S T U / D1530P L
S amHop微电子 ORP 。
P reliminary Mar.28 2004年
P - C hannel ê nhancement模式的MOS FE牛逼
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
-30V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）最大
I
D
-20A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
45 @ V
的s
= -10V
60 @ V
的s
= -4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
杜律诗性S E IE S
TO- 252AA （D -P AK ）
S DD性S E IE S
的TO- 251 （1- P AK）的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=125 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
-30
20
-20
-50
-20
50
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到C的酶
热 esistance ，结到环境
1
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
S T U / D1530P L
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
DS
= -15V ，我
D
= - 5.8A
最小值典型值
C
最大单位
-30
-1
100
-1
-1.5 -2.5
35
50
-20
8
809
174
101
45
V
uA
nA
V
M-欧姆
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
60
M-欧姆
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
D
= -15V,
I
D
= -1A,
V
GE
= - 10V,
R
GE
= 6欧姆
R
L
= 15欧姆
V
DS
=-15V,I
D
=-5.3A,V
GS
=-10V
V
DS
=-15V,I
D
=-5.3A,V
GS
=-4.5V
V
DS
= -15V ，我
D
= -5.3A,
V
GS
=-10V
12.3
18.6
69.4
44
18.8
9.5
3.9
3.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S T U / D1530P L
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= -15A
最小典型最大单位
-1
-1.3
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
20
-V
的s
=2V
25
16
20
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
12
-V
的s
=10,9,8,7,6,5,4,3V
15
T J = 125℃
10
8
-V
的s
=1V
4
0
5
25 C
0
-55 C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
12
-V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
-V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance （欧姆）
1200
1000
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
0
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
=-10V
I
D
=-5.8A
C，C apacitance （PF ）
800
600
400
200
0
C为S
OS s
RS s
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3
S T U / D1530P L
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
I
D
=-250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
18
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20
10
g
F小号
，T失败者电导（ S）
12
9
6
3
0
V
DS
=-15V
0
5
10
15
20
25
-is ，S环境允许的漏电流（ A）
15
1
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=25 C
1.2
1.4
-I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
-V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
-V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
70
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
10
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21 24
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
=-15V
I
D
=-5.3A
50
R
DS
(O
N
im
)L
it
10
10
0m
s
ms
10
DC
1s
1
0.03
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
0.1
1
10
30
60
-V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
4
S T U / D1530P L
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
6
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
S荷兰国际集团乐P ULS ê
0.01
10
-5
-4
-3
-2
-1
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
10
10
10
t
2
R
θJ
A
（吨） = R （t）的R *
θJ
A
R
θJ
A
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
θJ
A
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
1
10
10
S单方波P ULS 时间（S EC）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
QQ：2880707522 复制
