963BDQ-T1-E3
VISHAY
22+
5000
MSOP-8
13528893675￥/片,大量原装库存长期供应欢迎实单
深圳市集创讯科技有限公司
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电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
SI6963BDQ-T1-E3
VISHAY/威世
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PBF
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
深圳市金嘉锐电子有限公司
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电话：0755-22929859
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26820
8-TSSOP
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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联系人：柯
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VISHAY
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联系人：林先生
地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
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24+
32883
MSOP8
公司现货，全新原厂原装正品！
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
SI6963BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
24+
10000
8-TSSOP
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SI6963BDQ-T1-E3
VISHAY/威世
2443+
23000
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SI6963BDQ-T1-E3
VISHAY/威世
24+
9634
TSSOP
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
SI6963BDQ-T1-E3
VISHAY
25+23+
21500
TSSOP-8
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QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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21+22+
12600
MSOP-8
原装正品
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