STB70N10F4 , STD70N10F4
STP70N10F4 , STW70N10F4
N型沟道100伏, 0.015
60 A ,的STripFET DeepGATE
,
在TO-220, DPAK ,TO- 247 ,D功率MOSFET
2
PAK
特点
TYPE
STB70N10F4
STD70N10F4
STP70N10F4
STW70N10F4
■
■
■
V
DSS
100 V
100 V
100 V
100 V
R
DS ( ON)
最大
< 0.0195
< 0.0195
< 0.0195
< 0.0195
I
D
65 A
60 A
65 A
65 A
1
2
3
1
2
3
TO-247
TO-220
DV dt能力EXCEPTIONAL /
非常低的导通电阻R
DS ( ON)
100%的雪崩测试
3
1
3
1
DPAK
DPAK
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这的STripFET DeepGATE 功率MOSFET
技术是其中的最新改进,
已特别针对减少
通态电阻,用新的栅结构,
提供出色的开关性能。
表1中。
设备简介
记号
70N10F4
70N10F4
70N10F4
70N10F4
包
DPAK
DPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
管
订购代码
STB70N10F4
STD70N10F4
STP70N10F4
STW70N10F4
2009年10月
文档ID 15207牧师3
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www.st.com
18
目录
STB/D/P/W70N10F4
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
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STB/D/P/W70N10F4
表7中。
符号
I
SD
I
SDM (1)
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
-
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 60 A,V
GS
= 0
I
SD
= 60 A,V
DD
= 25 V
的di / dt = 100 A / μs的,
T
j
= 150 °C
(参见图17)
-
80
280
6.7
240
1.5
A
V
ns
nC
A
测试条件
分钟。
典型值。
最大
60
单位
A
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
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