SUM75N06-09L
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V (D -S ) , 175℃ MOSFET
产品概述
V
( BR ) DSS
(V)
60
r
DS ( ON)
(Ω)
0.0093在V
GS
= 10 V
0.0135在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
90
62
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订货信息:
SUM75N06-09L -E3 (铅(Pb ) - 免费)
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
功耗
工作结存储温度范围
a
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
90
53
160
50
125
125
b
3.75
c
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
°C
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
注意事项:
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免。
文档编号: 72037
S- 80274 -REV 。 B, 11 -FEB -08
www.vishay.com
1
( PCB安装)
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.2
单位
° C / W
SUM75N06-09L
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格
T
J
= 25 ℃,除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125 °C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 175 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A,T
J
= 125 °C
漏源导通电阻
a
r
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A,T
J
= 175 °C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 30 A,T
J
= 125 °C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 30 A,T
J
= 175 °C
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
c
符号
测试条件
分钟。
60
1
典型值。
马克斯。
单位
2
3
± 100
1
50
150
V
nA
A
A
75
0.0075
0.0093
0.0163
0.024
0.0105
0.0135
0.0224
0.030
25
75
2400
Ω
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
V
DS
= 15 V,I
D
= 30 A
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
430
210
47
75
pF
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 90 A
12
13
7
12
50
40
20
90
160
180
1.4
40
80
4
0.16
2
0.040
nC
V
DD
= 30 V ,R
L
= 0.4
Ω
I
D
90 A,V
根
= 10 V ,R
G
= 2.5
Ω
30
25
12
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
b
A
V
ns
A
C
I
F
= 90 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A, di / dt的= 100 A / μs的
注意事项:
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒,占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号: 72037
S- 80274 -REV 。 B, 11 -FEB -08
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典型特征
25 ℃,除非另有说明
160
V
GS
= 10直通5 V
I
D
- 漏电流( A)
120
I
D
- 漏电流( A)
120
160
80
4V
80
40
3V
0
0
2
4
6
8
10
40
T
C
= 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
输出特性
120
T
C
= - 55 °C
100
g
fs
- 跨导(S )
25 °C
80
125 °C
60
r
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.017
0.020
传输特性
0.014
0.011
V
GS
= 4.5 V
40
V
GS
= 10 V
0.008
20
0
0
10
20
30
40
50
60
0.005
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
I
D
- 漏电流( A)
跨
4000
20
导通电阻与漏电流
3200
- 电容(pF )
C
国际空间站
2400
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
12
1600
8
800
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
60
4
0
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
电容
栅极电荷
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典型特征
25 ℃,除非另有说明
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
2.0
r
DS ( ON)
- 导通电阻
I
S
- 源电流( A)
100
(归一化)
1.5
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 25 °C
1.0
0.5
0.0
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温( ° C)
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
80
76
100
I
AV
( A)在t
A
= 25 °C
V
( BR ) DSS
(V)
I
DAV
(A)
72
I
D
= 10毫安
10
68
1
I
AV
( A)在t
A
= 150 °C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
t
in
(s)
0.01
0.1
1
64
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温( ° C)
雪崩电流与时间
漏源击穿
- 结温
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文档编号: 72037
S- 80274 -REV 。 B, 11 -FEB -08
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热额定值
90
1000
有限
由R
DS ( ON) *
100
I
D
- 漏电流( A)
60
I
D
- 漏电流( A)
10 s
100 s
10
1毫秒
10毫秒
DC , 100毫秒
T
C
= 25 °C
单脉冲
75
45
30
1
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
* V
GS
1
10
100
T
C
- 外壳温度( ° C)
最大雪崩漏电流
与外壳温度
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
最小V
GS
在r
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区,结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间( S)
归瞬态热阻抗,结至外壳
日前,Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件,如包/带图纸,零件标记,并
可靠性数据,请参见
http://www.vishay.com/ppg?72037 。
文档编号: 72037
S- 80274 -REV 。 B, 11 -FEB -08
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