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SUM75N06-09L
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V (D -S ) , 175℃ MOSFET
产品概述
V
( BR ) DSS
(V)
60
r
DS ( ON)
(Ω)
0.0093在V
GS
= 10 V
0.0135在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
90
62
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订货信息:
SUM75N06-09L -E3 (铅(Pb ) - 免费)
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
功耗
工作结存储温度范围
a
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
90
53
160
50
125
125
b
3.75
c
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
°C
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
注意事项:
一。占空比
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免。
文档编号: 72037
S- 80274 -REV 。 B, 11 -FEB -08
www.vishay.com
1
( PCB安装)
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.2
单位
° C / W
SUM75N06-09L
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格
T
J
= 25 ℃,除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125 °C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 175 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A,T
J
= 125 °C
漏源导通电阻
a
r
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A,T
J
= 175 °C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 30 A,T
J
= 125 °C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 30 A,T
J
= 175 °C
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
c
符号
测试条件
分钟。
60
1
典型值。
马克斯。
单位
2
3
± 100
1
50
150
V
nA
A
A
75
0.0075
0.0093
0.0163
0.024
0.0105
0.0135
0.0224
0.030
25
75
2400
Ω
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
V
DS
= 15 V,I
D
= 30 A
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
430
210
47
75
pF
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 90 A
12
13
7
12
50
40
20
90
160
180
1.4
40
80
4
0.16
2
0.040
nC
V
DD
= 30 V ,R
L
= 0.4
Ω
I
D
90 A,V
= 10 V ,R
G
= 2.5
Ω
30
25
12
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
b
A
V
ns
A
C
I
F
= 90 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A, di / dt的= 100 A / μs的
注意事项:
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号: 72037
S- 80274 -REV 。 B, 11 -FEB -08
SUM75N06-09L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
160
V
GS
= 10直通5 V
I
D
- 漏电流( A)
120
I
D
- 漏电流( A)
120
160
80
4V
80
40
3V
0
0
2
4
6
8
10
40
T
C
= 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
输出特性
120
T
C
= - 55 °C
100
g
fs
- 跨导(S )
25 °C
80
125 °C
60
r
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.017
0.020
传输特性
0.014
0.011
V
GS
= 4.5 V
40
V
GS
= 10 V
0.008
20
0
0
10
20
30
40
50
60
0.005
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
I
D
- 漏电流( A)
4000
20
导通电阻与漏电流
3200
- 电容(pF )
C
国际空间站
2400
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
12
1600
8
800
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
60
4
0
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
电容
栅极电荷
文档编号: 72037
S- 80274 -REV 。 B, 11 -FEB -08
www.vishay.com
3
SUM75N06-09L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
2.0
r
DS ( ON)
- 导通电阻
I
S
- 源电流( A)
100
(归一化)
1.5
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 25 °C
1.0
0.5
0.0
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温( ° C)
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
80
76
100
I
AV
( A)在t
A
= 25 °C
V
( BR ) DSS
(V)
I
DAV
(A)
72
I
D
= 10毫安
10
68
1
I
AV
( A)在t
A
= 150 °C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
t
in
(s)
0.01
0.1
1
64
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温( ° C)
雪崩电流与时间
漏源击穿
- 结温
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4
文档编号: 72037
S- 80274 -REV 。 B, 11 -FEB -08
SUM75N06-09L
Vishay Siliconix公司
热额定值
90
1000
有限
由R
DS ( ON) *
100
I
D
- 漏电流( A)
60
I
D
- 漏电流( A)
10 s
100 s
10
1毫秒
10毫秒
DC , 100毫秒
T
C
= 25 °C
单脉冲
75
45
30
1
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
* V
GS
1
10
100
T
C
- 外壳温度( ° C)
最大雪崩漏电流
与外壳温度
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
最小V
GS
在r
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区,结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间( S)
归瞬态热阻抗,结至外壳
日前,Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件,如包/带图纸,零件标记,并
可靠性数据,请参见
http://www.vishay.com/ppg?72037 。
文档编号: 72037
S- 80274 -REV 。 B, 11 -FEB -08
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SUM75N06-09L-E3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
SUM75N06-09L-E3
VISHAY
20+
6000
TO263
百分之百原装进口现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
SUM75N06-09L-E3
VISHAY/威世
18+
15600
TO-263
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
SUM75N06-09L-E3
Vishay Siliconix
24+
10000
TO-263(D2PAK)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SUM75N06-09L-E3
VBSEMI
2443+
23000
TO-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SUM75N06-09L-E3
VISHAY/威世
24+
9634
TO-263
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
SUM75N06-09L-E3
VB
25+23+
35500
TO-263
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
SUM75N06-09L-E3
VISHAY
21+22+
27000
TO-263
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
SUM75N06-09L-E3
VISHAY/威世
24+
5000
TO-263
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SUM75N06-09L-E3
VISHAY/威世
2024
30475
TO-263
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SUM75N06-09L-E3
VISHAY/威世
2024
30475
TO-263
原装现货上海库存,欢迎咨询
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