140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利， PA
18936-1013
电话：（ 215 ） 631-9840
传真： （ 215 ） 631-9855
SD1143
射频和微波晶体管
VHF移动应用程序
特点
175兆赫
12.5伏
共发射极
P
OUT
= 10瓦最小。
G
P
= 10 dB增益
描述：
该SD1143是12.2 V C类外延硅NPN平面
晶体管主要用于VHF通信。它
能承受工作条件下非常高的VSWR 。
绝对最大额定值（温度上限= 25 ° C）
符号
参数
价值
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
36
18
36
4.0
2.0
20
+200
-65到+150
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
8.75
°
C / W
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
SD1143
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
= 50毫安
I
C
= 15毫安
I
E
= 2.5毫安
V
CB
=15 V
V
CE
= 5 V
V
BE
= 0 V
I
B
= 0毫安
I
C
= 0毫安
I
E
= 0毫安
I
C
= 250毫安
36
18
4.0
1
5
V
V
V
mA
I
CBO
h
FE
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
G
P
C
OB
F = 175 MHz的
F = 175 MHz的
F = 1 MHz的
P
IN
= 1 W
P
IN
= 1 W
V
CB
= 15 V
V
CE
= 12.5 V
V
CE
= 12.5 V
10
10
45
W
dB
pF
阻抗数据
频率（MHz）
Z
IN
( )
Z
OUT
( )
135
140
150
160
170
175
条件：
Z
IN
:
V
CC
= 12.5V ，P
OUT
= 10W
Z
OUT
:
V
CC
= 12.5V ，P
IN
= 1W
1.5 - j1.7
1.5 - j1.4
1.5 - j0.9
1.3 - j0.8
1.3 - j0.8
1.3 - j0.9
6.2 - j1.0
5.9 - j0.8
5.2 + j0.4
5.0 + j1.5
5.0 + j3.0
5.0 + j3.5
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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SD1143
测试电路
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WWW
或者联系我们的厂家直销。
SD1143
包装机械数据
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SD1143
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI SD1143
12.2 V C级
晶体管，专为VHF移动
通信。
包装样式0.380 4L螺柱
.112x45°
A
产品特点：
共发射极
P
G
= 10分贝10W / 175兆赫
Omnigold
金属化系统
B
C
E
C
E
B
H
I
J
D
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
2.0 A
36 V
18 V
36 V
4.0 V
20瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
8.8 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
＃ 8-32 UNC -2A
F
E
G
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.980 / 24.89
.370 / 9.40
.004 / 0.10
.320 / 8.13
.100 / 2.54
.450 / 11.43
.090 / 2.29
.155 / 3.94
.230 / 5.84
.385 / 9.78
.007 / 0.18
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.175 / 4.45
.750 / 19.05
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
I
C
= 15毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 2.5毫安
V
CB
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
18
36
4.0
1.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
I
C
= 250毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 10 W
F = 175 MHz的
5.0
200
45
V
CB
= 12.5 V
V
CE
= 12.5 V
10
60
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
1/2
SD1143
阻抗数据
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
2/2
SD1143
射频产品
区划
RF &微波晶体管
P
RODUCT
P
导读
描述
主要特点
W W W .
Microsemi的
.COM
该SD1143是12.2 V C类外延硅NPN平面
晶体管主要用于VHF通信。它可以承受
操作条件下非常高的VSWR。
175
！ "
兆赫
12.5伏
！ "
共发射极
！ "
P
！ "
OUT
= 10瓦最小。
G
！ "
P
= 10 dB增益
应用/优势
应用/优势
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
VHF移动
！ "
应用
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
绝对最大额定值（T
例
= 25
°
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
价值
36
18
36
4.0
2.0
20
+200
-65到+150
单位
V
V
V
V
A
W
°C
°C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
8.75
° C / W
SD1143
SD1143
版权
2000
MSCXXXX.PDF 2000-11-28
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动，蒙哥马利PA 18936 ， （ 215 ） 631-9840 ，传真： （ 215 ） 631-9855
第1页
SD1143
射频产品
区划
RF &微波晶体管
P
RODUCT
P
导读
W W W .
Microsemi的
.COM
静态电气特性（T
例
= 25
°
C)
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
I
C
=
50毫安
I
C
=
15毫安
I
E
=
2.5毫安
V
CB
=
15 V
V
CE
=
5 V
测试条件
V
BE
=
0 V
I
B
=
0毫安
I
C
=
0毫安
I
E
=
0毫安
I
C
=
250毫安
分钟。
36
18
4.0
5
SD1143
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
mA
1
200
DYMANIC电气特性（T
例
= 25
°
C)
符号
P
OUT
G
P
C
OB
f
=
175兆赫
f
=
175兆赫
f
=
1兆赫
测试条件
P
IN
=
1 W
P
IN
=
1 W
V
CB
=
15 V
V
CE
=
12.5 V
V
CE
=
12.5 V
分钟。
10
10
SD1143
典型值。
马克斯。
45
单位
W
dB
pF
阻抗数据
频率。
175兆赫
Z
IN （ - ）
1.3 – j.8
Z
CL （ - ）
5.1 + j 3.8
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
版权
2000
MSCXXXX.PDF 2000-11-28
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动，蒙哥马利PA 18936 ， （ 215 ） 631-9840 ，传真： （ 215 ） 631-9855
第2页
SD1143
射频产品
区划
RF &微波晶体管
P
RODUCT
P
导读
W W W .
Microsemi的
.COM
包装DATTA
包装DATTA
版权
2000
MSCXXXX.PDF 2000-11-28
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动，蒙哥马利PA 18936 ， （ 215 ） 631-9840 ，传真： （ 215 ） 631-9855
第3页
SD1143
射频产品
区划
RF &微波晶体管
P
RODUCT
P
导读
W W W .
Microsemi的
.COM
笔记
笔记
版权
2000
MSCXXXX.PDF 2000-11-28
Microsemi的
射频产品事业部
140商业驱动，蒙哥马利PA 18936 ， （ 215 ） 631-9840 ，传真： （ 215 ） 631-9855
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