STF13NM60N ， STI13NM60N ， STP13NM60N ，
STU13NM60N ， STW13NM60N
N沟道600 V ， 0.28
Ω
（典型值） ， 11一个的MDmesh II 功率MOSFET
在TO- 220FP ， IPAK ， TO-220， IPAK ，TO- 247封装
数据表 - 生产数据
特点
TAB
订购代码
STF13NM60N
STI13NM60N
STP13NM60N
STU13NM60N
STW13NM60N
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
R
DS （ ON）
最大
I
D
3
1
2
3
12
TO-220FP
IPAK
650 V
< 0.36
Ω
11 A
TAB
TAB
3
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220
3
1
2
2
1
2
1
3
IPAK
TO-247
应用
■
图1 。
内部原理图
切换应用程序
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用的第二代开发
的MDmesh 技术。这一革命性的力量
MOSFET相关联的垂直结构的
公司的带布局，产生了世界上的一个
最低的导通电阻和栅极电荷。这是
因此，适用于最苛刻的高
效率的转换器。
表1中。
设备简介
订购代码
记号
套餐
TO-220FP
IPAK
TO-220
IPAK
TO-247
包装
管
管
管
管
管
STF13NM60N
STI13NM60N
STP13NM60N
STU13NM60N
STW13NM60N
13NM60N
2012年11月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 15420第5版
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21
目录
STF/I/P/U/W13NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
2/21
文档ID 15420第5版
STF/I/P/U/W13NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
TO- 220FP IPAK ， TO-220， IPAK ，TO- 247
漏源电压
栅源电压
漏极电流（连续）在
T
C
= 25 °C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐受电压（有效值）
来自所有三个导到外部的热
水槽（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
2500
- 55 150
150
11
(1)
6.93
(1)
44
(1)
25
15
600
± 25
11
6.93
44
90
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
单位
1.通过限制最高结温
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
11 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DS高峰
≤
V
（ BR ） DSS
, V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS 。
表3中。
热数据
价值
符号
参数
TO-220FP
IPAK
TO-220
单位
IPAK
1.39
TO-247
° C / W
50
° C / W
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境
最大
5
62.5
62.5
100
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
=50 V)
价值
3.5
200
单位
A
mJ
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STF/I/P/U/W13NM60N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 5.5 A
R
G
= 4.7
Ω
V
GS
= 10 V
（参见图19）
分钟。
典型值。
3
8
30
10
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 11 A，V
GS
= 0
I
SD
= 11 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
（参见图21）
I
SD
= 11 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150 °C
（参见图21）
测试条件
民
-
-
-
230
2
18
290
190
17
典型值。马克斯。单位
11
44
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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