STU16NB50
N沟道500V - 0.28Ω - 15.6A - MAX220
的PowerMESH MOSFET
TYPE
ST U16NB50
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
R
DS ( ON)
< 0.33
I
D
15.6 A
典型
DS ( ON)
= 0.28
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
±
30V栅极至源极电压额定值
1
2
3
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中,意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构,给出了
低R
DS ( ON)
单位面积,出色的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
开关模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
Max220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt (
1
)
T
s TG
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k
)
摹吃 - 源极电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
500
500
±
30
15.6
9.8
62
160
1.28
4.5
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤16A,
的di / dt
≤
200 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, TJ
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/6
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1999年9月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。