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STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65N
STB24NM65N - STP24NM65N
N沟道650 V - 0.16
- 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D
2
PAK
I
2
PAK - TO-247第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STB24NM65N
STI24NM65N
STF24NM65N
STP24NM65N
STW24NM65N
V
DSS
(@T
J
MAX )
710 V
710 V
710 V
710 V
710 V
R
DS ( ON)
最大
< 0.19
< 0.19
< 0.19
< 0.19
< 0.19
I
D
3
19 A
19 A
19 A
(1)
19 A
19 A
1
2
3
12
TO-220
3
1
IPAK
DPAK
3
1
2
1.有限只能由最高允许温度
2
1
3
100%的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220FP
TO-247
图1 。
内部原理图
应用
切换应用程序
描述
这一系列的设备使用的是设计
第二代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一,
栅极电荷。因此,适合于最
需要高效率的转换器。
表1中。
设备简介
订购代码
STB24NM65N
STI24NM65N
STF24NM65N
STP24NM65N
记号
24NM65N
24NM65N
24NM65N
24NM65N
24NM65N
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
STW24NM65N
2008年2月
REV 1
1/19
www.st.com
19
目录
STB24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65N-STP/W24NM65N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/19
STB24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65N-STP/W24NM65N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220/IPAK
TO-247/DPAK
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM (2)
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
J
漏源电压(V
GS
=0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压( RMS)
3导到外部的散热器
(T = 1秒;吨
C
=25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
--
-55到150
150
19
12
76
160
15
2500
650
± 25
19
(1)
12
(1)
76
(1)
40
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
19 A, di / dt的
400 A / μs的,V
DD
= 80% V
( BR ) DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
l
热数据
参数
热电阻junction-
最大的情况下
热电阻junction-
AMB最大
热电阻junction-
PCB最大
最大的铅温度
焊接用
--
62.5
--
的TO-220 IPAK的TO- 247 DPAK TO- 220FP
0.78
50
--
300
--
30
3.1
62.5
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
3/19
电气额定值
STB24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65N-STP/W24NM65N
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
J
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
J
= 25 ° C,I
D
=I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
6
500
单位
A
mJ
4/19
STB24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65N-STP/W24NM65N
电气特性
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
表5 。
符号
V
( BR ) DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
漏源电压斜率
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0
V
DD
= 520 V,I
D
=19 A,
V
GS
=10 V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值, @ 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 9.5 A
2
3
0.16
分钟。
650
35
1
100
±100
4
0.19
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
1.特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量(2)
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 9.5 A
V
DS
= 50 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
14
2500
120
10
310
70
10
40
2.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0至520伏特
V
DD
= 520 V,I
D
= 19 A,
V
GS
= 10 V,
(参见图19)
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
pF
nC
nC
nC
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 %的V
DSS
5/19
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