N沟道900V - 1.1
- 7.3 MAX220 / Max220I
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STU7NB90
STU7NB90I
s
s
s
s
s
s
STU7NB90
STU7NB90I
V
DSS
900 V
900 V
R
DS ( ON)
< 1.45
< 1.45
I
D
7.3 A
7.3 A
典型
DS
(上) = 1.1
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
降压蔓延
1
2
3
Max220
Max220I
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中,意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
表演。新申请专利带布局
再加上公司的proprieraty边缘termi-
民族结构,给出了低R
DS ( ON)
单位面积,
呈雪崩和dv / dt的能力和
无与伦比的栅极电荷和开关特性
抽动。
应用
s
大电流,高开关速度
s
SWITH模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
dv / dt的( 1 )
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
内部原理图
价值
STU7NB90
900
900
±30
7.3
4.6
29.2
170
1.36
4
-
-65到150
150
2500
7.3 (*)
4.6 (*)
29.2 (*)
60
0.47
STU7NB90I
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
V
°C
°C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤7.3
A, di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
( * )电流限制通过包装
2001年5月
1/9
STU7NB90 - STU7NB90I
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 450 V,I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 720V ,我
D
= 7.4A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
25
12
51
12.5
23.5
72
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 720V ,我
D
= 7.4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
22
15
31
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7.3 A,V
GS
= 0
I
SD
= 7.4 A, di / dt的= 100A / μs的,
V
DD
= 100V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
700
6.3
18
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
7.3
29.2
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区MAX220
安全工作区Max220I
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