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STD7NM60N ， STF7NM60N
STP7NM60N ， STU7NM60N
N沟道600 V ， 5 A ， 0.84
Ω
DPAK ，TO- 220FP ， TO-220， IPAK
,
第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
订购代码
STD7NM60N
STF7NM60N
STP7NM60N
STU7NM60N
■
■
■
V
DSS @
T
JMAX
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D
2
1
3
3
1
2
650 V
< 0.9
Ω
5A
IPAK
TO-220
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
3
1
3
2
DPAK
1
TO-220FP
应用
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用的第二代实现
的MDmesh
TM
技术。它适用的好处
多个排水过程意法半导体
著名的PowerMESH 水平布局
结构。所得到的产物提供了改进的
导通电阻，低栅极电荷，高dv / dt
能力和优异的雪崩特性。
表1中。
设备简介
记号
包
DPAK
TO-220FP
7NM60N
TO-220
IPAK
包装
磁带和卷轴
管
管
管
订购代码
STD7NM60N
STF7NM60N
STP7NM60N
STU7NM60N
2010年11月
文档ID 16472牧师4
1/17
www.st.com
17
目录
STD7NM60N ， STF7NM60N ， STP7NM60N ， STU7NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
文档ID 16472牧师4
STD7NM60N ， STF7NM60N ， STP7NM60N ， STU7NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220， IPAK ，
DPAK
600
± 25
5
3
20
45
15
2500
- 55 150
150
5
(1)
3
(1)
20
(1)
20
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
5 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
l
热数据
价值
参数
DPAK IPAK
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结到PCB最大
最大无铅焊接温度的
用途
50
300
2.78
100
62.5
TO-220
TO-220FP
6.25
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
表4 。
符号
I
AR
E
AS
热数据
参数
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
2
119
单位
A
mJ
文档ID 16472牧师4
3/17
电气特性
STD7NM60N ， STF7NM60N ， STP7NM60N ， STU7NM60N
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
600
1
100
100
2
3
0.84
4
0.9
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（1）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
363
24.6
1.1
130
5.4
14
2.7
7.7
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0 480 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V
（见
图18）
-
-
-
-
-
-
1. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
.
4/17
文档ID 16472牧师4
STD7NM60N ， STF7NM60N ， STP7NM60N ， STU7NM60N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 2.5 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图19）
分钟。
典型值。
7
10
26
12
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图22）
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图22）
测试条件
分钟。
-
-
-
213
1.5
14
265
1.8
14
典型值。
MAX 。 UNIT
5
20
1.3
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 16472牧师4
5/17
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