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STB70N10F4 , STD70N10F4
STP70N10F4 , STW70N10F4
N型沟道100伏, 0.015
60 A ,的STripFET DeepGATE
,
在TO-220, DPAK ,TO- 247 ,D功率MOSFET
2
PAK
特点
TYPE
STB70N10F4
STD70N10F4
STP70N10F4
STW70N10F4
V
DSS
100 V
100 V
100 V
100 V
R
DS ( ON)
最大
< 0.0195
< 0.0195
< 0.0195
< 0.0195
I
D
65 A
60 A
65 A
65 A
1
2
3
1
2
3
TO-247
TO-220
DV dt能力EXCEPTIONAL /
非常低的导通电阻R
DS ( ON)
100%的雪崩测试
3
1
3
1
DPAK
DPAK
应用
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这的STripFET DeepGATE 功率MOSFET
技术是其中的最新改进,
已特别针对减少
通态电阻,用新的栅结构,
提供出色的开关性能。
表1中。
设备简介
记号
70N10F4
70N10F4
70N10F4
70N10F4
DPAK
DPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购代码
STB70N10F4
STD70N10F4
STP70N10F4
STW70N10F4
2009年10月
文档ID 15207牧师3
1/18
www.st.com
18
目录
STB/D/P/W70N10F4
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
文档ID 15207牧师3
STB/D/P/W70N10F4
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 ,TO- 247 ,
DPAK
100
± 20
65
46
260
150
1
120
- 55 175
马克斯。工作结温
60
43
240
125
0.83
单位
DPAK
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
mJ
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
合计
E
AS (2)
T
英镑
T
j
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= 32.5 A,V
DD
= 45 V
表3中。
符号
热数据
价值
参数
的TO-220 ,TO- 247 ,
DPAK
1
62.5
300
单位
DPAK
1.2
50
(1)
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
热阻结案件最大
R
THJ -A
T
l
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
1.当安装在FR-4板1英寸2 , 2盎司铜
文档ID 15207牧师3
3/18
电气特性
STB/D/P/W70N10F4
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
表4 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
=125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A
2
0.015
分钟。
100
1
100
100
4
0.0195
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
-
测试条件
分钟。
典型值。
5800
300
190
V
DD
= 80 V,I
D
= 65 A,
V
GS
= 10 V
(参见图16)
85
-
20
25
-
-
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V,I
D
= 30 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(参见图15)
V
DD
= 50 V,I
D
= 30 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(参见图15)
分钟。
典型值。
30
20
65
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
4/18
文档ID 15207牧师3
STB/D/P/W70N10F4
表7中。
符号
I
SD
I
SDM (1)
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
-
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 60 A,V
GS
= 0
I
SD
= 60 A,V
DD
= 25 V
的di / dt = 100 A / μs的,
T
j
= 150 °C
(参见图17)
-
80
280
6.7
240
1.5
A
V
ns
nC
A
测试条件
分钟。
典型值。
最大
60
单位
A
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
文档ID 15207牧师3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STW70N10F4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
STW70N10F4
ST(意法)
22+
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原装原厂公司现货
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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23+
700000
TO-247-3
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
STW70N10F4
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全新原装正品/质量有保证
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地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
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原装正品现货,可开增值税专用发票
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100%原装正品,只做原装正品
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