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SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
20
16
r
DS （ ON）
(W)
0.007 @ V
GS
= 10 V
0.010 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C最高结温
D
100% R
g
经过测试
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUD50N03-07
SUD50N03-07 -E3 （无铅）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
20
14
100
20
136
5
a
55
175
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
www.vishay.com
符号
R
thJA
R
thJC
典型
最大
30
单位
° C / W
0.85
1.1
1
SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
=20 A
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
20
50
0.007
0.011
0.010
S
W
30
1.0
2.0
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极
收费
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
0.5
14
11
60
15
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5600
1100
450
70
16
10
3.1
30
20
120
40
ns
W
130
nC
pF
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
55
100
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
200
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
80
100
传输特性
150
5V
100
4V
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
60
40
T
C
= 125_C
25_C
55_C
20
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
120
T
C
=
55_C
90
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.0125
0.0100
0.0075
0.0050
0.0025
0.0000
0
10
20
30
40
50
0
克FS
跨导（S ）
0.0150
导通电阻与漏电流
25_C
125_C
V
GS
= 4.5 V
60
V
GS
= 10 V
30
0
20
40
60
80
100
I
D
漏电流（ A）
8000
I
D
漏电流（ A）
20
C
国际空间站
V
DS
= 15 V
I
D
= 45 A
电容
栅极电荷
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
电容（pF）
6000
16
12
4000
8
2000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
4
0
0
30
60
90
120
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
www.vishay.com
3
SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 45 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.5
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
24
20
I D
漏电流（ A）
16
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
环境温度（ ℃）
I D
漏电流（ A）
500
安全工作区
100
有限
由R
DS （ ON）
10
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1s
T
A
= 25_C
单脉冲
dc
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
100
500
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
4
SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
20
16
r
DS （ ON）
(W)
0.007 @ V
GS
= 10 V
0.010 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C最高结温
D
100% R
g
经过测试
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUD50N03-07
SUD50N03-07 -E3 （无铅）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
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T
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= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
20
14
100
20
136
5
a
55
175
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
www.vishay.com
符号
R
thJA
R
thJC
典型
最大
30
单位
° C / W
0.85
1.1
1
SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
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DS
= 30 V, V
GS
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J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
=20 A
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
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D
= 20 A
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DS
= 15 V，I
D
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0.007
0.011
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S
W
30
1.0
2.0
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极
收费
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
0.5
14
11
60
15
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5600
1100
450
70
16
10
3.1
30
20
120
40
ns
W
130
nC
pF
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
55
100
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
200
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
80
100
传输特性
150
5V
100
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0
2
4
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V
DS
漏极至源极电压（ V）
60
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T
C
= 125_C
25_C
55_C
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GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
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55_C
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导通电阻与漏电流
25_C
125_C
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GS
= 4.5 V
60
V
GS
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D
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漏电流（ A）
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C
国际空间站
V
DS
= 15 V
I
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栅极电荷
V GS
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C
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DS
漏极至源极电压（ V）
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Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 45 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.5
T
J
= 150_C
T
J
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0.5
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50
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0
25
50
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100
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1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
24
20
I D
漏电流（ A）
16
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
环境温度（ ℃）
I D
漏电流（ A）
500
安全工作区
100
有限
由R
DS （ ON）
10
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1s
T
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单脉冲
dc
0.1
0.1
1
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V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
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标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
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500
方波脉冲持续时间（秒）
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N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
20
16
r
DS （ ON）
(W)
0.007 @ V
GS
= 10 V
0.010 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C最高结温
D
100% R
g
经过测试
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUD50N03-07
SUD50N03-07 -E3 （无铅）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
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T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
20
14
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55
175
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
www.vishay.com
符号
R
thJA
R
thJC
典型
最大
30
单位
° C / W
0.85
1.1
1
SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
=20 A
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
20
50
0.007
0.011
0.010
S
W
30
1.0
2.0
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极
收费
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
0.5
14
11
60
15
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5600
1100
450
70
16
10
3.1
30
20
120
40
ns
W
130
nC
pF
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
55
100
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
200
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
80
100
传输特性
150
5V
100
4V
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
60
40
T
C
= 125_C
25_C
55_C
20
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
120
T
C
=
55_C
90
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.0125
0.0100
0.0075
0.0050
0.0025
0.0000
0
10
20
30
40
50
0
克FS
跨导（S ）
0.0150
导通电阻与漏电流
25_C
125_C
V
GS
= 4.5 V
60
V
GS
= 10 V
30
0
20
40
60
80
100
I
D
漏电流（ A）
8000
I
D
漏电流（ A）
20
C
国际空间站
V
DS
= 15 V
I
D
= 45 A
电容
栅极电荷
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
电容（pF）
6000
16
12
4000
8
2000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
4
0
0
30
60
90
120
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
www.vishay.com
3
SUD50N03-07
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 45 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.5
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
24
20
I D
漏电流（ A）
16
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
环境温度（ ℃）
I D
漏电流（ A）
500
安全工作区
100
有限
由R
DS （ ON）
10
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1s
T
A
= 25_C
单脉冲
dc
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
100
500
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
文档编号： 70767
S- 40272 -REV 。 E， 23 -FEB -04
4
SUD50N03-07
N沟道
30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
20
16
r
DS （ ON）
(W)
0.007 @ V
GS
= 10 V
0.010 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C最高结温
D
100% R
g
经过测试
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUD50N03-07
SUD50N03-07 -E3 （无铅）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
20
14
100
20
136
5
a
55
175
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
符号
R
thJA
R
thJC
典型
最大
30
单位
° C / W
0.85
1.1
1/5
www.freescale.net.cn
SUD50N03-07
N沟道
30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
=20 A
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
20
50
0.007
0.011
0.010
S
W
30
1.0
2.0
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极
收费
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
0.5
14
11
60
15
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5600
1100
450
70
16
10
3.1
30
20
120
40
ns
W
130
nC
pF
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
55
100
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
2/5
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N沟道
30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
200
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
80
100
传输特性
150
5V
100
4V
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
60
40
T
C
= 125_C
25_C
55_C
20
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
120
T
C
=
55_C
90
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.0125
0.0100
0.0075
0.0050
0.0025
0.0000
0
10
20
30
40
50
0
克FS
跨导（S ）
0.0150
导通电阻与漏电流
25_C
125_C
V
GS
= 4.5 V
60
V
GS
= 10 V
30
0
20
40
60
80
100
I
D
漏电流（ A）
8000
I
D
漏电流（ A）
20
C
国际空间站
V
DS
= 15 V
I
D
= 45 A
电容
栅极电荷
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
电容（pF）
6000
16
12
4000
8
2000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
4
0
0
30
60
90
120
Q
g
总栅极电荷（ NC）
3/5
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N沟道
30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 45 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.5
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
24
20
I D
漏电流（ A）
16
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
环境温度（ ℃）
I D
漏电流（ A）
500
安全工作区
100
有限
由R
DS （ ON）
10
10, 100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1s
T
A
= 25_C
单脉冲
dc
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
100
500
方波脉冲持续时间（秒）
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SUD50N03-07
N沟道
30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
自由泳Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和员工，以及所有的人采取行动就可以了S或他们的代表（以下统称，
“自由式” ） ，特此声明中包含的任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整的任何及所有责任
关于任何产品的披露。
自由泳使有关产品的suitabilit y代表任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内，六吉文否认（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于其它类L，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些应用S型的适合性陈述是基于典型的自由泳的知识
的要求，常常放在自由泳产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。它是客户的responsib ility来验证特定
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
设置在参数表和/或说明书中S可以在不同的应用中性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型的PA rameters ，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或修改自由泳的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，自由泳的产品并非设计用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序，其中自由泳产品故障可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售自由泳产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险和AGR EE
充分赔偿并自由泳和其分销商，免受了y和所有的债权，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，可见干草赔偿
材料分类政策
自由泳Intertechnology，Inc.是在此CERTI的外商投资企业，其所有产品均ID entified为符合RoHS标准符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（ EEE ） - 重铸，除非指定为不符合otherwis即
请注意，有些自由泳文件可能仍然参照RoHS指令2002 /95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
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S1T8501X01-D0B0
SML40B27
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联系人：吴小姐
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联系人：李先生
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