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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第402页 > S29NS-J
S29NS-J
128兆位(8M ×16位) , 64兆位(4M ×16位) ,
32兆位(2M ×16位) ,和16兆位(1的M× 16位) ,
110纳米CMOS 1.8伏只同步读/写,
突发模式闪存产品
数据表
S29NS -J封面
请注意,以读者:
这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格
本文描述的产品(S) 。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息,
初步或全面投产。看
请注意在数据表牌号
对于定义。
公开号
S29NS-J_00
调整
A
修订
11
发行日期
2007年2月7日
AT A
S熙吨
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称,提醒读者
产品信息或意图规范整个产品生命周期,包括研发,
资质,初始生产,并全面投入生产。在所有的情况下,但是,我们鼓励读者以验证
他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明
表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。
超前信息
的超前信息指定表示Spansion公司正在开发的一个或多个特定
产品,但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息
指定有可能发生改变,并且在某些情况下,开发的产品可中止。 Spansion公司
因此,公司应放置超前信息内容如下条件:
“本文件包含有关正在开发Spansion公司的一个或多个产品信息
该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计
联系工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一个承诺
生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期,包括
产品合格,最初的生产,并且在发生的制造过程中的后续阶段
之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍
文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司
放置后,初步含量满足以下条件:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。本文件的初步情况显示,产品合格已
完成,而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。 “
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合(超前信息,
初步或全部生产) 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称
在必要时,通常第一个页面时,订购信息页面,页面与DC
特性表和AC擦除和编程表(表中的说明) 。第一个免责声明
页面是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称变化
预计,初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括
那些影响订货可用的部件号,诸如速度的增加或删除的数量
选项,使用温度范围,封装类型,或V
IO
范围内。变化也可能包括那些需要澄清
说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下
条件,这一类材料:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量等
本文档的后续版本预计不会改变。但是,印刷或者
规格更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的销售办事处。
2
S29NS-J
S29NS - J_00_A11 2007年2月7日
S29NS-J
128兆位(8M ×16位) , 64兆位(4M ×16位) ,
32兆位(2M ×16位) ,和16兆位(1的M× 16位) ,
110纳米CMOS 1.8伏只同步读/写,
突发模式闪存产品
数据表
特点
单1.8伏读取,编程和擦除( 1.7 1.95 V)
复用的数据和地址的减少
I / O数
- A15 -A0复用为DQ15 - DQ0
- 地址是由AVD #控制输入锁存当CE #低
扇区保护
- 软件命令锁业
- WP #保护最高的两个行业
- 所有行业锁定在A
cc
= V
IL
握手功能
- 提供主机系统与监测最低可能延迟
RDY
同时读/写操作
- 可以将数据连续地从一个存储体的同时执行读
擦除/在其他银行的程序功能
读取和写入操作之间的零延迟
支持通用闪存接口( CFI )
软件指令集兼容JEDEC 42.4
标准
- 与Am29F和Am29LV家庭向后兼容
读取访问时间在54 MHz的(C
L
= 30 pF的)
- 11 / 13.5 ns的突发访问时间
在工业级温度范围
- 异步随机存取时间
的七十分之六十五NS
- 同步随机存取时间
71 / 87.5纳秒
在110纳米制程技术制造
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动preprograms和擦除
整个芯片或指定扇区的任意组合
- 嵌入式程序算法自动写入和校验数据
在指定地址
突发模式
- 连续线性爆
- 保鲜膜8/16/32字线突发各地
- 无包装8/16/32字线突发各地
数据#投票
- 提供的检测程序和擦除软件的方法
操作完成
功耗(典型值, 8位开关,C
L
= 30
pF的)
突发模式阅读: 25毫安
同时操作: 40毫安
编程/擦除: 15毫安
待机模式: 9 μA
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或程序数据,
一个没有被擦除的扇区,然后将恢复的擦除操作
硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列数据
部门架构
- 4个8千字行业
- 两百年55 ( S29NS128J ) , 127
( S29NS064J ) , 63 ( S29NS032J )或31 ( S29NS016J )
32千字行业
- 四家银行(见扇区数量和尺寸下页)
CMOS兼容输入和输出
- 48球很薄FBGA ( S29NS128J )
- 44球很薄FBGA ( S29NS064J , S29NS032J , S29NS016J )
自行车耐力:每个扇区典型的100万次
数据保存:20年典型
概述
该S29NS128J , S29NS064J , S29NS032J和S29NS016J是128兆, 64兆, 32兆和16兆1.8伏只,
同步读/写,突发模式闪存设备,组织为8,388,608 , 4,194,304 , 2,097,152和1,048,576 。
也就是说,每行16位。这些器件采用单V
CC
为1.7 1.95 V至读取,编程和擦除存储器阵列。一个12.0-
伏特
cc
可用于更快的程序的性能,如果需要的。这些设备也可以用在标准编程
EPROM编程器。
该器件提供在以下速度:
时钟速度
54兆赫
突发存取( NS )
13.5
同步。初始接入(纳秒)
87.5
异步初始访问( NS )
70
输出负载
30 pF的
公开号
S29NS-J_00
调整
A
修订
11
发行日期
2007年2月7日
AT A
S熙吨
器件的温度范围内操作-25
°C
+85
°C,
并且提供了非常薄的FBGA
包。
同时读/写操作零延迟
同时读/写架构划分存储空间分成四组。该装置允许
主机系统编程或擦除一家银行,然后立即和同时从另一家银行看,
零延迟。此从等待完成方案或擦除操作释放系统。
该装置被构造为显示在下面的表中:
S29NS128J
A银行部门
QUANTITY
4
63
32兆位总
S29NS064J
A银行部门
QUANTITY
4
31
16兆位总
S29NS032J
A银行部门
QUANTITY
4
15
8兆位总
S29NS016J
A银行部门
QUANTITY
4
7
4兆位总
SIZE
8 K字
32 K字
QUANTITY
8
12兆位总
银行B,C & D部门
SIZE
32 K字
SIZE
8 K字
32 K字
QUANTITY
16
24兆位总
银行B,C & D部门
SIZE
32 K字
SIZE
8 K字
32 K字
QUANTITY
32
48兆位总
银行B,C & D部门
SIZE
32 K字
SIZE
8 K字
32 K字
QUANTITY
64
96兆位总
银行B,C & D部门
SIZE
32 K字
该设备使用芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# ) ,地址有效( AVD #)和输出使能( OE # )来
控制异步读取和写入操作。对于突发操作,器件还需要准备好
( RDY )和时钟( CLK ) 。这种实现可轻松实现以最小的胶合逻辑来
微处理器/微控制器高性能读取操作。
该设备提供的完全兼容
42.4 JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
读出的数据的设备类似于其他Flash或EPROM器件读取。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成时通过使用设备
状态位
DQ7 (数据#投票) 。后一个程序或擦除周期已经完成,该装置自动返回到
读阵列数据。
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。从工厂发货时,设备被完全擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。该器件还提供了三种数据保护的行业水平。该
扇形
4
S29NS-J
S29NS - J_00_A11 2007年2月7日
数据
她等
锁定/解锁命令序列
禁用或重新启用这两个编程和擦除操作的任何部门。
当在V
IL
,
WP #
锁定最高的两个行业。最后,当
A
cc
是V
IL
,所有部门都被锁定。
该器件提供两种省电功能。当地址已稳定为指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在这两种模式下大大降低。
2007年2月7日S29NS , J_00_A11
S29NS-J
5
S29NS-J
128兆位(8M ×16位) , 64兆位(4M ×16位) ,
32兆位(2M ×16位) ,和16兆位(1的M× 16位) ,
110纳米CMOS 1.8伏只同步读/写,
突发模式闪存产品
数据表
请注意,以读者:
这份文件指出目前的技术规格
关于本文所描述的飞索产品(S) 。 Spansion公司认为该
产品一直在足够生产量,使得后续
本文档的版本都不会改变。然而,排印
或规范更正或修改的有效组合提供
可能会发生。
公开号
S29NS-J_01
调整
A
修订
10
发行日期
2006年3月22日
D A T A
中文ê (E T)
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范,在 -
cluding开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮
点燃他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性
cific产品,但并没有承诺任何设计到生产。在doc-提供的信息
输稿带,该名称是可能发生变化,并且在某些情况下,开发产品上
可能会中止。因此, Spansion公司在推进信息放置在下列条件
化的内容:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面
UCT生命周期,包括产品合格,初始生产,并在随后的阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件
进制内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通
销售网络的CE 。
ii
S29NS-J
2006年S29NS - J_01_A10 3月22日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
请注意在数据表指定。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。二
超前信息................................................ ....................................... II
初步..........................................................................................................ii
组合.......................................................................................................ii
满负荷生产(无文件上指定) ...................................二
同时读/写操作零延迟...................... 2
图1.程序运行............................................. .. 38
芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 38
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 39
加速行业集团擦除.............................................. ................ 39
表14.加速扇区擦除组, S29NS128J
表15.加速扇区擦除组, S29NS064J
表16.加速扇区擦除组, S29NS032J
表17.加速扇区擦除组, S29NS016J
......... 40
......... 40
......... 41
......... 41
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
同时运算电路的框图
5
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
有效组合................................................ ............................................. 13
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 42
图2.擦除操作............................................. ...... 43
表18.命令定义.......................................... 44
DQ7 :数据#投票............................................. ............................................... 45
图3.数据#投票算法........................................ 46
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
表1.设备总线操作........................................... 14
RDY :就绪...........................................................................................................47
DQ6 :切换位I ............................................. .................................................. 47
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................. 47
图4.切换位算法............................................ 。 48
表19. DQ6和DQ2主治..................................... 49
对于异步读取操作(非连拍) .......... 14项要求
为同步(突发)读操作....................... 14项要求
连续突发................................................ ............................................. 15
8,16和32字的线性突发与周围环绕....................... 15
表2.突发地址组............................................ 16
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 49
DQ5 :超过时序限制............................................. ........................... 49
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................................... 50
表20.写操作状态......................................... 50
图5.最大负过冲波形................ 51
图6.最大正过冲波形.................. 51
8,16和32字线性无突发裹围绕................ 16
可编程等待状态............................................... ................................. 16
握手特征................................................ ...................................... 17
同时读/写操作零延迟..................... 17
写命令/命令序列............................................. ..... 17
加快程序运行............................................... ................. 17
自选功能................................................ ...................................... 17
待机模式........................................................................................................17
自动休眠模式............................................... ....................................... 18
RESET # :硬件复位输入............................................ ......................... 18
V
CC
上电和断电排序........................................ 18
输出禁止模式............................................... ......................................... 18
硬件数据保护............................................... ............................... 18
WP #引导扇区保护............................................. ............................ 19
低VCC写禁止.............................................. .................................. 19
写脉冲“毛刺”保护............................................ .................... 19
逻辑禁止................................................ .................................................. 19
经营范围................................................ ................................................ 51
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
图7.测试设置............................................. ............. 53
表21.测试规范............................................. .. 53
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
图8.输入波形和测量水平.............. 53
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 54
V
CC
上电..................................................................................................... 54
CLK特征................................................ ....................................... 55
图9. V
CC
电调图.......................................... 54
图10. CLK表征........................................... 55
同步/突发读.............................................. .................................... 56
图11.突发模式阅读( 66和54兆赫) ........................ 56
图12.突发模式阅读( 40兆赫) ................................. 57
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 20
表3. CFI查询标识字符串................................ 20
表4.系统接口字符串......................................... 20
表5.设备几何定义.................................... 21
表6.主要供应商特定的扩展查询................. 21
表7.扇区地址表, S29NS128J ........................... 23
表8.扇区地址表, S29NS064J ........................... 27
表9.扇区地址表, S29NS032J ........................... 31
表10.扇区地址表, S29NS016J ......................... 32
异步读取................................................ ........................................... 58
图13.异步模式读取.................................... 58
图14.复位时序............................................. ....... 59
擦除/编程操作.............................................. ................................ 60
图15.编程操作时序................................. 61
图16.芯片/扇区擦除操作............................... 62
图17.加速解锁绕道编程时序..... 63
图18.数据#投票计时(在嵌入式算法) ...
64
图19.触发位计时(在嵌入式算法) ... 64
图20. 8位,16位和32字线性突发地址环绕型
65
图21.延时与口岸........................... 65
图与地址边界延迟66 22.在3EH初始访问
延长有效地址图23例减少等待状态
使用方法................................................. ............................. 66
图24.返回到回读/写周期时序................ 67
命令定义................................................ ........................................ 33
读阵列数据............................................... ............................................. 33
设置配置寄存器命令序列...................................... 34
表11.突发模式............................................. .......... 34
握手特征................................................ ..................................... 34
表12.等待状态握手................................. 35
部门锁定/解锁命令序列............................................ ....... 35
复位命令................................................ .................................................. 35
自选命令序列............................................... ..................... 36
表13.自动选择设备ID ............................................ 36
BGA球电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
S29NS128J ..............................................................................................................69
VDC048-48球非常薄细间距球栅阵列( FBGA ) 10×
程序命令序列............................................... ......................... 36
解锁绕道命令序列.............................................. ........... 37
2006年3月22日S29NS , J_01_A10
S29NS-J
iii
D A T A
中文ê (E T)
11毫米包............................................... ................................................. 69
S29NS064J ............................................................................................................ 70
VDD044-44球非常薄细间距球栅阵列( FBGA ) 9.2 X
8毫米包............................................... .................................................. 70
S29NS032J和S29NS016J ............................................... .................................. 71
VDE044-44球非常薄细间距球栅阵列( FBGA ) 7.7×
6.2毫米包............................................... ................................................. 71
为128Mbit的110纳米的闪存产品表22.菊花链部分
( VDC048 , 10 ×11 MM) .......................................... ............ 72
表23. VDC048包装信息................................ 72
表24. VDC048连接........................................... 72
图25. VDC048菊花链布局
(顶视图,球朝下) .......................................... ... 73
( VDD044 , 9.2毫米x 8毫米) .......................................... ............. 74
表26. VDD044包装信息................................ 74
表27. VDD044连接............................................ 74
图26. VDD044菊花链布局
(顶视图,球朝下) .......................................... 75 ..
附录C :菊花链方式。 。 。 。 。 。 。 。 。 76
表28.菊花链部分为32和16 Mbit的110纳米闪存的精良
UCTS ( VDE044 , 7.7× 6.2毫米) ......................................... ..... 76
表29. VDE044包装信息................................ 76
表30. VDE044连接............................................ 76
图27. VDE044菊花链布局
(顶视图,球朝下) .......................................... .. 77
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 78
附录B :菊花链方式。 。 。 。 。 。 。 。 0.74
为64Mbit的110纳米的闪存产品表25.菊花链部分
iv
S29NS-J
2006年S29NS - J_01_A10 3月22日,
S29NS-J
128兆位(8M ×16位) , 64兆位(4M ×16位) ,
32兆位(2M ×16位) ,和16兆位(1的M× 16位) ,
110纳米CMOS 1.8伏只同步读/写,
突发模式闪存产品
数据表
特色鲜明
单1.8伏读取,编程和擦除
( 1.7至1.95 V)
复用的数据和地址的减少
I / O数
- A15 -A0复用为DQ15 - DQ0
- 地址是由AVD #控制输入时,锁存
CE #低
扇区保护
- 软件命令锁业
- WP #保护最高的两个行业
- 所有行业锁定在A
cc
= V
IL
握手功能
- 提供主机系统以最小的可能的延迟
通过监控RDY
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
读取访问时间在五十四分之六十六兆赫(C
L
= 30 pF的)
- 11 / 13.5 ns的突发访问时间
在工业级温度范围
- 异步随机存取时间
的七十分之六十五NS
- 同步随机存取时间
71 / 87.5纳秒
支持常见的闪存接口
( CFI )
软件指令集兼容
JEDEC 42.4标准
- 与Am29F和Am29LV向后兼容
在110纳米制程技术制造
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动写
并验证在指定地址的数据
突发模式
- 连续线性爆
- 保鲜膜8/16/32字线突发各地
- 无包装8/16/32字线突发各地
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法和
擦除操作完成
功耗(典型值, 8位
开关,C
L
= 30 pF的)
- 突发模式阅读: 25毫安
- 同步操作: 40毫安
- 编程/擦除: 15毫安
- 待机模式: 9 μA
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区,
然后恢复擦除操作
硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取
数组数据
部门架构
- 4个8千字行业
- 两个百55 ( S29NS128J ) ,百
27 ( S29NS064J ) , 63
( S29NS032J )或31 ( S29NS016J ) 32 K字
扇区
- 四家银行(见扇区数量和尺寸下页)
CMOS兼容输入和输出
- 48球很薄FBGA ( S29NS128J )
- 44球很薄FBGA ( S29NS064J , S29NS032J ,
S29NS016J)
自行车耐力:每扇区100万次
典型
数据保存:20年典型
公开号
S29NS-J_00
调整
A
修订
10
发行日期
2006年3月22日
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