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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第790页 > SFH302-4
SFH 302
NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
SFH 302
集体中毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有说明
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich ·冯· 450双波长1100纳米
q
霍厄Linearitt
q
的TO- 18 ， Bodenplatte ， klares环氧
Gieβharz ，麻省理工学院Basisanschluβ
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
450纳米至1100纳米
q
高线性度
q
的TO- 18 ，底板，透明exposy树脂
镜头与底座的连接
q
可在组
应用
q
光中断
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
典型值
TYPE
SFH 302
SFH 302-2
SFH 302-3
SFH 302-4
SFH 302-5
SFH 302-6
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P1641
Q62702-P1623
Q62702-P1624
Q62702-P1625
Q62702-P1626
Q62702-P1627
半导体集团
252
10.95
fet06017
SFH 302
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
3 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
发射器 - Basisspannung
发射极 - 基极电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 80
260
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
合计
R
thJA
50
50
200
7
150
450
V
mA
mA
V
mW
K / W
半导体集团
253
SFH 302
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Fotostrom DER Kollektor个基本Fotodiode
集电极 - 基极二极管的光电流
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
V
CB
= 5 V
Kapazitt
电容
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 10 V,
E
= 0
符号
符号
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
880
450 ... 1100
统一性
单位
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
0.675
1
×
1
0.2 ... 0.8
mm
2
mm
×
mm
mm
±
50
毕业生
度。
I
PCB
I
PCB
4.2
12.5
A
A
C
CE
C
CB
C
EB
I
首席执行官
23
39
47
20 (≤ 200)
pF
pF
pF
nA
半导体集团
254
SFH 302
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000九，
Normlicht /标准光A
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor - 发射极
Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
Stromverstrkung
电流增益
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
对称
BOL
-2
-3
邂逅相遇，
价值
-4
-5
-6
EIN-
heit
单位
I
PCE
I
PCE
0.4 ... 0.8 0.63 ... 1.25 1 ... 2 1.6 ... 3.2
≥
2.5毫安
1.75
2.8
4.5
7.1
9.5
mA
t
r
,
t
f
9
11
14
17
20
s
V
CESAT
200
200
200
200
200
mV
I
PCE
I
PCB
140
230
360
570
750
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
半导体集团
255
SFH 302
相对光谱灵敏度
S
REL
=
f
(λ)
光
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
输出特性
I
C
=
f
(V
CE
),
I
B
=参数
方向特性
S
REL
=
f
()
半导体集团
256
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