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STGW35NB60SD
N沟道35A - 600V - TO- 247
低压降的PowerMESH IGBT
一般特点
TYPE
STGW35NB60SD
■
■
■
V
CES
600V
V
CE （ SAT ）
（最大值） @ 25°C
< 1.7V
I
C
@100°C
35A
低导通压降（ V
CESAT
)
3
低输入电容
高电流能力
2
1
TO-247
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，
同
优秀
表演。
内部原理图
应用
■
■
■
■
■
调光器
HID
焊接
电机控制
静态继电器
订购代码
销售类型
STGW35NB60SD
记号
GW35NB60SD
包
TO-247
包装
管
2005年11月
REV 1
1/13
www.st.com
13
1电气额定值
STGW35NB60SD
1
表1中。
电气额定值
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
集电极电流（连续），在25 ℃下
集电极电流（连续）在100℃下
集电极电流（脉冲）
栅极 - 发射极电压
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
工作结温
- 55 150
T
英镑
T
L
储存温度
最大无铅焊接温度的
目的（从案例1.6毫米，为10秒。 ）
300
°C
°C
价值
600
70
35
250
± 20
30
200
单位
V
A
A
A
V
A
W
符号
V
CES
I
C
记
4
I
C
记
4
I
CM
记
1
V
GE
I
f
P
合计
T
j
表2中。
热阻
分钟。
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.625
1.5
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Rthj情况
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件（ IGBT ）
热阻结案件（二极管）
热阻结到环境
--
--
--
2/13
STGW35NB60SD
2电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表3中。
符号
V
BR （CES）上
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
STATIC
参数
Collectro发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
栅极阈值电压
集电极 - 射极漏泄
电流（V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
正向跨导
测试条件
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0
V
GE
= 15V ，我
C
= 20A ， TJ = 25°C
V
GE
= 15V ，我
C
= 20A ， TJ = 125°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
=最大额定值， TC = 25℃
V
CE
=最大额定值， TC = 125°C
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
V
CE
= 10V
,
I
C
= 18A
20
2.5
分钟。
600
1.25
1.2
1.7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
nA
S
5
10
100
± 100
I
GES
g
fs
表4 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
动态
参数
测试条件
分钟。
典型值。
1820
167
27
83
10
27
80
115
马克斯。
单位
pF
pF
pF
输入电容
V
CE
= 25V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
关断SOA最低
当前
V
CE
= 480V ，我
C
= 20A,
V
GE
= 15V,
（参见图17）
V
钳
= 480V
,
TJ = 125°C
R
G
= 100
nC
nC
nC
A
3/13
2电气特性
STGW35NB60SD
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 480V ，我
C
= 20A
R
G
= 100, V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图3）
V
CC
= 480V ，我
C
= 20A
R
G
= 100, V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图3）
V
cc
= 480V ，我
C
= 20A,
R
GE
= 100 , V
GE
= 5V ，T
J
=25°C
（参见图18）
V
cc
= 480V ，我
C
= 20A,
R
GE
=100,V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图18）
分钟。
典型值。
92
70
340
80
73
320
0.78
1.1
0.79
1.1
2.4
1.2
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
s
s
s
s
s
s
表6 。
符号
宙
记
2
E
关闭
记
3
E
ts
宙
记
2
E
关闭
记
3
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 480V ，我
C
= 20A
R
G
=100, V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图18）
V
CC
= 480V ，我
C
= 20A
R
G
=100, V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图18）
分钟。
典型值。
0.84
7.4
8.24
0.86
11.5
12.4
马克斯。
单位
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
4/13
STGW35NB60SD
表7中。
符号
V
f
t
rr
t
a
Q
rr
I
RRM
S
t
rr
t
a
Q
rr
I
RRM
S
反向恢复电荷
反向恢复电流
二极管的软度因子
反向恢复电荷
反向恢复电流
二极管的软度因子
反向恢复时间
IF = 20A ，V
R
= 40V,
T
j
= 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
（参见图19）
2电气特性
集电极 - 发射极二极管
参数
在正向电压
反向恢复时间
IF = 20A ，V
R
= 40V,
T
j
= 25 ° C，的di / dt = 100A / μs的
（参见图19）
测试条件
IF = 10A
IF = 10A ， TJ = 125°C
分钟。
典型值。
1.3
1
44
32
66
3
0.375
88
56
237
5.4
0.57
马克斯。
2
单位
V
V
ns
ns
nC
A
ns
ns
nC
A
（ 1 ）脉冲宽度有限的最大值。结温
（2）宙是屯通损失时一个典型的二极管被用在测试电路在图2中宙包括二极管恢复能量。如果
IGBT的是提供在一个包与助巴二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度（ 25℃和125 ℃）下
（ 3 ）关断损耗还包括集电极电流的尾巴
（ 4）根据上述的迭代公式计算：
T
–T
JMAX
C
I
(
T
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(T
,
I )
THJ - C
CESAT
(
最大
)
C C
5/13
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