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STN4546
STN454
N沟道增强型MOSFET
6.0A
描述
STN4526是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，例如电源管理和其它
电池供电的电路，其中的高侧开关。
引脚配置
SOP-8
½
½
½
½
½
½
特征
40V / 10.0A ，R
DS （ ON）
= 20MΩ （典型值）。
@V
GS
= 10V
40V / 8.0A ，R
DS （ ON）
= 23mΩ
@V
GS
= 4.5V
40V / 6.0A ，R
DS （ ON）
= 27mΩ
@V
GS
= 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOP- 8封装设计
最热
STN4546
YA
Y：年份代码A ：过程代码
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
2007 ， Stanson公司
STN4546 2009 V1
STN4546
STN454
N沟道增强型MOSFET
6.0A
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25 ℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ TJ = 150 ℃ ）
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻，结到环境
TA=25℃
TA=70℃
TA=25℃
TA=70℃
符号
VDSS
VGSS
ID
典型
40
±12
6.0
5.0
30
2.3
2.5
1.6
-55/150
-55/150
80
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
IDM
IS
PD
TJ
TSTG
RΘJA
STANSON科技
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2007 ， Stanson公司
STN4546 2009 V1
STN4546
STN454
N沟道增强型MOSFET
6.0A
电气特性
（ TA = 25 ° ，除非另有说明）
参数
符号
条件
民
典型值
最大
单位
STATIC
漏源
击穿电压
栅极阈值
电压
栅极漏电流
零栅极电压
漏电流
导通状态漏极
当前
漏源开 -
阻力
前锋
跨
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向
TransferCapacitance
开启时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
V
DS
=20V,VGS=0V
F=1MHz
V
DS
=15V,V
GS
=10V
I
D
≡5A
10
1.6
2.0
500
80
45
15
V
DD
=15V,R
L
= 15Ω
I
D
=1.0A,V
根
=10V
R
G
=6Ω
6
10
40
20
12
20
80
nS
pF
15
nC
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
=0V,ID=250uA
V
DS
=V
GS
,ID=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=40V,V
GS
=0V
I
DSS
V
DS
=40V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
≧5V,V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=6.0A
V
GS
=4.5V,I
D
=5.0A
V
GS
=2.5,I
D
=4.5A
V
DS
=15V,I
D
=6.2AV
I
S
=2.3A,V
GS
=0V
10
40
47
72
13
0.8
1.2
48
55
80
40
0.5
1.2
±100
V
V
nA
1
5
uA
A
mΩ
S
V
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
打开-O FF时间
STANSON科技
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2007 ， Stanson公司
STN4546 2009 V1
STN4546
STN454
N沟道增强型MOSFET
6.0A
典型CHARACTERICTICS
STANSON科技
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STN4546 2009 V1
STN4546
STN454
N沟道增强型MOSFET
6.0A
典型CHARACTERICTICS
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STN4546 2009 V1
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SN74LV221ADGVR
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    STN4546
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STN4546
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